一种存储装置及其数据保护方法与流程
1.本发明涉及数据保护领域，特别是涉及一种存储装置及其数据保护方法。
背景技术：
2.闪存存储器是一种非易失性数据存储设备，通常使用电子方法进行数据擦除和数据编程。内嵌式存储装置内设有闪存存储器，由于电源会出现供电异常的情况，例如，终端突然异常掉电行为或者系统板端供应电源模块失真，会导致内嵌式存储装置的数据读写不稳定。因此，内嵌式存储装置会由于供电异常的情况将造成数据失效与错误的问题。
技术实现要素：
3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种存储装置，能够在供电异常的情况下，对存储装置内的数据进行保护。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种存储装置，包括：至少一个闪存存储器；以及主控制器，与所述闪存存储器电性连接，所述主控制器包括：电压检测模块，用以获取所述主控制器的电源电压与所述闪存存储器的电源电压，其中，所述主控制器的电源电压表示为第一电源电压，所述闪存存储器的电源电压表示为第二电源电压；以及运算单元，用以将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式。
5.在本发明一实施例中，当所述运算单元判断所述第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或所述第二电源电压不在第二预设电压范围内时，所述主控制器启用禁止模式。
6.在本发明一实施例中，当所述运算单元判断所述第一电源电压在第一预设电压范围内且所述第二电源电压在第二预设电压范围内时，所述主控制器启用正常模式，并关闭所述禁止模式。
7.在本发明一实施例中，所述运算单元还根据第一电源电压与所述第二电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使所述主控制器启用相应的数据保护模式。
8.在本发明一实施例中，所述运算单元统计所述第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，当所述第一时间大于第一预设时间，则所述主控制器启用第一数据保护模式，所述运算单元统计所述第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间，当所述第二时间大于第二预设时间，则所述主控制器启用第二数据保护模式。
9.在本发明一实施例中，当所述运算单元判断所述主控制器启用禁止模式的时间大于第三预设时间后，控制所述主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。
10.本发明还提供一种存储装置的数据保护方法，包括：通过电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压与闪存存储器
的电源电压，其中，所述主控制器的电源电压表示为第一电源电压，所述闪存存储器的电源电压表示为第二电源电压；通过运算单元将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式。
11.在本发明一实施例中，所述将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式的步骤包括：判断所述第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时判断所述第二电源电压是否在第二预设电压范围内；当所述第一电源电压不在所述第一预设电压范围内时和/或所述第二电源电压不在所述第二预设电压范围内时，所述主控制器启用禁止模式；当所述第一电源电压在所述第一预设电压范围内且所述第二电源电压在所述第二预设电压范围内时，所述主控制器启用正常模式，并关闭所述禁止模式。
12.在本发明一实施例中，在所述电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压与闪存存储器的电源电压，分别表示为第一电源电压与第二电源电压的步骤后，还包括：统计所述第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，统计所述第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间；判断所述第一时间是否大于第一预设时间，若所述第一时间大于所述第一预设时间，则所述主控制器启用第一数据保护模式；判断所述第二时间是否大于第二预设时间，若所述第二时间大于所述第二预设时间，则所述主控制器启用第二数据保护模式。
13.在本发明一实施例中，在所述将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式的步骤后，还包括：统计所述主控制器启用禁止模式的时间，表示启用时间；判断所述启用时间是否大于所述第三预设时间；若所述启用时间小于或等于所述第三预设时间，则所述主控制器启用普通禁止模式；若所述启用时间大于所述第三预设时间，则所述主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。
14.如上所述，本发明提供一种存储装置，在供电异常的情况下，可进入禁止模式，进而能够对存储装置内的数据进行保护。
附图说明
15.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1显示为本发明的一种存储装置的结构示意图。
17.图2显示为本发明的一种存储装置的数据保护方法的流程图。
18.图3显示为图2中步骤s20的流程图。
19.图4显示为图3中步骤s30的流程图。
20.图5显示为图4中步骤s40的流程图。
21.元件标号说明：100、内嵌式存储装置；110、主控制器；111、运算单元；112、rom只读存储器；113、ram随机存储器；114、电压检测模块；120、闪存存储器；200、主处理器。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
23.请参阅图1所示，本发明提供了一种存储装置，存储装置可以包括主控制器110与至少一个闪存存储器120，主控制器110可以与闪存存储器120电性连接，进而主控制器110可以将数据写入到闪存存储器120内，或者主控制器110也可以从闪存存储器120内进行数据读取。其中，主控制器110可以包括运算单元111、rom只读存储器112、ram随机存储器113以及电压检测模块114，rom只读存储器112中的程序代码和数据可以构成固件，并由运算单元111执行，从而主控制器110可通过固件控制闪存存储器120。
24.在本发明的一个实施例中，电压检测模块114可用于每间隔预设读取时间获取主控制器110的电源电压vccq与闪存存储器120的电源电压vcc，其中，主控制器110的电源电压vccq表示为第一电源电压，闪存存储器120的电源电压vcc表示为第二电源电压。预设读取时间的大小可根据实际需求进行设定，可以为几十纳秒、几百纳秒等。
25.在本发明的一个实施例中，运算单元111可用于将第一电源电压和/或第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使主控制器110启用禁止模式。具体的，运算单元111可判断第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时运算单元111可判断第二电源电压是否在第二预设电压范围内。当运算单元111判断第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或第二电源电压不在第二预设电压范围内时，运算单元111控制主控制器110启用禁止模式。禁止模式可以表示为主控制器110禁用从主处理器200接收的所有命令或者某单一命令。当启用禁止模式后，电压检测模块114将相应的错误信息回传到运算单元111，运算单元111将错误信息传输至主处理器200。当第一电源电压在第一预设电压范围内且第二电源电压在第二预设电压范围内时，运算单元111控制主控制器110启用正常模式，并关闭禁止模式。
26.在本发明的一个实施例中，运算单元111还可用于根据第一电源电压与第二电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使主控制器110启用相应的数据保护模式。具体的，运算单元111统计第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，运算单元111统计第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间。当运算单元
111判断第一时间是否大于第一预设时间，若第一时间大于第一预设时间，则主控制器110启用第一数据保护模式。第一数据保护模式可以表示为主控制器110将ram随机存储器113的数据优先写入闪存存储器120，避免发生数据丢失或者不稳定的现象。判断第二时间是否大于第二预设时间，若第二时间大于第二预设时间，则主控制器110启用第二数据保护模式。第二数据保护模式表示为主控制器110忽略从主处理器200收到的存取命令，同时回传相应的错误信息，并将相应的错误信息传输到主处理器200。
27.在本发明的一个实施例中，运算单元111还可用于根据主控制器110启用禁止模式的时间，以使主控制器110启用不同的禁止模式。具体的，运算单元111统计主控制器110启用禁止模式的时间，表示启用时间。运算单元111判断启用时间是否大于第三预设时间。若启用时间小于或等于第三预设时间，则主控制器110启用普通禁止模式。若启用时间大于第三预设时间，则主控制器110启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。写入禁止模式可以表示为主控制器110的数据禁止写入到闪存存储器120内，同时主控制器110将相应的错误信息回传至主处理器200内。读取禁止模式可以表示为禁止主处理器200从闪存存储器120中读取数据，同时主控制器110将相应的错误信息回传至主处理器200内。
28.请参阅图2所示，本发明还提供了一种存储装置的数据保护方法，可以应用在存储装置中，例如应用在内嵌式（(embedded multi media card，emmc）存储装置100中，在供电异常的情况下，能够对内嵌式存储装置100内的数据进行保护。存储器数据的保护方法可以包括如下步骤：步骤s10、电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压vccq与闪存存储器的电源电压vcc，其中，主控制器110的电源电压vccq表示为第一电源电压，闪存存储器120的电源电压vcc表示为第二电源电压；步骤s20、将第一电源电压和/或第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使主控制器启用禁止模式；步骤s30、根据第一电源电压与第二电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使主控制器启用相应的数据保护模式；步骤s40、根据主控制器启用禁止模式的时间，以使主控制器启用不同的禁止模式。
29.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s10时，即电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压vccq与闪存存储器的电源电压vcc，分别表示为第一电源电压与第二电源电压。具体的，以内嵌式存储装置100为例进行说明，主处理器200可以通过emmc协议与内嵌式存储装置100进行访问控制。内嵌式存储装置100可包括主控制器110与闪存存储器120，主控制器110可以接受来自主处理器200的指令，以将数据通过主控制器110写入到闪存存储器120中，闪存存储器120可以用于存储数据。主控制器110可以包括运算单元111、rom只读存储器112、ram随机存储器113以及电压检测模块114。其中，rom只读存储器112中的程序代码和数据可以构成固件，并由运算单元111执行，从而主控制器110可通过固件控制闪存存储器120。电压检测模块114可以用来检测主控制器110的电源电压vccq与闪存存储器120的电源电压vcc。电压检测模块114可以每隔一个预设读取时间，分别读取主控制器110的电源电压vccq与闪存存储器120的电源电压vcc。预设读取时间的大小可根据实际需求进行设定，可以为几十纳秒、几百纳秒等。主控制器110的电源电压vccq可以表示为
第一电源电压，闪存存储器的电源电压vcc可以表示为第二电源电压。
30.请参阅图3所示，在本发明的一个实施例中，当执行步骤s20时，即将第一电源电压和/或第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使主控制器启用禁止模式。具体的，步骤s20可包括如下步骤：步骤s21、判断第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时判断第二电源电压是否在第二预设电压范围内；步骤s22、当第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或第二电源电压不在第二预设电压范围内时，主控制器启用禁止模式，其中，禁止模式表示为主控制器禁用从主处理器接收的所有命令或者某单一命令，当启用禁止模式后，电压检测模块将相应的错误信息回传到运算单元，运算单元将错误信息传输至主处理器；步骤s23、当第一电源电压在第一预设电压范围内且第二电源电压在第二预设电压范围内时，主控制器启用正常模式，并关闭禁止模式。
31.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s21时，即判断第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时判断第二电源电压是否在第二预设电压范围内。具体的，当供电异常时，第一电源电压与第二电源电压都会受到一定程度的影响，进而需要分别对第一电源电压与第二电源电压进行判断，以判断主控制器110是否需要启用禁止模式。因此需要判断第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时判断第二电源电压是否在第二预设电压范围内。其中，由于不同型号的主处理器200的电压范围是不同的，因此，第一预设电压范围可以为2.65v~3.65v，第一预设电压范围的大小可根据实际需求进行设定。由于不同品牌的闪存存储器120的电压范围也是不同的，因此，第二预设电压范围可以为2.2v~2.6v，第二预设电压范围的大小可根据实际需求进行设定。
32.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s22时，即当第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或第二电源电压不在第二预设电压范围内时，主控制器启用禁止模式。具体的，由于第一电源电压与第二电源电压都可能会出现异常，当第一电源电压出现异常时，表示主控制器110处于异常工作状态，主控制器110会启用禁止模式，当第二电源电压出现异常时，表示闪存存储器120处于异常工作状态，主控制器110也会启用禁止模式。因此，当第一电源电压不在第一预设电压范围内，第二电源电压在第二预设电压范围内时，主控制器110会启用禁止模式。或者，当第一电源电压在第一预设电压范围内，第二电源电压不在第二预设电压范围内时，主控制器110会启用禁止模式。或者，当第一电源电压不在第一预设电压范围内，第二电源电压不在第二预设电压范围内时，主控制器110会启用禁止模式。其中，禁止模式可以表示为主控制器110禁用从主处理器200接收的所有命令或者某单一命令，当主控制器110启用禁止模式后，电压检测模块114会将相应的错误信息回传到运算单元111，运算单元111可以将该错误信息传输至主处理器200。
33.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s23时，即当第一电源电压在第一预设电压范围内且第二电源电压在第二预设电压范围内时，主控制器启用正常模式，并关闭禁止模式。具体的，当第一电源电压在第一预设电压范围内时，表示主控制器110处于正常工作状态，当第二电源电压在第二预设电压范围内时，表示闪存存储器120处于正常工作状态。当主控制器110与闪存存储器120同时处于正常工作状态时，主控制器110才会处于正常模式。当主控制器110和/或闪存存储器120处于异常工作状态时，主控制器110会开启禁止模式。
由于电压检测模块114每间隔预设时间都会获取主控制器110的电源电压vccq与闪存存储器120的电源电压vcc，因此每隔预设时间，都会对主控制器110的电源电压vccq与闪存存储器120的电源电压vcc进行更新。进而可以重新判断第一电源电压是否在第一预设电压范围内，第二电源电压是否在第二预设电压范围内。当某次获取到的第一电源电压在第一预设电压范围内且第二电源电压在第二预设电压范围内，此时主控制器110会启用正常模式，并关闭禁止模式。
34.请参阅图4所示，在本发明的一个实施例中，当执行步骤s30时，即根据第一电源电压与第二电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使主控制器启用相应的数据保护模式。具体的，步骤s30可包括如下步骤：步骤s31、统计第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，统计第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间；步骤s32、判断第一时间是否大于第一预设时间，若第一时间大于第一预设时间，则主控制器启用第一数据保护模式，其中，第一数据保护模式表示为主控制器将ram随机存储器的数据优先写入闪存存储器，避免发生数据丢失或者不稳定的现象；步骤s33、判断第二时间是否大于第二预设时间，若第二时间大于第二预设时间，则主控制器启用第二数据保护模式，其中，第二数据保护模式表示为主控制器忽略从主处理器收到的存取命令，同时回传相应的错误信息，并将相应的错误信息传输到主处理器。
35.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s31时，即统计第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，统计第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间。具体的，当主控制器110启用禁止模式时，此时主控制器110的第一电源电压可能会出现异常，闪存存储器120的第二电源电压也可能会出现异常。因此，可以统计第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，可以统计第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间。其中，当主控制器110的第一电源电压未出现异常时，第一时间可以为零，当主控制器110的第一电源电压出现异常时，第一时间不为零。当闪存存储器120的第二电源电压未出现异常时，第二时间可以为零，闪存存储器120的第二电源电压出现异常时，第二时间不为零。
36.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s32时，即判断第一时间是否大于第一预设时间，若第一时间大于第一预设时间，则主控制器启用第一数据保护模式。具体的，由于供电电源可能会出现波动的情况，但是波动的时间极短，对内嵌式存储装置100造成影响前就恢复正常。因此需要预先设置一个第一预设时间，通过第一预设时间来对第一时间进行判断。判断第一时间是否大于第一预设时间，若第一时间小于或等于第一预设时间，则主控制器110不启用第一数据保护模式，此时可认为不会对内嵌式存储装置100产生影响。若第一时间大于第一预设时间，则主控制器110会启用第一数据保护模式。其中，第一数据保护模式可以表示为主控制器110将ram随机存储器113的数据优先写入闪存存储器120，避免因供电异常发生数据丢失或者不稳定的现象。
37.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s33时，即判断第二时间是否大于第二预设时间，若第二时间大于第二预设时间，则主控制器启用第二数据保护模式。具体的，由于供电电源可能会出现波动的情况，但是波动的时间极短，对内嵌式存储装置100造成影响前就恢复正常。因此需要预先设置一个第二预设时间，通过第二预设时间来对第二时间进行判
断。判断第二时间是否大于第二预设时间，若第二时间小于或等于第二预设时间，则主控制器110不启用第二数据保护模式，此时可认为不会对内嵌式存储装置100产生影响。若第二时间大于第二预设时间，则主控制器110会启用第二数据保护模式。其中，第二数据保护模式可以表示为主控制器110忽略从主处理器200收到的存取命令，同时回传相应的错误信息，并将相应的错误信息传输到主处理器200。
38.在本发明的一个实施例中，当第一时间大于第一预设时间，而第二时间小于或等于第二预设时间时，此时主控制器110仅启用第一数据保护模式。当第一时间小于或等于第一预设时间，而第二时间大于第二预设时间时，此时主控制器110仅启用第二数据保护模式。只有当第一时间大于第一预设时间，且第二时间大于第二预设时间时，此时主控制器110同时启用第一数据保护模式与第二数据保护模式。当然，当第一电源电压在第一预设电压范围内且第二电源电压在第二预设电压范围内，此时主控制器110会启用正常模式，并关闭第一数据保护模式和/或第二数据保护模式。第一预设时间可以为几微秒，也可以为几十微秒，还可以为几百微秒。第二预设时间可以为几微秒，也可以为几十微秒，还可以为几百微秒。第一预设时间与第二预设时间的大小可相同，也可不相同，可根据实际需求进行设定。第一预设时间大于预设间隔时间，第二预设时间也大于预设间隔时间。
39.请参阅图5所示，在本发明的一个实施例中，当执行步骤s40时，即根据主控制器启用禁止模式的时间，以使主控制器启用不同的禁止模式。具体的，步骤s40可包括如下步骤：步骤s41、统计主控制器启用禁止模式的时间，表示启用时间；步骤s42、判断启用时间是否大于第三预设时间；步骤s43、若启用时间小于或等于第三预设时间，则主控制器启用普通禁止模式；步骤s44、若启用时间大于第三预设时间，则主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。
40.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s41时，即统计主控制器启用禁止模式的时间，表示启用时间。具体的，当第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或第二电源电压不在第二预设电压范围内时，此时主控制器110启用禁止模式。由于禁止模式可以进一步分为普通禁止模式、读取禁止模式以及写入禁止模式，随着电压异常时间的增加，需要使主控制器110启用不同的禁止模式，以对相应的数据进行保护。因此需要统计主控制器110启用禁止模式的时间，表示启用时间，以便于后续对其进行判断。
41.在本发明的一个实施例中，当执行步骤s42、步骤s43及步骤s44时，即判断启用时间是否大于第三预设时间，若启用时间小于或等于第三预设时间，则主控制器启用普通禁止模式，若启用时间大于第三预设时间，则主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。具体的，可以通过预设一个第三预设时间，将启用时间与第三预设时间进行比较，根据比较结果，进而使主控制器110启用不同的禁止模式，以对相应的数据进行保护。例如，当启用时间小于或等于第三预设时间时，主控制器110可以启用普通禁止模式。当启用时间大于第三预设时间时，主控制器110可以启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。第三预设时间可以为1秒，也可以为2秒、3秒等，或者，第三预设时间还可以为1毫秒，也可以为2毫秒、3毫秒等。第三预设时间可以在毫秒到秒的范围之间，具体大小可根据实际需求进行设定。当启用时间大于第三预设时间时，主控制器110可以仅启用读取禁止模式，主控制器110也可以仅启用写入禁止模式，主控制器110还可以同时启用读取禁止模式和写入禁止模式。当闪存
存储器120的电源电压vcc异常时，主控制器110可以启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。当主控制器110的电源电压vccq异常时，主控制器110也可以启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。例如，当闪存存储器120的电源电压vcc异常时，主控制器110可以启用写入禁止模式，当主控制器110的电源电压vccq异常时，主控制器110可以启用读取禁止模式。或者，当闪存存储器120的电源电压vcc异常时，主控制器110可以启用读取禁止模式和写入禁止模式，当主控制器110的电源电压vccq异常时，主控制器110可以启用读取禁止模式。普通禁止模式可以表示为主控制器110禁用从主处理器200接收的所有命令或者某单一命令，当启用普通禁止模式后，电压检测模块114将相应的错误信息回传到运算单元111，运算单元111将错误信息传输至主处理器200。写入禁止模式可以表示为主控制器110的数据禁止写入到闪存存储器120内，同时主控制器110将相应的错误信息回传至主处理器200内。读取禁止模式可以表示为禁止主处理器200从闪存存储器120中读取数据，同时主控制器110将相应的错误信息回传至主处理器200内。
42.可见，在上述方案中，针对在供电异常的情况下，可进入不同的保护模式，进而能够对存储装置内的数据进行保护。可以根据相应的电源电压与预测范围进行比较，进而确定数据是否需要读取，当电源电压超出预定范围时，执行禁止模式且可忽略从主处理器下发的从闪存存储器的读取数据命令。可以根据相应的电源电压与预测范围进行比较，进而确定数据是否需要接收，当电源电压超出预定范围时，执行禁止模式且可忽略从主处理器写入到闪存存储器的写入数据命令。可以根据相应的电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使主控制器启用相应的数据保护模式。
43.应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
44.在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
45.以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
技术特征：
1.一种存储装置，其特征在于，包括：至少一个闪存存储器；以及主控制器，与所述闪存存储器电性连接，所述主控制器包括：电压检测模块，用以获取所述主控制器的电源电压与所述闪存存储器的电源电压，其中，所述主控制器的电源电压表示为第一电源电压，所述闪存存储器的电源电压表示为第二电源电压；以及运算单元，用以将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，当所述运算单元判断所述第一电源电压不在第一预设电压范围内时和/或所述第二电源电压不在第二预设电压范围内时，所述主控制器启用禁止模式。3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，当所述运算单元判断所述第一电源电压在第一预设电压范围内且所述第二电源电压在第二预设电压范围内时，所述主控制器启用正常模式，并关闭所述禁止模式。4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述运算单元还根据第一电源电压与所述第二电源电压超出相应的预设电压范围的时间，以使所述主控制器启用相应的数据保护模式。5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，所述运算单元统计所述第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，当所述第一时间大于第一预设时间，则所述主控制器启用第一数据保护模式，所述运算单元统计所述第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间，当所述第二时间大于第二预设时间，则所述主控制器启用第二数据保护模式。6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，当所述运算单元判断所述主控制器启用禁止模式的时间大于第三预设时间后，控制所述主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。7.一种存储装置的数据保护方法，其特征在于，包括：通过电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压与闪存存储器的电源电压，其中，所述主控制器的电源电压表示为第一电源电压，所述闪存存储器的电源电压表示为第二电源电压；通过运算单元将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式。8.根据权利要求7所述的存储装置的数据保护方法，其特征在于，所述将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式的步骤包括：判断所述第一电源电压是否在第一预设电压范围内，同时判断所述第二电源电压是否在第二预设电压范围内；当所述第一电源电压不在所述第一预设电压范围内时和/或所述第二电源电压不在所述第二预设电压范围内时，所述主控制器启用禁止模式；当所述第一电源电压在所述第一预设电压范围内且所述第二电源电压在所述第二预
设电压范围内时，所述主控制器启用正常模式，并关闭所述禁止模式。9.根据权利要求7所述的存储装置的数据保护方法，其特征在于，在所述电压检测模块每间隔预设读取时间获取主控制器的电源电压与闪存存储器的电源电压，分别表示为第一电源电压与第二电源电压的步骤后，还包括：统计所述第一电源电压超出第一预设电压范围的时间，表示为第一时间，统计所述第二电源电压超出第二预设电压范围的时间，表示为第二时间；判断所述第一时间是否大于第一预设时间，若所述第一时间大于所述第一预设时间，则所述主控制器启用第一数据保护模式；判断所述第二时间是否大于第二预设时间，若所述第二时间大于所述第二预设时间，则所述主控制器启用第二数据保护模式。10.根据权利要求7所述的存储装置的数据保护方法，其特征在于，在所述将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式的步骤后，还包括：统计所述主控制器启用禁止模式的时间，表示启用时间；判断所述启用时间是否大于第三预设时间；若所述启用时间小于或等于所述第三预设时间，则所述主控制器启用普通禁止模式；若所述启用时间大于所述第三预设时间，则所述主控制器启用读取禁止模式和/或写入禁止模式。
技术总结
本发明提供一种存储装置及其数据保护方法，包括：至少一个闪存存储器；以及主控制器，与所述闪存存储器电性连接，所述主控制器包括：电压检测模块，用以获取所述主控制器的电源电压与所述闪存存储器的电源电压，其中，所述主控制器的电源电压表示为第一电源电压，所述闪存存储器的电源电压表示为第二电源电压；以及运算单元，用以将所述第一电源电压和/或所述第二电源电压与相应的预设电压范围进行比较，以使所述主控制器启用禁止模式。通过本发明公开的一种存储装置及其数据保护方法，能够在供电异常的情况下，对内嵌式存储装置内的数据进行保护。数据进行保护。数据进行保护。
