平衡-不平衡变换器的制作方法
1.本发明涉及平衡-不平衡变换器。
背景技术：
2.存在将差动功率放大器、发送匹配电路以及发送滤波器汇集于一体的半导体集成电路的半导体装置(例如，参照专利文献1)。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2016-158053号公报
6.专利文献2：美国专利第9584076号说明书
7.在专利文献1记载的半导体装置中，进行发送信号的阻抗变换以及平衡-不平衡变换的发送匹配电路(平衡-不平衡变换器)和使截止频带的信号衰减的滤波器设置在差动功率放大器的后级。
8.然而，在专利文献1记载的电路结构中，关于无线频率(rf)信号的基频，从差动功率放大器的输出端观察后级的电路时的负载阻抗的频率变化有时会变大。即，存在能够使差动功率放大器与后级的电路之间的阻抗良好地匹配的频带狭窄这样的问题。
技术实现要素：
9.发明要解决的问题
10.本发明鉴于这样的情况而作，目的在于，提供一种能够在较宽的频带中使前级的电路与后级的电路之间的阻抗良好地匹配的平衡-不平衡变换器。
11.用于解决问题的手段
12.本发明的一个方面涉及的平衡-不平衡变换器具备：第1布线，具有与传输平衡信号的一者的第1平衡线路连接的第1端和与传输所述平衡信号的另一者的第2平衡线路连接的第2端；第2布线，具有第1端和第2端，所述第1端被接地；第3布线，具有与所述第2布线的第2端连接的第1端和与传输不平衡信号的不平衡线路连接的第2端，并与所述第2布线电磁场耦合；第1电容器，具有与所述第3布线的第1端连接的第1端和被接地的第2端；以及第2电容器，具有与所述第3布线的第2端连接的第1端和被接地的第2端，所述第1布线与所述第2布线以及所述第3布线的至少一者电磁场耦合。
13.发明效果
14.根据本发明，能够提供一种能够在较宽的频带中使前级的电路与后级的电路之间的阻抗良好地匹配的平衡-不平衡变换器。
附图说明
15.图1是功率放大电路111的电路图。
16.图2是作为第1参考例的功率放大电路91的电路图。
17.图3是示出功率放大电路111中的阻抗gin1的仿真结果的一例的图。
18.图4是示出功率放大电路111中的阻抗gin2的仿真结果的一例的图。
19.图5是示出功率放大电路91中的阻抗gin3的仿真结果的一例的图。
20.图6是示出功率放大电路91中的阻抗gin4的仿真结果的一例的图。
21.图7是示出功率放大电路111中的回波损耗的仿真结果的一例的图。
22.图8是示出功率放大电路111中的功率损耗的仿真结果的一例的图。
23.图9是示出功率放大电路91中的回波损耗的仿真结果的一例的图。
24.图10是示出功率放大电路91中的功率损耗的仿真结果的一例的图。
25.图11是示出功率放大电路111中的全部损耗的仿真结果的一例的图。
26.图12是示出第2参考例的功率放大电路中的全部损耗的仿真结果的一例的图。
27.图13是示出第3参考例的功率放大电路中的全部损耗的仿真结果的一例的图。
28.图14是示意性地示出平衡-不平衡变换器101的布局的图。
29.图15是示意性地示出平衡-不平衡变换器101a的布局的图。
30.图16是示意性地示出平衡-不平衡变换器101b的布局的图。
31.图17是示意性地示出平衡-不平衡变换器101c的布局的图。
32.图18是功率放大电路115的电路图。
33.图19是示意性地示出平衡-不平衡变换器103的布局的图。
34.附图标记说明
[0035]1…
半导体器件；
[0036]
31、31p、31m
…
输入端子；
[0037]
32、32p、32m
…
输出端子；
[0038]
101、101a、101b、101c、103
…
平衡-不平衡变换器；
[0039]
111、115
…
功率放大电路；
[0040]
151p、151m
…
放大器；
[0041]
201
…
轴；
[0042]
211、212、213、214、215
…
布线层；
[0043]
211a、212a、213a、214a、215a
…
面；
[0044]
301、302
…
变压器；
[0045]
311、312、313、314、315
…
绕组；
[0046]
331、332、333、334、335
…
电容器；
[0047]
501p、501m
…
平衡线路；
[0048]
601
…
不平衡线路；
[0049]
701、702、703、704、705
…
金属布线；
[0050]
703a、703b、703c、703d、703e、703f
…
金属布线；
[0051]
7031、7032、7033、7034
…
金属布线；
[0052]
723、733、734、745
…
层间过孔。
具体实施方式
[0053]
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，对于相同的要素标注
相同的附图标记，尽量省略重复的说明。
[0054]
[第1实施方式]
[0055]
对第1实施方式涉及的平衡-不平衡变换器101以及功率放大电路111进行说明。图1是功率放大电路111的电路图。如图1所示，半导体器件1具备功率放大电路111。半导体器件1例如是形成了功率放大电路111的半导体芯片。功率放大电路111是对无线频率平衡信号进行放大并输出不平衡信号的电路。
[0056]
功率放大电路111具备平衡-不平衡变换器101、放大器151p以及151m、和电容器333。平衡-不平衡变换器101具备变压器301、电容器331(第1电容器)、和电容器332(第2电容器)。变压器301包含绕组311(第1布线)、绕组312(第2布线)、和绕组313(第3布线)。放大器151p以及151m例如构成初级(驱动级)的差动对。放大器151m具有与放大器151p的输入输出特性大致相同的输入输出特性。
[0057]
在本实施方式中，放大器151p以及151m例如由异质结双极晶体管(hbt：heterojunction bipolar transistor)等双极晶体管构成。另外，放大器151p以及151m也可以由场效应晶体管(mosfet：metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等其他晶体管构成。在该情况下，只要将基极、集电极、以及发射极分别改读为栅极、漏极、以及源极即可。
[0058]
在输入端子31p以及31m，分别被输入作为平衡信号的一者的信号rfp1以及作为该平衡信号的另一者的信号rfm1。信号rfp1的相位与信号rfm1的相位不同。在本实施方式中，信号rfp1的相位与信号rfm1的相位相差大致180
°
。另外，由于电路的布线长度的不均衡等，相位差也有时与180
°
相差很大。
[0059]
放大器151p具有通过输入端子31p接受信号rfp1的输入端子151pa、和将对信号rfp1进行了放大的放大信号rfp2输出的输出端子151pb。放大器151m具有通过输入端子31m接受信号rfm1的输入端子151ma、和将对信号rfm1进行了放大的放大信号rfm2输出的输出端子151mb。
[0060]
平衡信号的一者即放大信号rfp2通过平衡线路501p(第1平衡线路)被传输到平衡-不平衡变换器101。该平衡信号的另一者即放大信号rfm2通过平衡线路501m(第2平衡线路)被传输到平衡-不平衡变换器101。
[0061]
平衡-不平衡变换器101中的绕组311具有通过平衡线路501p与放大器151p的输出端子151pb连接的第1端、和通过平衡线路501m与放大器151m的输出端子151mb连接的第2端。
[0062]
电容器333具有与绕组311的第1端连接的第1端、和与绕组311的第2端连接的第2端。绕组312具有被接地的第1端、和第2端，并与绕组311电磁场耦合。
[0063]
绕组313具有与绕组312的第2端连接的第1端、和第2端，并与绕组312电磁场耦合。电容器331具有与绕组313的第1端连接的第1端、和被接地的第2端。电容器332具有与绕组313的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。
[0064]
作为平衡信号的放大信号rfp2以及rfm2通过平衡-不平衡变换器101被变换成作为不平衡信号的输出信号rf3，并从绕组313的第2端输出。
[0065]
不平衡线路601将绕组313的第2端和输出端子32连接。在不平衡线路601中，从绕组313的第2端输出的输出信号rf3向输出端子32传输。
[0066]
[第1参考例]
[0067]
对作为第1参考例的功率放大电路91进行说明。图2是作为第1参考例的功率放大电路91的电路图。这样的电路例如记载于专利文献1。放大器pa13由组合了fet(field effect transistor，场效应晶体管)的差动功率放大器构成。而且，放大器pal3具有与发送器12连接的输入端子t1p以及t1m、和输出端子t13p以及输出端子t13m。
[0068]
发送匹配电路tr41包含构成平衡侧的电感器l42以及电容器c43、和构成不平衡侧的电感器l44。电感器l42具有与输出端子t13p连接的第1端、和与输出端子t13m连接的第2端。电容器c43连接在电感器l42的第1端与第2端之间。电感器l44具有被接地的第1端、和通过输出端子t2与切换器23连接的第2端。
[0069]
电容器c45具有与电感器l44的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。滤波器lpf46包含电感器l47和电容器c48。电感器l47具有与电感器l44的第2端连接的第1端、和第2端。电容器c48具有与电感器l47的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。
[0070]
[阻抗的频率变化]
[0071]
对阻抗gin1～gin4的频率变化进行说明。在此，阻抗gin1以及gin2是在功率放大电路111(参照图1)中从输出端子151pb以及输出端子151mb分别观察输出端子32时的阻抗。阻抗gin3以及gin4是在功率放大电路91(参照图2)中从输出端子t13p以及t13m分别观察输出端子t2时的阻抗。
[0072]
发明人将功率放大电路111以及90中的各电路元件的电路常数作为参数，对阻抗gin1～gin4的频率变化进行了仿真。发明人例如在大致1.7ghz(千兆赫兹)至2.7ghz的频率范围中，对参数进行了最优化，使得阻抗gin1以及gin2接近于实数的固定值。同样地，发明人在该频率范围中，对参数进行了最优化，使得阻抗gin3以及gin4接近于实数的固定值。
[0073]
图3以及图4是分别示出功率放大电路111(参照图1)中的阻抗gin1以及gin2的仿真结果的一例的图。在图3中，曲线g1示于史密斯圆图上。曲线g1示出在使信号rfp1的频率从1.2ghz变化至9.0ghz的情况下将特性阻抗设为例如6欧姆时的阻抗gin1的变化。在曲线g1中，从1.7ghz至2.7ghz的频率范围中的阻抗gin1的变化是从位置g11到位置g12的顺时针的轨迹。
[0074]
在图4中，曲线g2示于史密斯圆图上。曲线g2示出在使信号rfml的频率从1.2ghz变化至9.0ghz的情况下将特性阻抗设为例如6欧姆时的阻抗gin2的变化。在曲线g2中，从1.7ghz至2.7ghz的频率范围中的阻抗gin2的变化是从位置g21到位置g22的顺时针的轨迹。
[0075]
图5以及图6是分别示出功率放大电路91(参照图2)中的阻抗gin3以及gin4的仿真结果的一例的图。在图5中，曲线g3示于史密斯圆图上。曲线g3示出使输入到输入端子t1p的信号的频率从1.2ghz变化至9.0ghz的情况下的阻抗gin3的变化。在曲线g3中，从1.7ghz至2.7ghz的频率范围中的阻抗gin3的变化是从位置g31到位置g32的顺时针的轨迹。
[0076]
在图6中，曲线g4示于史密斯圆图上。曲线g4示出使输入到输入端子t1m的信号的频率从1.2ghz变化至9.0ghz的情况下的阻抗gin4的变化。在曲线g4中，从1.7ghz至2.7ghz的频率范围中的阻抗gin4的变化是从位置g41到位置g42的顺时针的轨迹。
[0077]
如图3～图6所示，在从1.7ghz至2.7ghz的频率范围中，曲线g1以及g2与曲线g3以及g4相比，位于史密斯圆图中的中心的附近。即，在功率放大电路111中，与功率放大电路91相比，能够良好地抑制阻抗gin1以及gin2的频率变化。
[0078]
[回波损耗的频率变化]
[0079]
对差动放大器的输出端子处的回波损耗的频率变化进行说明。图7是示出功率放大电路111(参照图1)中的回波损耗的仿真结果的一例的图。另外，在图7中，横轴示出将单位设为“ghz”的频率，纵轴示出将单位设为“db”的回波损耗。
[0080]
曲线l1以及l2分别示出输出端子151pb以及151mb处的回波损耗的频率变化。在此，输出端子151pb处的回波损耗例如为20
×
log(|gin1|)。|gin1|表示阻抗gin1的绝对值。同样地，输出端子151mb处的回波损耗例如为20
×
log(|gin2|)。
[0081]
回波损耗的值越小，平衡-不平衡变换器101对阻抗的匹配变得越好。例如，若设在回波损耗为-20以下的情况下良好地匹配了阻抗(特别是阻抗gin1)，则在功率放大电路111中，通过平衡-不平衡变换器101能够在1.55ghz～2.75ghz的1.2ghz的较宽的频率范围中良好地匹配阻抗。
[0082]
图9是示出功率放大电路91(参照图2)中的回波损耗的仿真结果的一例的图。另外，图9的表示方法与图7相同。
[0083]
曲线l3以及l4分别示出输出端子t13p以及t13m处的回波损耗的频率变化。输出端子t13p以及t13m处的回波损耗例如分别为20
×
log(|gin3|)以及20
×
log(|gin4|)。
[0084]
若设在回波损耗为-20以下的情况下良好地匹配了阻抗，则在功率放大电路91中，能够良好地匹配阻抗(特别是阻抗gin3)的频率范围成为1.7ghz～2.45ghz的0.75ghz的较窄的频率范围。即，在功率放大电路111中，与功率放大电路91相比，能够在较宽的频率范围中良好地匹配阻抗。
[0085]
[功率损耗的频率变化]
[0086]
对差动放大器的输出端子与功率放大电路的输出端子之间的功率损耗的频率变化进行说明。图8是示出功率放大电路111(参照图1)中的功率损耗的仿真结果的一例的图。另外，在图8中，横轴示出将单位设为“ghz”的频率，纵轴示出将单位设为“dbm”的功率损耗。
[0087]
曲线l11示出输出端子151pb与输出端子32之间的功率损耗的频率变化。在此，该功率损耗由p1-pout1+3表示。p1以及poutl分别为放大器151p的输出功率以及输出端子32的输出功率。
[0088]
曲线l12示出输出端子151mb与输出端子32之间的功率损耗的频率变化。在此，该功率损耗为p2-pout1+3。p2为放大器151m的输出功率。另外，p1、p2以及pout1的单位为“dbm”。
[0089]
图10是示出功率放大电路91(参照图2)中的功率损耗的仿真结果的一例的图。另外，图10的表示方法与图8相同。
[0090]
曲线l13示出功率放大电路91中的输出端子t13p与输出端子t2之间的功率损耗的频率变化。在此，该功率损耗为p3-pout3+3。p3以及pout3分别为输出端子t13p的输出功率以及输出端子t2的输出功率。
[0091]
曲线l14示出功率放大电路91中的输出端子t13m与输出端子t2之间的功率损耗的频率变化。在此，该功率损耗为p4-pout3+3。p4为输出端子t13m的输出功率。另外，p3、p4以及pout3的单位为“dbm”。
[0092]
功率损耗的值越大，放大器的输出功率向输出端子越良好地传输。在功率放大电路91中，在1.7ghz能够确保约-0.7dbm的功率损耗。然而，在比2.3ghz高的频率，功率损耗会
低于-1.0dbm。
[0093]
与之相对，在功率放大电路111中，能够在1.7ghz～2.7ghz的较宽的频率范围中实现大致-1dbm以上的功率损耗。
[0094]
[绕组312以及313间的电磁场的耦合的效果]
[0095]
图11是示出功率放大电路111(参照图1)中的全部损耗的仿真结果的一例的图。另外，在图11中，横轴示出将单位设为“ghz”的频率，纵轴示出将单位设为“dbm”的全部损耗。
[0096]
如图11所示，曲线l21示出功率放大电路111中的放大器151p以及151m与输出端子32之间的全部损耗的频率变化。在此，该全部损耗为p1+p2-poutl。
[0097]
图12以及图13分别是示出第2参考例的功率放大电路以及第3参考例的功率放大电路中的全部损耗的仿真结果的一例的图。另外，图12以及图13的表示方法与图11相同。第2参考例的功率放大电路是从图2所示的功率放大电路91之中除去滤波器lpf46后的电路。第3参考例的功率放大电路是在图1所示的功率放大电路111中除去绕组312与绕组313之间的电磁场耦合后的电路。
[0098]
图12所示的曲线l22示出第2参考例的功率放大电路中的全部损耗的频率变化。图13所示的曲线l23示出第3参考例的功率放大电路中的全部损耗的频率变化。
[0099]
全部损耗的值越大，放大器的输出功率向输出端子越良好地传输。如曲线l22(参照图12)所示，在第2参考例的功率放大电路中，在1.7ghz能够确保约-0.7dbm的全部损耗。然而，在比2.4ghz高的频率，全部损耗会低于-1.0dbm。这是因为，第2参考例的功率放大电路中的平衡-不平衡变换器由一级的变压器构成，因此通过该平衡-不平衡变换器可良好地匹配阻抗的频率范围较窄。
[0100]
如曲线l23(参照图13)所示，在第3参考例的功率放大电路中，尽管在1.7ghz能够确保稍微低于约-0.7dbm的全部损耗，但是在比2.2ghz高频的区域中，全部损耗会急剧地下降。这是因为，第3参考例的功率放大电路中的绕组313以及电容器332作为低通滤波器发挥功能，因此在高频侧全部损耗显著地减少。
[0101]
与之相对，在功率放大电路111中，绕组313与绕组312电磁场耦合，由此绕组313以及电容器332不作为低通滤波器发挥功能，取而代之发挥功能使得将可良好地匹配阻抗的频率范围扩大。由此，如曲线l21(参照图11)所示，在功率放大电路111中，能够在1.7ghz～2.7ghz的较宽的频率范围中实现大致-1dbm以上的全部损耗。
[0102]
另外，虽然对平衡-不平衡变换器101包含由绕组311、312以及313形成的变压器301的结构进行了说明，但不限定于此。平衡-不平衡变换器101也可以是代替变压器301而包含由3个传输线路形成的耦合线的结构。
[0103]
此外，在变压器301中，对绕组311和绕组312电磁场耦合的结构进行了说明，但不限定于此。在变压器301中，也可以是绕组311和绕组313电磁场耦合的结构、或者绕组311与绕组312以及313这两者电磁场耦合的结构。通过包含这样的变压器的平衡-不平衡变换器，也能够在较宽的频率范围中良好地匹配阻抗。
[0104]
另外，平衡-不平衡变换器101通过设置在驱动级的放大器与差动放大器之间，从而还能够作为级间匹配平衡-不平衡变换器使用。
[0105]
此外，平衡-不平衡变换器101通过设置在输入端子与差动放大器之间，从而还能够作为差动放大器的输入匹配平衡-不平衡变换器使用。
[0106]
[平衡-不平衡变换器101的布局]
[0107]
对平衡-不平衡变换器101的布局进行说明。另外，包含耦合线的平衡-不平衡变换器的布局也能够通过与平衡-不平衡变换器101的布局同样的布局来实现。在各附图中，有时示出x轴、y轴以及z轴。x轴、y轴以及z轴形成右手系的三维的正交坐标。以下，有时将z轴的箭头方向称为z轴+侧，将与箭头相反的方向称为z轴-侧，对于其他轴也是同样的。另外，也有时将z轴+侧以及z轴-侧分别称为“上侧”以及“下侧”。在此，将从上侧观察下侧时顺时针地旋转的方向定义为顺时针方向cw。此外，将从上侧观察下侧时逆时针地旋转的方向定义为逆时针方向ccw。
[0108]
图14是示意性地示出平衡-不平衡变换器101的布局的图。如图14所示，半导体器件1例如包含布线层211、212、213以及214这4层。布线层211、212、213以及214从上侧朝向下侧依次设置。另外，半导体器件1也可以是包含3个以下或5个以上的布线层的结构。
[0109]
布线层211、212、213以及214分别具有面211a(第1面)、面212a(第3面)、面213a(第4面)以及面214a(第2面)。面211a、面212a、面213a以及面214a各自与和z轴平行的轴201交叉。在本实施方式中，面211a、面212a、面213a以及面214a各自设为与轴201正交的面。另外，也可以是如下结构，即，例如由于制造偏差等，各布线层的面211a、212a、213a以及214a变得不与xy平面平行，这些面与xy平面大致平行，即，与轴201大致正交。
[0110]
在布线层211中的面211a，绕组311由围绕轴201卷绕的金属布线701(第1导电构件)形成。在本实施方式中，在沿着与面214a垂直的方向对面214a进行了俯视时(以下，有时简称为“对面214a进行了俯视时”。对于其他面也是同样的)，金属布线701形成为x轴-侧敞开的c字状。金属布线701具有与平衡线路501p连接的第1端、和与平衡线路501m连接的第2端。金属布线701沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。
[0111]
虽然未图示，但例如在面211a，夹着平衡线路501p以及501m而在金属布线701的相反侧设置放大器151p以及151m。通过这样配置，从而能够简易地将放大器151p以及151m和金属布线701连接。
[0112]
在布线层214中的面214a，绕组312由围绕轴201卷绕的金属布线702(第2导电构件)形成。在本实施方式中，在对面214a进行了俯视时，金属布线702形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0113]
金属布线702具有被接地的第1端、和与层间过孔723连接的第2端。金属布线702沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向逆时针方向ccw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线702的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0114]
绕组313由围绕轴201向与金属布线702的卷绕方向相反方向卷绕的金属布线703(第3导电构件)形成。金属布线703的卷绕数比金属布线702的卷绕数多。在本实施方式中，金属布线703围绕轴201卷绕1圈半以上且不足2圈。
[0115]
在此，所谓“金属布线702的卷绕方向和金属布线703的卷绕方向为相反方向”，是指在金属布线702以及703流过直流电流的情况下，流过金属布线702的直流电流的朝向和流过金属布线703的直流电流的朝向彼此相反。此外，所谓“金属布线702的卷绕方向和金属布线703的卷绕方向为相同方向”，是指在金属布线702以及703流过直流电流的情况下，流过金属布线702的直流电流的朝向和流过金属布线703的直流电流的朝向相同。
[0116]
详细地，金属布线703包含金属布线703a(第1部分)和金属布线703b(第2部分)。金属布线703a形成在布线层212中的面212a。在本实施方式中，在对面212a进行了俯视时，金属布线703a形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0117]
金属布线703a具有与层间过孔733连接的第1端、和通过不平衡线路601与输出端子32以及电容器332的第1端连接的第2端。金属布线703a沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线703a的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0118]
金属布线703b形成在布线层213中的面213a。在本实施方式中，在对面213a进行了俯视时，金属布线703b形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0119]
金属布线703b具有通过层间过孔723与金属布线702的第2端连接并且通过电容器331被接地的第1端、和通过层间过孔733与金属布线703a的第1端连接的第2端。金属布线703b沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线703b的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0120]
从上侧对面211a进行了俯视(沿着与面211a垂直的方向俯视)时，金属布线701、金属布线702、金属布线703a和金属布线703b相互至少一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线702、703a或者703b重叠的部分的面积(以下，有时称为第1重叠面积)为金属布线701的面积的50％以上。优选地，第1重叠面积为金属布线701的面积的60％以上。在本实施方式中，第1重叠面积为金属布线701的面积的75％以上。
[0121]
通过如上述那样对金属布线701、702、703a以及703b和层间过孔723以及733进行布局，从而能够减小从上侧观察时的配置绕组311、312以及313的面积。即，能够紧凑地形成频带较宽的平衡-不平衡变换器101。
[0122]
另外，虽然对布线层211、212、213以及214从上侧朝向下侧依次设置的结构进行了说明，但不限定于此。设置布线层211、212、213以及214的顺序不限于该顺序，也可以调换。即使调换设置布线层211、212、213以及214的顺序，也能够紧凑地形成频带较宽的平衡-不平衡变换器101。
[0123]
此外，虽然对绕组311全部形成在面211a的结构进行了说明，但不限定于此。也可以是绕组311的一部分形成在面211a且绕组311的其他部分形成在其他面的结构。
[0124]
此外，虽然对绕组312全部形成在面214a的结构进行了说明，但不限定于此。也可以是绕组312的一部分形成在面214a且绕组312的其他部分形成在其他面的结构。
[0125]
[平衡-不平衡变换器101a的布局]
[0126]
对作为图14所示的平衡-不平衡变换器101的第1变形例的平衡-不平衡变换器101a进行说明。图15是示意性地示出平衡-不平衡变换器101a的布局的图。如图15所示，平衡-不平衡变换器101a与平衡-不平衡变换器101的不同点在于，绕组313由设置在一个面的金属布线形成。
[0127]
在本变形例中，半导体器件1例如包含布线层211、212以及214这3层。布线层211、212以及214从上侧朝向下侧依次设置。另外，半导体器件1也可以是包含4个以上的布线层的结构。
[0128]
金属布线702的外径比金属布线701的内径小。此外，金属布线702的第2端与层间
过孔723连接，并且与电容器331的第1端连接。
[0129]
在布线层212的面212a形成金属布线7031(第3导电构件)。金属布线7031包含金属布线703a(第1部分)和金属布线703c(第2部分)。在对面212a进行了俯视时，金属布线703c形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0130]
金属布线703c具有通过层间过孔723与金属布线702的第2端连接的第1端、和第2端。金属布线703c沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线703c的外径以及内径分别与金属布线702的外径以及内径大致相同。
[0131]
金属布线703a具有与图14所示的平衡-不平衡变换器101中的金属布线703a同样的结构。金属布线703a的第1端与金属布线703c的第2端连接。金属布线703a在金属布线703c的外侧沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线703a的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0132]
在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线703a相互一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线703a重叠的部分的面积(以下，有时称为第2重叠面积)为金属布线701的面积的50％以上。优选地，第2重叠面积为金属布线701的面积的60％以上。在本实施方式中，第2重叠面积为金属布线701的面积的75％以上。
[0133]
此外，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线702和金属布线703c相互一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线702和金属布线703c重叠的部分的面积(以下，有时称为第3重叠面积)为金属布线702的面积的50％以上。优选地，第3重叠面积为金属布线702的面积的60％以上。在本实施方式中，第3重叠面积为金属布线702的面积的75％以上。
[0134]
通过如上述那样对金属布线701、702、703a以及703c和层间过孔723进行布局，从而能够由比平衡-不平衡变换器101的布线层数少的布线层数来实现具有与平衡-不平衡变换器101(参照图14)同样的电特性的平衡-不平衡变换器101a。
[0135]
另外，虽然对布线层211、212以及214从上侧朝向下侧依次设置的结构进行了说明，但不限定于此。设置布线层211、212以及214的顺序不限于该顺序，也可以调换。
[0136]
[平衡-不平衡变换器101b的布局]
[0137]
对作为图14所示的平衡-不平衡变换器101的第2变形例的平衡-不平衡变换器101b进行说明。图16是示意性地示出平衡-不平衡变换器101b的布局的图。如图16所示，平衡-不平衡变换器101b与平衡-不平衡变换器101的不同点在于，绕组312和绕组313的一部分由设置在一个面的金属布线形成。
[0138]
在本变形例中，半导体器件1例如包含布线层211、212以及214这3层。布线层211、212以及214从上侧朝向下侧依次设置。另外，半导体器件1也可以是包含4个以上的布线层的结构。
[0139]
金属布线702的外径比金属布线701的内径小。此外，金属布线702的第2端与电容器331的第1端连接。
[0140]
绕组313由遍及布线层212以及214地围绕轴201卷绕1圈半以上且不足2圈的金属布线7032形成。详细地，金属布线7032包含形成在面212a的金属布线703a(第1部分)、和形
成在面214a的金属布线703d(第2部分)。
[0141]
在对面214a进行了俯视时，在金属布线702的外侧，金属布线703d形成为x轴+侧敞开的c字状。金属布线703d具有与金属布线702的第2端连接的第1端、和与层间过孔733连接的第2端。金属布线703d从第1端至第2端，沿着以轴201为中心的圆周，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线703d的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0142]
在布线层212的面212a，与图14所示的平衡-不平衡变换器101同样地设置金属布线703a。金属布线703a的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0143]
在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701、金属布线703a和金属布线703d相互一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线703a或者703d重叠的部分的面积(以下，有时称为第4重叠面积)为金属布线701的面积的50％以上。优选地，第4重叠面积为金属布线701的面积的60％以上。在本实施方式中，第4重叠面积为金属布线701的面积的75％以上。
[0144]
通过如上述那样对金属布线701、702、703a以及703d和层间过孔733进行布局，从而能够由比平衡-不平衡变换器101(参照图14)的布线层数少的布线层数来实现具有与平衡-不平衡变换器101(参照图14)同样的电特性的平衡-不平衡变换器101b。
[0145]
另外，虽然对布线层211、212以及214从上侧朝向下侧依次设置的结构进行了说明，但不限定于此。设置布线层211、212以及214的顺序不限于该顺序，也可以调换。
[0146]
[平衡-不平衡变换器101c的布局]
[0147]
对作为图14所示的平衡-不平衡变换器101的第3变形例的平衡-不平衡变换器101c进行说明。图17是示意性地示出平衡-不平衡变换器101c的布局的图。如图17所示，平衡-不平衡变换器101c与平衡-不平衡变换器101的不同点在于，绕组312以及313由设置在一个面的金属布线形成。
[0148]
在本变形例中，半导体器件1例如包含布线层211以及214这2层。布线层211以及214从上侧朝向下侧依次设置。另外，半导体器件1也可以是包含3个以上的布线层的结构。
[0149]
在布线层211的面211a，与图14所示的平衡-不平衡变换器101同样地设置金属布线701。在布线层214的面214a，与图14所示的平衡-不平衡变换器101同样地设置金属布线702。
[0150]
在本变形例中，金属布线702的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。此外，金属布线702的第2端与电容器331的第1端连接。另外，也可以是金属布线702的外径与金属布线701的外径不同的结构。此外，也可以是金属布线702的内径与金属布线701的内径不同的结构。
[0151]
在面214a上的金属布线702的外侧，绕组313由围绕轴201卷绕1圈半以上且不足2圈的金属布线7033形成。详细地，金属布线7033包含金属布线703e(第1部分)和金属布线703f(第2部分)。
[0152]
在对面214a进行了俯视时，在金属布线702的外侧，金属布线703f形成为x轴+侧敞开的c字状。金属布线703f具有与金属布线702的第2端连接的第1端、和第2端。金属布线703f从第1端至第2端，沿着以轴201为中心的圆周，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。
[0153]
在对面214a进行了俯视时，在金属布线703f的外侧，金属布线703e形成为x轴+侧敞开的c字状。金属布线703e具有与金属布线703f的第2端连接的第1端、和通过不平衡线路601与输出端子32以及电容器332的第1端连接的第2端。金属布线703e从第1端至第2端，沿着以轴201为中心的圆周，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。
[0154]
在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线702相互一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线702重叠的部分的面积(以下，有时称为第5重叠面积)为金属布线701的面积的50％以上。优选地，第5重叠面积为金属布线701的面积的60％以上。在本实施方式中，第5重叠面积为金属布线701的面积的75％以上。
[0155]
通过如上述那样对金属布线701、702、703e以及703f进行布局，从而能够由比平衡-不平衡变换器101b(参照图16)的布线层数少的布线层数来实现具有与平衡-不平衡变换器101(参照图14)同样的电特性的平衡-不平衡变换器101c。
[0156]
[第2实施方式]
[0157]
对第2实施方式涉及的功率放大电路115进行说明。图18是功率放大电路115的电路图。如图18所示，在第2实施方式涉及的功率放大电路115中，与第1实施方式涉及的功率放大电路111的不同点在于，变压器的级数增加了。
[0158]
功率放大电路115与图1所示的功率放大电路111相比，代替平衡-不平衡变换器101而具备平衡-不平衡变换器103，还具备电容器335。平衡-不平衡变换器103与图1所示的平衡-不平衡变换器101相比，还具备变压器302以及电容器334(第3电容器)。变压器302包含绕组314(第4布线)和绕组315(第5布线)。
[0159]
绕组314设置在绕组313的第2端与不平衡线路601之间，具有与绕组313的第2端连接的第1端、和与不平衡线路601连接的第2端。
[0160]
绕组315具有与绕组314的第2端连接的第1端、和被接地的第2端，并与绕组314电磁场耦合。
[0161]
电容器334具有与绕组314的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。电容器335设置于不平衡线路601，具有与绕组314的第2端连接的第1端、和与输出端子32连接的第2端。
[0162]
像这样，通过在变压器301的后级进一步设置变压器302的结构，与图1所示的平衡-不平衡变换器101相比，能够扩大可良好地匹配阻抗的频率范围。
[0163]
另外，虽然对平衡-不平衡变换器103包含电磁场耦合的绕组的结构进行了说明，但不限定于此。平衡-不平衡变换器103也可以是代替绕组而包含电磁场耦合的传输线路的结构。
[0164]
[平衡-不平衡变换器103的布局]
[0165]
对平衡-不平衡变换器103的布局进行说明。另外，在平衡-不平衡变换器103中，代替绕组而设置了传输线路的平衡-不平衡变换器的布局也能够通过与平衡-不平衡变换器103的布局同样的布局来实现。
[0166]
图19是示意性地示出平衡-不平衡变换器103的布局的图。如图19所示，半导体器件1例如包含布线层211、212、213、214以及215这5层。布线层211、215、212、213以及214从上侧朝向下侧依次设置。另外，半导体器件1也可以是包含6个以上的布线层的结构。
[0167]
布线层211、215、212、213以及214分别具有面211a(第1面)、面215a(第5面)、面
212a(第4面)、面213a(第3面)以及面214a(第2面)。面211a、面212a、面213a、面214a以及面215a各自与和z轴平行的轴201交叉。在本实施方式中，面211a、面215a、面212a、面213a以及面214a各自与轴201正交。
[0168]
在布线层211的面211a以及布线层214的面214a，与图14所示的平衡-不平衡变换器101同样地分别设置金属布线701以及702。
[0169]
在布线层213的面213a形成金属布线7034(第3导电构件)。在本实施方式中，在对面213a进行了俯视时，金属布线7034形成为x轴+侧敞开的c字状。金属布线7034具有通过层间过孔723与金属布线702的第2端连接并且通过电容器331被接地的第1端、和与层间过孔734连接的第2端。金属布线7034沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线7034的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0170]
在布线层212中的面212a，绕组314由围绕轴201向与金属布线702的卷绕方向相反方向卷绕的金属布线704(第4导电构件)形成。在本实施方式中，在对面212a进行了俯视时，金属布线704形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0171]
金属布线704具有通过层间过孔734与金属布线7034的第2端连接并且通过电容器332被接地的第1端、和与层间过孔745连接并且通过不平衡线路601与电容器334的第1端以及电容器335的第1端连接的第2端。金属布线704沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向顺时针方向cw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线704的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0172]
在布线层215中的面215a，绕组315由围绕轴201向金属布线702的卷绕方向卷绕的金属布线705(第5导电构件)形成。在本实施方式中，在对面215a进行了俯视时，金属布线705形成为x轴+侧敞开的c字状。
[0173]
金属布线705具有通过层间过孔745与金属布线704的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。金属布线705沿着以轴201为中心的圆周，从第1端至第2端，向逆时针方向ccw卷绕3/4圈以上且不足1圈。金属布线705的外径以及内径分别与金属布线701的外径以及内径大致相同。
[0174]
在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701、金属布线702、金属布线7034、金属布线704和金属布线705相互一部分重叠。详细地，在从上侧对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线702、7034、704或者705重叠的部分的面积(以下，有时称为第6重叠面积)为金属布线701的面积的50％以上。优选地，第6重叠面积为金属布线701的面积的60％以上。在本实施方式中，第6重叠面积为金属布线701的面积的75％以上。
[0175]
通过如上述那样对金属布线701、702、7034、704以及705和层间过孔723、734以及745进行布局，从而能够减小从上侧观察时的配置绕组311、312、313、314以及315的面积。即，能够紧凑地形成频带更宽的平衡-不平衡变换器103。
[0176]
另外，虽然对布线层211、215、212、213以及214从上侧朝向下侧依次设置的结构进行了说明，但不限定于此。设置布线层211、215、212、213以及214的顺序不限于该顺序，也可以调换。
[0177]
此外，虽然对绕组313全部形成在面213a的结构进行了说明，但不限定于此。也可以是绕组313的一部分形成在面213a且绕组313的其他部分形成在其他面的结构。
[0178]
此外，虽然对绕组314全部形成在面212a的结构进行了说明，但不限定于此。也可以是绕组314的一部分形成在面212a且绕组314的其他部分形成在其他面的结构。
[0179]
此外，虽然对绕组315全部形成在面215a的结构进行了说明，但不限定于此。也可以是绕组315的一部分形成在面215a且绕组315的其他部分形成在其他面的结构。
[0180]
以上，对本发明的例示性的实施方式进行了说明。在平衡-不平衡变换器101中，第1布线具有与传输平衡信号的一者的平衡线路501p连接的第1端、和与传输该平衡信号的另一者的平衡线路501m连接的第2端。第2布线具有被接地的第1端、和第2端。第3布线具有与第2布线的第2端连接的第1端、和与传输不平衡信号的不平衡线路601连接的第2端，并与第2布线电磁场耦合。电容器331具有与第3布线的第1端连接的第1端、和被接地的第2端。电容器332具有与第3布线的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。而且，第1布线与第2布线以及第3布线的至少一者电磁场耦合。
[0181]
像这样，通过第2布线和第3布线电磁场耦合并且第1布线和第2布线以及第3布线的至少一者电磁场耦合的结构，能够实现具有与使用两级的变压器或者耦合线的平衡-不平衡变换器同样的特性的平衡-不平衡变换器。即，通过第1布线和第2布线以及第3布线的至少一者可进行平衡信号以及不平衡信号间的变换，并且可实现阻抗变换电路。而且，与以往的功率放大电路91(参照图2)相比，通过代替滤波器lpf46而设置第2布线以及第3布线和电容器332的结构，能够在更宽的频带中抑制关于无线频率信号的基频的阻抗的变化以及功率损耗的下降。因此，能够提供能够良好地匹配前级的电路与后级的电路之间的阻抗的平衡-不平衡变换器。
[0182]
此外，在平衡-不平衡变换器101、101a、101b、101c或者103中，第1布线由围绕轴201卷绕的金属布线701形成。第2布线由围绕轴201卷绕的金属布线702形成。第3布线由围绕轴201向与金属布线702的卷绕方向相反方向卷绕的金属布线703、7031、7032、7033或者7034形成。
[0183]
像这样，通过第1布线、第2布线以及第3布线由围绕共同的轴201卷绕的各金属布线形成的结构，能够在充分确保布线间的电磁场耦合的同时，以基板表面上的较小的占有面积来形成平衡-不平衡变换器101、101a、101b、101c以及103。
[0184]
此外，在平衡-不平衡变换器101、101a、101b或者101c中，金属布线703、7031、7032或者7033的卷绕数比金属布线702的卷绕数多。
[0185]
通过这样的结构，在第3布线侧的电路的阻抗大的情况下，能够良好地匹配第1布线侧的电路与第3布线侧的电路之间的阻抗。
[0186]
此外，在平衡-不平衡变换器101、101a或者101b中，金属布线701形成在与轴201交叉的面211a。金属布线702形成在与轴201交叉的面214a。包含于金属布线703、7031或者7032的金属布线703a形成在与轴201交叉的面212a。
[0187]
像这样，通过金属布线701、702以及703a分别形成在面211a、214a以及212a的结构，能够由3个布线层形成第1布线以及第2布线和第3布线的一部分。由此，能够减小设置平衡-不平衡变换器101、101a以及101b的基板的厚度。
[0188]
此外，在平衡-不平衡变换器101中，包含于金属布线703且与金属布线703a不同的金属布线703b形成在与轴201交叉的面213a。
[0189]
通过这样的结构，能够由4个布线层形成平衡-不平衡变换器101，因此能够紧凑地
形成平衡-不平衡变换器101。
[0190]
此外，在平衡-不平衡变换器101中，在对面211a进行了俯视时，金属布线701、金属布线702、金属布线703a和金属布线703b相互至少一部分重叠。
[0191]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够在抑制平衡-不平衡变换器101所占的面积的同时，充分地确保第1布线与第2布线或者第3布线之间的电磁场耦合、以及第2布线与第3布线之间的电磁场耦合。
[0192]
此外，在平衡-不平衡变换器101a中，包含于金属布线7031且与金属布线703a不同的金属布线703c形成在面212a。
[0193]
通过这样的结构，能够由3个布线层形成平衡-不平衡变换器101a，因此能够比平衡-不平衡变换器101更紧凑地形成平衡-不平衡变换器10la。此外，与在多个布线层形成金属布线703的卷绕数的情况相比，能够实现金属布线间的寄生电容小的平衡-不平衡变换器。
[0194]
此外，在平衡-不平衡变换器101a中，在对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线703a相互一部分重叠。
[0195]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够抑制平衡-不平衡变换器101a所占的面积。
[0196]
此外，在平衡-不平衡变换器101a中，在对面211a进行了俯视时，金属布线702和金属布线703c相互一部分重叠。
[0197]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够在抑制平衡-不平衡变换器101a所占的面积的同时，充分地确保第2布线与第3布线之间的电磁场耦合。
[0198]
此外，在平衡-不平衡变换器101b中，包含于金属布线7032且与金属布线703a不同的金属布线703d形成在面214a。
[0199]
通过这样的结构，能够由3个布线层形成平衡-不平衡变换器101b，因此能够比平衡-不平衡变换器101更紧凑地形成平衡-不平衡变换器101b。
[0200]
此外，在平衡-不平衡变换器101b中，在对面211a进行了俯视时，金属布线701、金属布线703a和金属布线703d相互一部分重叠。
[0201]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够抑制平衡-不平衡变换器101b所占的面积。
[0202]
此外，在平衡-不平衡变换器101c中，金属布线701形成在与轴201交叉的面211a。金属布线702以及7033形成在与轴201交叉的面214a。
[0203]
通过这样的结构，能够由两个布线层形成平衡-不平衡变换器101c，因此能够比平衡-不平衡变换器101、101a以及101b更紧凑地形成平衡-不平衡变换器101c。
[0204]
此外，在平衡-不平衡变换器101c中，在对面211a进行了俯视时，金属布线701和金属布线702相互一部分重叠。
[0205]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够在抑制平衡-不平衡变换器101c所占的面积的同时，充分地确保第1布线与第2布线之间的电磁场耦合。
[0206]
此外，在平衡-不平衡变换器103中，第4布线设置在第3布线的第2端与不平衡线路601之间，具有与第3布线的第2端连接的第1端、和与不平衡线路601连接的第2端。第5布线具有与第4布线的第2端连接的第1端、和被接地的第2端，并与第4布线电磁场耦合。电容器
334具有与第4布线的第2端连接的第1端、和被接地的第2端。
[0207]
像这样，通过还具备电磁场耦合的第4布线以及第5布线的结构，能够实现具有与使用三级的变压器或者耦合线的平衡-不平衡变换器同样的特性的平衡-不平衡变换器。即，与平衡-不平衡变换器101相比，通过进一步设置第4布线以及第5布线和电容器335的结构，能够在更宽的频带中抑制关于无线频率信号的基频的阻抗的变化。
[0208]
此外，在平衡-不平衡变换器103中，第1布线由围绕轴201卷绕的金属布线701形成。第2布线由围绕轴201卷绕的金属布线702形成。第3布线由围绕轴201向与金属布线702的卷绕方向相反方向卷绕的金属布线7034形成。第4布线由围绕轴201向该相反方向卷绕的金属布线704形成。第5布线由围绕轴201向该卷绕方向卷绕的金属布线705形成。
[0209]
像这样，通过第1布线、第2布线、第3布线、第4布线以及第5布线由围绕共同的轴201卷绕的各金属布线形成的结构，能够在充分确保布线间的电磁场耦合的同时，以基板表面上的较小的占有面积来形成平衡-不平衡变换器103。
[0210]
此外，在平衡-不平衡变换器103中，金属布线701、702、7034、704以及705分别形成在与轴201交叉的面211a、214a、213a、212a以及215a。
[0211]
通过这样的结构，能够由5个布线层形成第1布线、第2布线、第3布线、第4布线以及第5布线，因此能够减小设置平衡-不平衡变换器103的基板的厚度。
[0212]
此外，在平衡-不平衡变换器103中，在对面211a进行了俯视时，金属布线701、金属布线702、金属布线7034、金属布线704和金属布线705相互一部分重叠。
[0213]
通过这样的结构，在对面211a进行了俯视时，能够在抑制平衡-不平衡变换器103所占的面积的同时，充分地确保第1布线与第2布线或者第3布线之间的电磁场耦合、第2布线与第3布线之间的电磁场耦合、以及第4布线与第5布线之间的电磁场耦合。
[0214]
此外，在平衡-不平衡变换器101中，第1布线、第2布线以及第3布线为传输线路。
[0215]
通过这样的结构，能够在无线频率信号的频带中充分地确保电磁场耦合的同时，简易地形成耦合线。
[0216]
此外，在平衡-不平衡变换器101中，第1布线、第2布线以及第3布线各自分别为绕组311、312以及313。
[0217]
像这样，通过第1布线、第2布线以及第3布线各自由能够确保较大的电感的绕组形成的结构，能够充分地确保第1布线与第2布线或者第3布线之间的电磁场耦合、以及第2布线与第3布线之间的电磁场耦合。
[0218]
另外，以上说明的各实施方式用于使本发明容易理解，并非用于限定解释本发明。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更/改良，并且在本发明中还包含其等价物。即，本领域技术人员对各实施方式适当施加设计变更的产物只要具备本发明的特征则也包含于本发明的范围。例如，各实施方式所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并非限定于例示的内容，能够适当变更。此外，各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或者组合，这是不言而喻的，它们只要包含本发明的特征则也包含于本发明的范围。
技术特征：
1.一种平衡-不平衡变换器，具备：第1布线，具有与传输平衡信号的一者的第1平衡线路连接的第1端和与传输所述平衡信号的另一者的第2平衡线路连接的第2端；第2布线，具有第1端和第2端，所述第1端被接地；第3布线，具有与所述第2布线的第2端连接的第1端和与传输不平衡信号的不平衡线路连接的第2端，并与所述第2布线电磁场耦合；第1电容器，具有与所述第3布线的第1端连接的第1端和被接地的第2端；以及第2电容器，具有与所述第3布线的第2端连接的第1端和被接地的第2端，所述第1布线与所述第2布线以及所述第3布线的至少一者电磁场耦合。2.根据权利要求1所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1布线由围绕轴卷绕的第1导电构件形成，所述第2布线由围绕所述轴卷绕的第2导电构件形成，所述第3布线由围绕所述轴向与所述第2导电构件的卷绕方向相反方向卷绕的第3导电构件形成。3.根据权利要求2所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第3导电构件的卷绕数比所述第2导电构件的卷绕数多。4.根据权利要求2或3所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1导电构件的至少一部分形成在与所述轴交叉的第1面，所述第2导电构件的至少一部分形成在与所述轴交叉的第2面，包含于所述第3导电构件的第1部分形成在与所述轴交叉的第3面。5.根据权利要求4所述的平衡-不平衡变换器，其中，包含于所述第3导电构件且与所述第1部分不同的第2部分形成在与所述轴交叉的第4面。6.根据权利要求5所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第1导电构件、所述第2导电构件、所述第1部分和所述第2部分相互至少一部分重叠。7.根据权利要求4所述的平衡-不平衡变换器，其中，包含于所述第3导电构件且与所述第1部分不同的第2部分形成在所述第3面。8.根据权利要求7所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第1导电构件和所述第1部分相互一部分重叠。9.根据权利要求7或8所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第2导电构件和所述第2部分相互一部分重叠。10.根据权利要求4所述的平衡-不平衡变换器，其中，包含于所述第3导电构件且与所述第1部分不同的第2部分形成在所述第2面。11.根据权利要求10所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第1导电构件、所述第1部分和所述第2部分相互一部分重叠。
12.根据权利要求2或3所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1导电构件的至少一部分形成在与所述轴交叉的第1面，所述第2导电构件以及所述第3导电构件形成在与所述轴交叉的第2面。13.根据权利要求12所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第1导电构件和所述第2导电构件相互一部分重叠。14.根据权利要求1或2所述的平衡-不平衡变换器，其中，还具备：第4布线，设置在所述第3布线的第2端与所述不平衡线路之间，具有与所述第3布线的第2端连接的第1端和与所述不平衡线路连接的第2端；第5布线，具有与所述第4布线的第2端连接的第1端和被接地的第2端，并与所述第4布线电磁场耦合；以及第3电容器，具有与所述第4布线的第2端连接的第1端和被接地的第2端。15.根据权利要求14所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1布线由围绕轴卷绕的第1导电构件形成，所述第2布线由围绕所述轴卷绕的第2导电构件形成，所述第3布线由围绕所述轴向与所述第2导电构件的卷绕方向相反方向卷绕的第3导电构件形成，所述第4布线由围绕所述轴向所述相反方向卷绕的第4导电构件形成，所述第5布线由围绕所述轴向所述卷绕方向卷绕的第5导电构件形成。16.根据权利要求15所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1导电构件的至少一部分、所述第2导电构件的至少一部分、所述第3导电构件的至少一部分、所述第4导电构件的至少一部分以及所述第5导电构件的至少一部分分别形成在与所述轴交叉的第1面、第2面、第3面、第4面以及第5面。17.根据权利要求16所述的平衡-不平衡变换器，其中，在沿着与所述第1面垂直的方向对所述第1面进行了俯视时，所述第1导电构件、所述第2导电构件、所述第3导电构件、所述第4导电构件和所述第5导电构件相互一部分重叠。18.根据权利要求1至13中任一项所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1布线、所述第2布线以及所述第3布线各自为传输线路。19.根据权利要求1至13中任一项所述的平衡-不平衡变换器，其中，所述第1布线、所述第2布线以及所述第3布线各自为绕组。
技术总结
本发明提供一种能够在较宽的频带中使前级的电路与后级的电路之间的阻抗良好地匹配的平衡-不平衡变换器。平衡-不平衡变换器具备：第1布线，具有与传输平衡信号的一者的第1平衡线路连接的第1端和与传输所述平衡信号的另一者的第2平衡线路连接的第2端；第2布线，具有被接地的第1端、和第2端；第3布线，具有与所述第2布线的第2端连接的第1端和与传输不平衡信号的不平衡线路连接的第2端，并与所述第2布线电磁场耦合；第1电容器，具有与所述第3布线的第1端连接的第1端和被接地的第2端；及第2电容器，具有与所述第3布线的第2端连接的第1端和被接地的第2端，所述第1布线与所述第2布线以及所述第3布线的至少一者电磁场耦合。以及所述第3布线的至少一者电磁场耦合。以及所述第3布线的至少一者电磁场耦合。
