超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置与流程
1.本技术涉及雾化技术领域，特别是涉及一种超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置。
背景技术：
2.电子雾化装置中常采用超声雾化片来雾化气溶胶基质，超声雾化片通过高频振动将液体的气溶胶基质雾化成气溶胶。
3.但是，采用超声雾化片的电子雾化装置在经过一段时间放置后，其初始时间段的雾化量会偏低，并会持续较长的一段时间，随后才会恢复正常的雾化量。即电子雾化装置的冷态雾化和热态雾化下所产生的雾化量的一致性较差，以上现象影响用户抽吸体验。
4.同时，超声雾化片包含压电陶瓷件，瞬时变化过大的功率或电压将会降低其寿命，也易导致超声雾化片性能降低、陶瓷开裂以及雾化量降低等。
技术实现要素：
5.本技术主要提供一种超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置，以解决电子雾化装置的冷态雾化和热态雾化下所产生的雾化量的一致性较差的问题。
6.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种超声雾化方法。所述超声雾化方法包括：记录前一次雾化结束时的第一时间；计算当前雾化开始时的第二时间与所述第一时间的差值；响应于所述差值小于等于预设时间差值，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率；或者响应于所述差值大于所述预设时间差值，在所述第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率，其中所述第二功率大于所述第一功率。
7.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种存储介质。该存储介质上存储有程序数据，所述程序数据被处理器执行时实现如上述的超声雾化方法。
8.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种电子雾化装置。所述电子雾化装置包括超声雾化片、处理器和存储器，所述处理器连接所述存储器和所述超声雾化片，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如权利要求1-8任一项所述超声雾化方法的步骤。
9.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术公开了一种超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置。通过计算当前雾化开始时的第二时间和前一次雾化结束时的第一时间之间的差值，并比较该差值与预设时间差值的大小关系，以分辨当前超声雾化片的雾化状态属于热态雾化还是冷态雾化，热态雾化时，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率，进而可在保证产生气溶胶的及时性的前提下，降低对超声雾化片的功率及电压冲击，以提其使用寿命；冷态雾化时，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率，第二功率大于第一功率，既可在保证产生气溶胶的及时性的前提下降低对超声雾化片的功率及电压冲击，还通过增强雾化功率，以加大产生振动强度，使得超声雾
化片表面附着的气溶胶基质受振动增强，进而加速打散处于静置状态下的气溶胶基质，从而降低其粘度和表面张力，使得气溶胶基质更有利于被雾化，进而可提升冷态下的雾化效率，以保持冷态下单位时间所产生的气溶胶雾化量具有与热态下的气溶胶雾化量较好的一致性。
附图说明
10.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
11.图1是本技术提供的超声雾化方法一实施例的流程示意图；
12.图2是本技术提供的电子雾化装置一实施例的结构示意图；
13.图3是本技术提供的存储介质一实施例的结构示意图；
14.图4是本技术提供的电子雾化装置另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
15.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
16.本技术实施例中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
17.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
18.本技术提供一种电子雾化装置的超声雾化方法，参阅图1，图1是本技术提供的超声雾化方法的流程示意图。
19.步骤10：记录前一次雾化结束时的第一时间t0。
20.电子雾化装置100的一次作业过程是一个持续的时间段，例如用户使用该电子雾化装置100，在其使用时，电子雾化装置100进行作业，即电子雾化装置100内的超声雾化器进行雾化作业，该雾化作业需持续一段时间，因而每一次雾化结束时的第一时间t0都会被记录，但最新完成一次的雾化过程的第一时间t0会覆盖掉之前的第一时间t0。
21.前一次雾化结束时的第一时间t0被记录下，以作为下一次进行雾化时的时间参考
点。
22.参阅图2，图2是本技术提供的电子雾化装置的结构示意图。本实施例中，该电子雾化装置100包括外壳101、超声雾化片102、电芯103和控制器件104，其中超声雾化片102、电芯103和控制器件104均设置于外壳101内，控制器件104电连接超声雾化片102和电芯103，并用于调控超声雾化片102工作，控制器件104可以包括电路板、存储器和处理器，存储器和处理器均连接于电路板上，且电路板还电连接雾化片102和电芯103，存储器可用于存储数据程序，处理器用于执行该数据程序以调控超声雾化片102工作，其中超声雾化片102用于通过超声雾化技术雾化液态的气溶胶基质。其中，外壳101设置有储液腔105，储液腔105用于存储待雾化的液态气溶胶基质。雾化片102与储液腔105之间还设置有导液体106，导液体106用于将气溶胶基质导向雾化片102的雾化面。导液体106通常为多孔结构的材料，如多孔陶瓷、多孔海绵、棉芯、多孔基板等；其利用孔隙的毛细作用将气溶胶基质导向雾化片102的雾化面。
23.发明人研究发现，该电子雾化装置100的雾化状态可划分为冷态雾化和热态雾化，在冷态雾化和热态雾化采用相同的雾化功率所获得的雾化生成的气溶胶的量具有极大地差异，雾化量的一致性较差。
24.其中，冷态雾化和热态雾化可由该电子雾化装置100前后两次开启雾化的间隔时长而定。
25.发明人分析认为，冷态雾化为前后两次雾化时的间隔时长超过一定时间后，超声雾化片102表面的积聚了较大量的气溶胶基质，较大量的气溶胶基质具有较高的粘度和较大的表面张力，且超声雾化片102表面积聚的气溶胶基质的体积和厚度也较大，导致不易雾化，阻碍了超声雾化的效果，进而前几次雾化时产生的气溶胶量偏低，此状态下的超声雾化可称作冷态雾化；如果采用与热态雾化相同的雾化功率，需要较长的时间才能将超声雾化片102表面的厚液膜经过雾化降低为正常状态下的液膜，正常状态下的液膜也可以称之为热态雾化下的液膜。
26.热态雾化为前后两次雾化时的间隔时长未超过一定时间，即间隔时长较短，则超声雾化片102积聚的气溶胶基质量较少，其体积和厚度也较小，易于雾化，在此状态下相同雾化功率所产生的气溶胶量较多。
27.举例说明，用户以大致每30s一次的频率连续使用该电子雾化装置100，在间隔的30s时间内，超声雾化片102积聚的气溶胶基质量较少，液膜厚度小，超声雾化片102处于热态雾化；用户使用该电子雾化装置100后，在间隔较长时间段后再次使用该电子雾化装置100，例如间隔10分钟或20分钟等，而在这段时长内，超声雾化片102上积聚的气溶胶基质量较大，液膜厚度大，再次使用该电子雾化装置100时，超声雾化片102处于冷态雾化。
28.需要说明的是，冷态雾化经一段时长后，可使得超声雾化片102上的积聚的气溶胶基质量减少，即液膜厚度减薄，而逐渐过渡到热态雾化。
29.针对上述现象，发明人认为可以采用的一种方案是外加加热体同步对气溶胶基质加热预热，以降低聚集于超声雾化片102上气溶胶的粘度和表面张力，从而达到改善冷态雾化时雾化量少的问题，以提升电子雾化装置100在冷态雾化和热态雾化下雾化量的一致性。然而，采用该方案会增加预热组件，造成结构复杂、成本提高。同时，预热的方式对于温度敏感的气溶胶基质并不适用。
30.如图2所示，该电子雾化装置100在超声雾化片102周围或外壳101等位置均未设有外加加热体，本技术采用另一技术手段来改善上述问题。
31.本技术通过记录前一次雾化结束时的第一时间t0，以作为下一次进行雾化时的时间参考点，来判断该电子雾化装置100的当前雾化状态是热态雾化还是冷态雾化。
32.步骤20：计算当前雾化开始时的第二时间t1与第一时间t0的差值δt1。
33.换言之，记录下用户当下使用电子雾化装置100进行雾化时的第二时间t1，并计算第二时间t1与第一时间t0的差值δt1。
34.可以理解的，雾化结束后，超声雾化片102随着间隔时间的延长，其上聚集的气溶胶基质量越大，液膜越厚，较大量的气溶胶基质具有较高的粘度和较大的表面张力，在一定时间后，导致再次雾化时雾化效率较低，所产生的雾化量也较少。
35.因而可通过第二时间t1和第一时间t0的差值δt1，来判断该电子雾化装置的当前雾化状态是热态雾化还是冷态雾化。
36.步骤30：响应于差值δt1小于等于预设时间差值t1，在第一预设时长δt内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率p0。
37.其中，预设时间差值t1为判断电子雾化装置的当前雾化状态是热态雾化还是冷态雾化的分界线，其可通过对大量的试验数据观测并结合雾化效率和前后两次雾化过程的间隔时长的变化而得到。
38.本技术中，预设时间差值t1大于等于360s且小于等于720s，在电子雾化装置100停止作业且经预设时间差值t
t
后，超声雾化片102自身所附着的气溶胶基质量较多，液膜厚度较厚，且较大量的气溶胶基质的粘度及表面张力也较大，使得再次雾化时，初始雾化的雾化效率较低，单位时间所产生的雾化量较小。
39.可选地，预设时间差值t1可以为360s、400s、440s、480s、520s、560s、600s、640s、680s或720s，本技术对此不作具体限定。
40.差值δt1小于等于预设时间差值t1，则判定该电子雾化装置100的当前雾化状态是热态雾化，热态雾化过程的雾化效率较高，即电子雾化装置100启动雾化时即可获得较高的雾化效率。
41.可以理解的，超声雾化片102包含有压电陶瓷件，其受过大或过快的功率或电压冲击会降低其使用寿命，且易导致超声雾化片102的性能降低和陶瓷开裂，致使其雾化效率及所产生的雾化量均会降低。
42.市面上现行的电子雾化装置其启动雾化时，常以恒定的功率运行超声雾化片102，即在启动雾化时，雾化功率直接由零跳变为预设的雾化功率，使得超声雾化片102瞬间承受的雾化功率变化过大，易导致其使用寿命降低。
43.本技术中，通过在第一预设时长δt内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率p0，以避免超声雾化片102瞬间承受的雾化功率变化过大，进而可降低对超声雾化片102的功率及电压冲击，提升其使用寿命，并在之后的雾化过程中保持以第一功率p0运行，第一功率p0为电子雾化装置100在热态下的额定雾化功率。
44.第一预设时长δt大于等于10ms且小于等于100ms，以提升电子雾化装置产生气溶胶的及时性，即通过上述方式，本技术可在保证产生气溶胶的及时性的前提下，降低对超声雾化片102的功率及电压冲击，以提其使用寿命。换言之，该方式可兼具产生气溶胶的及时
性和对超声雾化片102的友好性，能有效地提升电子雾化装置100的性能和品质，降低其故障率，提升其使用寿命。
45.第一预设时长δt可以是10ms、20ms、30ms、40ms、50ms、60ms、70ms、80ms、90ms或100ms，其可以综合考虑电子雾化装置100的各种使用条件而确定，本技术对其具体取值不作限制。
46.在第一预设时长δt内，雾化功率可以从零提升至第一功率p0，雾化功率也可以从某一功率值提升至第一功率p0；雾化功率逐渐提升至预设的第一功率p0的过程中，其可以是线性变化的，其也可以是非线性变化的。
47.本实施例中，在第一预设时长δt内将雾化功率从零线性提升至预设的第一功率p0，即第一预设时长δt初始时刻，雾化功率为零，在第一预设时长δt的结束时刻，雾化功率为第一功率p0，且通过限定雾化功率从零线性提升，使得超声雾化片102的雾化功率在这一过程中是渐变的，可避免其遭受瞬时功率或电压变动过大造成的冲击。
48.可选地，在第一预设时长δt内将雾化功率从初始功率线性提升至预设的第一功率p0，其中初始功率小于第一功率p0，初始功率与第一功率p0的比值可以大于等于0.1且小于等于0.3，例如初始功率与第一功率p0的比值可以为0.1、0.2或0.3。通过设置较小的初始功率，且限定雾化功率从初始功率线性提升至第一功率p0，以避免超声雾化片102受瞬时功率或电压变动过大造成的冲击。
49.步骤40：响应于差值δt1大于预设时间差值t1，在第一预设时长δt内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率p1。
50.差值δt1大于预设时间差值t1，则判定该电子雾化装置100的当前雾化状态是冷态雾化，冷态雾化起始时的雾化效率较低，电子雾化装置100启动雾化时所产生的雾化量较小。
51.通过在在第一预设时长δt内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率p1，其中第二功率p1大于第一功率p0，既可在保证产生气溶胶的及时性的前提下降低对超声雾化片102的功率及电压冲击，还通过增强雾化功率，以加大产生振动强度，使得超声雾化片102表面附着的气溶胶基质受振动增强，进而加速打散处于静置状态下的气溶胶基质，从而降低快速降低雾化片102雾化面上的液膜厚度，使得气溶胶基质更有利于被雾化，进而可提升冷态下的雾化效率，以保持冷态下单位时间所产生的气溶胶雾化量具有与热态下的气溶胶雾化量较好的一致性，即通过上述方式，可使得冷态下单位时间所产生的气溶胶雾化量较接近热态下的气溶胶雾化量。
52.本技术中，第二功率p1与第一功率p0的比值大于等于1.2且小于等于2.0。第二功率p1在该范围时，雾化功率逐渐提升至第二功率p1，可高效地加速打散处于静置状态下的气溶胶基质，降低气溶胶基质粘度和表面张力，使得气溶胶基质更有利于被雾化。
53.第二功率p1与第一功率p0的比值可以是1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9或2.0等，其可基于气溶胶基质的性质等条件确定，本技术对此不作具体限定。
54.在第一预设时长δt内，雾化功率可以从零提升至第二功率p1，雾化功率也可以从某一功率值提升至第二功率p1；雾化功率逐渐提升至预设的第二功率p1的过程中，其可以是线性变化的，其也可以是非线性变化的。
55.本实施例中，在第一预设时长δt内将雾化功率从零线性提升至预设的第二功率
p1，即第一预设时长δt初始时刻，雾化功率为零，在第一预设时长δt的结束时刻，雾化功率为第二功率p1。
56.进一步地，步骤40之后，该超声雾化方法还包括：
57.步骤50：以第二功率p1运行第二预设时长δt1后，将第二功率p1逐渐下调至第一功率p0。
58.冷态雾化时，在第一预设时长δt后，继续保持以第二功率p1运行第二预设时长δt1，以进一步地强化加速打散气溶胶基质，快速降低气溶胶基质的液膜厚度，使得气溶胶基质更有利于被雾化，并在运行第二预设时长δt1后，可认为雾化状态由冷态雾化转变成了热态雾化，气溶胶基质已被充分打散，其粘度和表面张力得到有效地降低，超声雾化片102表面聚集的液膜的厚度也恢复到正常，因而此后采用第一功率p0继续雾化即可，因而既能够保持高效地雾化效率又能够减小能量浪费，可有效地提升电子雾化装置100的能效比。
59.其中，第二预设时长δt1可以是预设的定时长，也可以基于条件变化而确定的时长。
60.本技术中，第二预设时长δt1的大小与差值δt1和预设时间差值t1之差呈正相关，即差值δt1和预设时间差值t1之差的值越大，则第二预设时长δt1的值也越大，它们之间的关系可以是线性的，也可以是非线性的。
61.通过限定第二预设时长δt1的大小与差值δt1和预设时间差值t1之差呈正相关，以补偿前后两次雾化过程之间的不同时间间隔下，超声雾化片102表面所聚集的气溶胶基质量的不同，从而即可充分打散气溶胶基质，提升其的可雾化性，也可更高效地利用能源。
62.可以理解的，前后两次雾化过程之间间隔的时长越长，则超声雾化片102表面所聚集的气溶胶基质量越多，采用超声雾化技术充分打散气溶胶基质的时长就需要时长。
63.本实施例中，采用以下公式进行计算第二预设时长δt1：
64.δt1＝k
×
(δt
1-t1)
65.其中，δt1为第二预设时长，其单位为ms；δt1为第二时间t1与第一时间t0的差值，t1为预设时间差值，δt1和t1的单位均为s；k为时间系数。
66.时间系数k可基于大量试验数据分析获得，其可以是一定值，其也可以基于差值δt1和预设时间差值t1之差所处时间段进行取值，例如将超过预设时间差值t1之后的时间进行分段，差值δt1和预设时间差值t1之差所处时间段越靠后，则时间系数k的取值可以越大。
67.例如，差值δt1为800s，预设时间差值t1为600s，取时间系数k为4，则第二预设时长δt1＝4
×
(800-600)＝800ms。
68.采用如上述方式中的超声雾化方法，在增强功率模式下冷态雾化所获得的气溶胶雾化量数据统计如下：
69.样机编号1#2#3#雾化量(mg/口)5.54.65.3
70.而普通功率模式下冷态雾化所获得的气溶胶雾化量数据统计如下：
71.样机编号1#2#3#雾化量(mg/口)1.61.91.7
72.可以看到，加入增强功率模式后，电子雾化装置100在冷态下的雾化量得到明显提高，和热态雾化量(约6mg/口)之间的偏差得到显著地缩小，提高了电子雾化装置100在冷态
和热态下雾化量的一致性。
73.参阅图3，图3是本技术提供的存储介质的一实施例的结构示意图。
74.该存储介质60存储有程序数据61，程序数据61在被处理器执行时，实现如图1所描述的超声雾化方法。
75.该程序数据61存储于一个存储介质60中，包括若干指令用于使得一台计算机设备(可以路由器、个人计算机、服务器等计算机设备)或处理器执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
76.可选的，存储介质60可以为u盘、移动硬盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、磁盘或者光盘等各种可以存储程序数据61的介质。
77.参阅图4，图4是本技术提供的电子雾化装置另一实施例的结构示意图。
78.该电子雾化装置70包括超声雾化片73、处理器72和存储器71，处理器72连接超声雾化片73和存储器71，存储器71存储有计算机程序，处理器72执行该计算机程序时，实现如图1所描述的超声雾化方法；其中超声雾化片73用于通过超声雾化技术雾化气溶胶基质，处理器72控制超声雾化片73实现如上述的超声雾化方法。
79.区别于现有技术的情况，本技术公开了一种超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置。通过计算当前雾化开始时的第二时间和前一次雾化结束时的第一时间之间的差值，并比较该差值与预设时间差值的大小关系，以分辨当前超声雾化片的雾化状态属于热态雾化还是冷态雾化，热态雾化时，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率，进而可在保证产生气溶胶的及时性的前提下，降低对超声雾化片的功率及电压冲击，以提其使用寿命；冷态雾化时，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率，第二功率大于第一功率，既可在保证产生气溶胶的及时性的前提下降低对超声雾化片的功率及电压冲击，还通过增强雾化功率，以加大产生振动强度，使得超声雾化片表面附着的气溶胶基质受振动增强，进而加速打散处于静置状态下的气溶胶基质，从而降低其粘度和表面张力，使得气溶胶基质更有利于被雾化，进而可提升冷态下的雾化效率，以保持冷态下单位时间所产生的气溶胶雾化量具有与热态下的气溶胶雾化量较好的一致性。
80.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于存储介质实施例及电子装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
81.本技术可用于众多通用或专用的计算系统环境或配置中。例如：个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器系统、基于微处理器的系统、置顶盒、可编程的消费电子设备、网络pc、小型计算机、大型计算机、包括以上任何系统或设备的分布式计算环境等等。
82.在本技术所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的方法以及设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
83.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个
网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
84.另外，在本技术各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
85.以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
技术特征：
1.一种超声雾化方法，其特征在于，所述超声雾化方法包括：记录前一次雾化结束时的第一时间；计算当前雾化开始时的第二时间与所述第一时间的差值；响应于所述差值小于等于预设时间差值，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率；或者，响应于所述差值大于所述预设时间差值，在所述第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率，其中所述第二功率大于所述第一功率。2.根据权利要求1所述的超声雾化方法，其特征在于，所述响应于所述差值大于所述预设时间差值，在所述预设时间内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率的步骤之后，还包括：以所述第二功率运行第二预设时长后，将所述第二功率逐渐下调至所述第一功率。3.根据权利要求2所述的超声雾化方法，其特征在于，所述第二预设时长的大小与所述差值和所述预设时间差值之差呈正相关。4.根据权利要求3所述的超声雾化方法，其特征在于，采用以下公式进行计算所述第二预设时长：δt1＝k
×
(δt
1-t1)其中，所述δt1为第二预设时长；δt1为所述第二时间与所述第一时间的差值，t1为所述预设时间差值；k为时间系数。5.根据权利要求1所述的超声雾化方法，其特征在于，所述第一预设时长大于等于10ms且小于等于100ms。6.根据权利要求1所述的超声雾化方法，其特征在于，所述第二功率与所述第一功率的比值大于等于1.2且小于等于2.0。7.根据权利要求1所述的超声雾化方法，其特征在于，所述预设时间差值大于等于360s且小于等于720s。8.根据权利要求1所述的超声雾化方法，其特征在于，所述在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率的步骤，包括：在所述第一预设时长内将雾化功率从零线性提升至预设的所述第一功率；或者，所述在所述第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率的步骤，包括：在所述第一预设时长内将雾化功率从零线性提升至预设的所述第二功率。9.一种存储介质，其上存储有程序数据，其特征在于，所述程序数据被处理器执行时实现如权利要求1-8任一项所述超声雾化方法的步骤。10.一种电子雾化装置，其特征在于，包括超声雾化片、处理器和存储器，所述处理器连接所述存储器和所述超声雾化片，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如权利要求1-8任一项所述超声雾化方法的步骤。
技术总结
本申请公开了一种超声雾化方法、存储介质及电子雾化装置。该超声雾化方法包括：记录前一次雾化结束时的第一时间；计算当前雾化开始时的第二时间与第一时间的差值；响应于差值小于等于预设时间差值，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第一功率；或者，响应于差值大于预设时间差值，在第一预设时长内将雾化功率逐渐提升至预设的第二功率，其中第二功率大于第一功率。通过上述方式，本申请提供的超声雾化方法能够使得超声雾化片的冷态雾化和热态雾化下所产生的雾化量的一致性较好。和热态雾化下所产生的雾化量的一致性较好。和热态雾化下所产生的雾化量的一致性较好。
