制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法与流程
1.本公开涉及制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法。
背景技术：
2.电子工业经历了对更小和更快的电子设备的不断增长的需求，以支持更多数量的日益复杂和精密的功能。因此，在半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率的集成电路(integrated circuit，ic)的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体ic尺寸(例如，最小特征尺寸)并且从而提高生产效率并降低相关成本来实现的。然而，这种缩小也增加了半导体制造工艺的复杂性。因此，实现半导体ic和器件的持续进步需要半导体制造工艺和技术的类似进步。
3.仅作为一个示例，通过使用一种或多种分辨率增强技术(resolution enhancement technology，ret)(例如，相移掩模(phase shift mask，psm)、离轴照明(off-axis illumination，oai)、光学邻近校正(optical proximity correction，opc)、以及在设计布局中插入亚分辨率辅助特征(sub-resolution assist feature，sraf))来扩展给定光刻代的可用分辨率，已经实现了ic尺寸的缩小。已经提出了几种sraf插入或放置技术。其中一些是基于规则的，具有相对较短的周转时间，但是准确性远非理想。其中一些使用多次掩模优化迭代来实现出的准确性，但是每次sraf插入练习需要很长时间。因此，现有技术不能证明在所有方面都完全令人满意。
技术实现要素：
4.根据本公开的第一方面，提供了一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；通过对所述原始图案执行光学邻近校正，来获得经修改的原始图案；获得相对于所述经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，所述sraf种子图指示图像质量通过sraf图案被改进的位置；在所述原始图案周围放置sraf图案；输出所述sraf图案和所述经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用所述掩模数据来制造所述光掩模。
5.根据本公开的第二方面，提供了一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；输出所述sraf图案和所述原始图案作为掩模数据；使用所述掩模数据来制造所述光掩模；以及使用所述光掩模通过光刻来形成抗蚀剂图案。
6.根据本公开的第三方面，提供了一种用于制造光掩模的装置，包括：处理器；以及非暂态计算机可读存储介质，存储有程序，其中：所述程序在由所述处理器执行时，使得所述处理器执行下列操作：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；以及输出所述sraf图案和所述原始图
案作为掩模数据。
附图说明
7.在结合附图阅读时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。
8.图1是根据本公开的各个方面的曝光工具的组件的示意图。
9.图2是根据本公开的各个方面的制造光掩模的方法的实施例的流程图。
10.图3是根据本公开的各个方面的曝光工具的组件的示意图。
11.图4a和图4b示出了根据本公开的各种实施例的掩模图案的示例。
12.图5a、图5b、图5c和图5d示出了根据本公开的各种实施例的获得sraf种子图的示意图。
13.图6a、图6b、图6c和图6d示出了根据本公开的实施例的经计算的sraf种子图和sraf图案。
14.图7a、图7b、图7c和图7d示出了根据本公开的各种实施例的经计算的sraf图案。
15.图8a示出了制造半导体器件的方法的流程图，并且图8b、图8c、图8d、图8e和图8f示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的顺序制造操作。
16.图9a和图9b示出了根据本公开的一些实施例的用于制造用于半导体电路的光刻掩模的装置。
具体实施方式
17.以下公开提供了用于实现所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是示例而不意图是限制性的。例如，在下面的说明中，在第二特征上或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开在各个示例中可重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简单性和清楚性的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
18.本文中可以使用空间相关术语(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可被相应地解释。在本公开中，a和b中的一者意味着a、b、或a和b，并且除非另有说明，不意味着来自a的一者和来自b的一者。
19.本公开总体上涉及制造用于半导体器件制造的光掩模的方法和制造半导体器件的方法，以及掩模模拟方法、模拟装置和模拟程序。更具体地，本公开涉及用于生成用于亚分辨率辅助特征(sraf)放置的sraf种子图的方法。sraf是掩模特征，这些掩模特征小到在光刻工艺中不能被印刷在衬底(晶圆)之上(即，低于光刻装置的分辨率极限)，但是能被成形并放置在掩模上以提高在衬底之上的光刻图像的质量。用于确定sraf的形状和位置的方
法受到高度关注。关于sraf的放置，已经提出了几种sraf放置技术。例如，sraf放置技术之一是基于规则的sraf放置方法。在该方法中，获得大量测试图案和相应的晶圆图像以填充经验数据，并对经验数据进行研究和分析以建立规则。然后根据这类规则将sraf放置在掩模上。因为sraf是基于规则表放置的，所以周转时间很短。然而，因为测试模式可能不代表实际模式，所以基于规则的sraf放置技术可能会具有不令人满意的准确性。
20.另一种sraf放置技术是推理映射光刻(inference mapping lithography，iml)。现实世界的曝光工具使用部分相干辐射源，并且可以通过对透射交叉系数(transmission cross coefficient，tcc)执行分解，将部分相干分解为相干系统(sum of coherent system，socs)之和。在光学物理方面，tcc表示曝光工具的辐射源与曝光工具的投影光瞳的自相关。因此，tcc是曝光工具的成像能力的数学表示，其包括曝光工具的各种曝光条件的集合。tcc可以分解为一组特征函数(φ)和一组特征值(λ)。iml仅考虑tcc的一阶特征函数来确定sraf放置。因为iml中仅包括一阶特征函数，所以可能无法充分考虑曝光工具的曝光条件的影响，并且准确性可能不太令人满意。
21.又一种sraf放置技术被称为逆光刻技术(inverse lithography technology，ilt)。ilt之所以得名，是因为它以相反的方式进行光刻。替代基于给定掩模设计来计算航拍图像(aerial image)，ilt计算生成目标航拍图像所需的掩模设计。虽然ilt可能具有更高的准确性，但是其周转时间可能过长且难以处理。在某些情况下，ilt可能需要完成基于规则的sraf放置流程所需时间的300倍以上。这就是为什么ilt目前主要用于执行掩模的点状修复(spot repair)。
22.本公开提出了半导体器件制造的方法，其中sraf的放置包括更好地考虑曝光工具的曝光条件和由于掩模3d效应引起的影响。根据本公开的实施例的方法考虑曝光工具的曝光条件，包括曝光工具的光照强度、曝光工具的数值孔径、焦深(depth of focus，dof)、要图案化的抗蚀剂堆叠的厚度、和/或像差范围。此外，本公开的方法可以包括衍射组件，以解决由于掩模三维(3d)效应引起的偏振。因为考虑了曝光条件和掩模3d效应，所以本公开的方法与前述基于规则的sraf放置技术和iml技术相比具有更好的准确性。
23.ic制造包括多个实体，例如设计公司、掩模公司和ic制造商(即，晶圆厂)。这些实体在与制造集成电路(ic)器件相关的设计、开发、和制造周期和/或服务中相互交互。这些实体通过通信网络连接，该通信网络可以是单个网络或各种不同的网络，例如内联网和互联网，并且可以包括有线和/或无线通信信道。每个实体可以与其他实体交互，并且可以向其他实体提供服务和/或从其他实体接收服务。设计公司、掩模公司和ic制造商中的一者或多者可能具有共同的所有者，并且甚至可能共存于共同的设施中并使用共同的资源。在各种实施例中，可以包括一个或多个设计团队的设计公司生成ic设计布局。ic设计布局可以包括为制造ic器件而设计的各种几何图案。举例来说，几何图案可以对应于构成要制造的ic器件的各种组件的金属、氧化物或半导体层的图案。各种层共同形成ic器件的各种特征。例如，ic设计布局的各个部分可以包括诸如有源区域、栅极电极、源极和漏极区域、金属互连的金属线或过孔、接合焊盘的开口等特征，以及本领域中已知的要在半导体衬底(例如，硅晶圆)和设置在半导体衬底上的各种材料层内形成的其他特征。在各种示例中，设计公司实现设计程序以形成ic设计布局。设计过程可以包括逻辑设计、物理设计和/或布局布线。ic设计布局可以呈现在具有与几何图案相关的信息的一个或多个数据文件中，这些几何图
案将用于ic器件的制造。在一些示例中，ic设计布局可以以图形设计系统(graphic design system，gds)-ii文件格式或设计框架(design framework，df)-ii文件格式来表达。
24.在一些情况下，设计公司可以将ic设计布局发送到掩模公司，例如，经由上述网络连接。然后，掩模公司可以使用ic设计布局来生成掩模设计(例如，第一掩模设计)，修改掩模设计以形成经修改的掩模设计，并且根据经修改的掩模设计来制造要用于制造ic器件的各个层的一个或多个掩模。在各种示例中，掩模公司执行掩模数据准备，其中将ic设计布局转换为可由掩模编写器物理写入的形式，并且执行掩模制造，其中修改由掩模数据准备准备的设计布局以生成经修改的掩模设计，并且然后进行制造。在本公开的一些实施例中，上述一些操作不是由掩模公司执行的，而是由ic制造商执行的，尤其是在使用曝光工具的信息时。
25.图1示出了曝光工具(或光刻系统)中的主要组件平面。曝光工具(例如，光学步进器和光学扫描仪)包括辐射源(光源)、光掩模(掩模版)、光瞳平面、和晶圆/衬底上的航拍图像。辐射源(或光源)可以表示为函数s(s(f,g))，其中f和g是辐射源处的平面上的坐标。掩模版(或光掩模)可以表示为函数a(x,y)(或m(x,y))，其中x和y是光掩模处的平面上的坐标。由光掩模上的特征衍射的光(辐射)可以表示为掩模函数的傅里叶变换：a(f,g)＝ft[a(x,y)]。在光瞳平面处，光瞳函数表示为函数p，p(f,g)。光瞳函数的复共轭由函数p*(f,g)给出。透射交叉系数tcc通过下式获得：
[0026]
tcc(f1，g1，f2，g2)＝∫∫s(f，g)p(f+f1，g+g1)p*(f+f2，g+g2)dedg
[0027]
航拍图像i(x,y)由下式给出：
[0028][0029]
在一些实施例中，曝光工具的辐射可以是偏振的，并且偏振可以通过掩模来改变。例如，入射在掩模上的曝光工具的辐射可以在x方向上偏振，并且被掩模衍射的光可以在光瞳处在y方向上偏振。对于这样的近场入射和出射辐射对，第一掩模函数包括x-y分量(a
1xy
(x,y))，并且x-y分量表示掩模上的x偏振辐射和光瞳上的y偏振辐射之间的模拟相互作用。类似地，对于x偏振入射辐射和x偏振出射辐射，第一掩模函数包括x-x分量(a
1xx
(x,y))；对于y偏振入射辐射和x偏振出射辐射，第一掩模函数包括y-x分量(a1yx(x,y))；对于y偏振入射辐射和y偏振出射辐射，第一掩模函数包括y-y分量(a
1yy
(x,y))。在假设掩模设计被实现为理想掩模的情况下，x-x、x-y、y-x和y-y分量彼此相同。在假设第一掩模设计202被实现为具有掩模三维(3d)效应的真实世界掩模的情况下，x-x、x-y、y-x和y-y分量不相同，并且应该分开考虑。
[0030]
虽然图1示出了在例如krf或arf准分子激光光刻系统(光学扫描仪/步进器)中使用的透射型光掩模，但是使用反射光掩模的极紫外(extreme ultraviolet，euv)光刻系统也可以用相同的等式表示。
[0031]
在上述光刻模型中，指定了各种参数，包括但不限于光源的波长、光学系统的数值孔径(numerical aperture，na)、关于光照的信息(例如，诸如环形光照、多极光照等光照形状)、关于透镜像差的信息、关于光的偏振的信息、关于在其上形成光致抗蚀剂层的膜堆叠结构的信息、关于掩模三维(3d)效应的信息、以及关于光致抗蚀剂层的信息。
[0032]
图2是根据本公开的实施例的制造用于半导体器件制造的光掩模的顺序操作100
的流程图。应当理解，对于方法的其他实施例，可以在图2所示的过程之前、期间和之后提供附加操作，并且可以替换或消除下面描述的一些操作。操作/过程的顺序可以互换。
[0033]
现在参考图2，操作100包括框s102，其中设置光刻工具的光学条件(参数)。在一些实施例中，指定了上述参数中的一者或多者。在一些实施例中，光刻工具包括具有深紫外(deep ultraviolet，duv)辐射源(例如，krf准分子激光器或arf准分子激光器)的duv曝光工具、或具有极紫外(euv)辐射源(例如，锡滴激光等离子体euv生成)的euv曝光工具。在一些实施例中，曝光工具可以是具有浸没式光刻能力的duv曝光工具。除非曝光工具的配置被有意或无意地改变，否则除了关于光致抗蚀剂和膜结构的信息之外，曝光条件的集合通常对于曝光工具是唯一的。
[0034]
在图2的框s104处，确定对于给定的一组光学条件是否存在经计算的内核。如果答案是肯定的，则操作进行到框s106。如果s104处的答案是否定的，则如下所述在框s105处计算内核。
[0035]
图3示出了根据本公开的实施例的计算tcc内核的图示。如关于图1所解释的，tcc内核是从辐射源函数s(f,g)、光瞳函数p(f,g)和光瞳函数的复共轭p*(f,g)计算的。在一些实现方式中，可以将tcc分解为多个阶的特征值(每个特征值可以表示为λi，其中i表示tcc的第i个特征值)和多个阶的特征函数φ(每个特征函数可以表示为φi，其中i表示tcc的第i个特征函数)。在一些实施例中，存在n个特征函数和n个特征值，其中n是整数，并且可以在1和光源中的点源的数量之间。因此，tcc内核可以用mecer展开表示如下：
[0036][0037]
此外，光瞳函数p(f,g)表示如下：
[0038][0039]
其中，w(f,g)表示透镜像差，“d”是散焦量，并且na是数值孔径。那么，晶圆上的光学图像i(x,y)表示为：
[0040][0041]
其中，m(x,y)是掩模函数，也可互换地描述为a(x,y)。
[0042]
然后，在图2的框s106处，获取原始掩模图案(输入掩模)。在一些实施例中，还获取图案的目标形状。在一些实施例中，目标图案形状与原始图案形状相同，而在其他实施例中，考虑到cd(临界尺寸)公差，目标图案形状不同于原始图案。
[0043]
图4a示出了根据本公开的实施例的原始掩模图案(l形)和目标图案形状的示例。在一些实施例中，在图2的框s108处，对原始掩模图案执行光学邻近校正(optical proximity correction，opc)操作。在opc操作中，边缘和/或边缘分段根据由图案本身和/或周围图案引起的光学邻近效应向内或向外移动。
[0044]
图4b示出了根据本公开的实施例的在opc操作之后的掩模图案和目标图案形状的示例。在一些实施例中，opc操作是可选的。在其他实施例中，获得经opc的掩模图案作为原
始掩模图案，并且在这种情况下，在框s108处不执行opc。
[0045]
然后，在图2的框s110处，生成一个sraf种子图。图5a示出了概念图，并且图5b示出了计算sraf种子图的流程图。
[0046]
在一些实施例中，在图5b的框s502处，通过使用给定光刻工具的tcc内核来计算具有opc的原始掩模图案410的光学图像。更具体地，sraf种子图是通过对表示原始掩模图案的掩模函数(a1(x,y))和tcc内核进行卷积来确定的。如上所述，掩模函数包括x-y分量(a
1xy
(x,y))、x-x分量(a
1xx
(x,y))、y-x分量(a
1yx
(x,y))和y-y分量(a
1yy
(x,y))。与(a
1xx
(x,y))交互的tcc的第i个特征函数定义为与(a
1xy
(x,y))交互的tcc的第i个特征函数为定义为与(a
1yx
(x,y))交互的tcc的第i个特征函数定义为与(a
1yy
(x,y))交互的tcc的第i个特征函数定义为
[0047]
然后，如图5a所示，将小点图案(单元图案)420放置在原始掩模图案410周围的(x’,y’)位置处，并且在图5b的框s504处，通过使用tcc内核来计算原始掩模图案410和单元图案420的光学图像。
[0048]
然后，在框s506处，将仅原始掩模图案410的光学图像与原始掩模图案410和单元图案420的组合的光学图像进行比较，以确定单元图案是否改进了原始掩模图案的光学图像的质量。在一些实施例中，在单元图案改进了原始掩模图案的光学图像的质量时，改进的量在sraf种子图中表示为正值，并且在单元图案退化了原始掩模图案的光学图像的质量时，退化的量在sraf种子图中表示为负值。
[0049]
在一些实施例中，光学图像的质量是光学图像在图案边缘处的斜率，并且沿着目标边缘的图像斜率被比较。图5d示出了如何确定图像斜率e(x)。如果图像斜率沿着目标边缘被改进，则位置a(x’,y’)被确定为放置sraf的好位置。在一些实施例中，斜率是图像对数斜率(image log slope，ils)。在其他实施例中，光学图像的质量是对比度、强度和/或聚焦容差(焦深)。光学图像的不止一种质量用于生成sraf种子图。
[0050]
然后，在框s508处，改变单元图案的位置，并且重复框s504处的光学图像的计算和框s506处的比较，以到用于放置sraf图案的良好位置。在一些实施例中，针对原始图案周围的给定区域执行重复放置单元图案和比较。
[0051]
在一些实施例中，单元图案的放置是根据围绕原始图案的网格或矩阵来执行的，如图5c所示。在一些实施例中，网格(一个正方形)的尺寸在从约2nm到约40nm的范围内(在晶圆上)。在一些实施例中，单元图案的总计算区域是与原始图案相距l的区域。在一些实施例中，距离l在从约100nm到约1,000nm的范围内。在一些实施例中，如果给定图案和相邻图案之间的距离小于l，则针对给定图案和相邻图案之间的区域执行单元图案的图像计算。
[0052]
在一些实施例中，sraf种子图t(x’,y’)可以通过使用下列等式来计算：
[0053]
t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+iy(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，
[0054]
其中
[0055]
[0056][0057][0058][0059][0060]
λi是tcc的第i个特征值，φi是tcc的第i个特征函数，并且是tcc的第i个特征函数，并且
[0061]
通过应用上述等式，可以计算给定光刻工具的目标图案的sraf种子图。在一些实施例中，目标图案包括多个图案。在一些实施例中，多个图案用于逻辑电路或存储器器件的标准单元结构的接触(过孔)孔。在其他实施例中，多个图案用于逻辑电路的布线图案。
[0062]
图6a-图6d示出了根据本公开的实施例的对sraf种子图和根据sraf种子图放置的sraf图案的计算。在该实施例中，原始掩模图案为正方形，并且目标形状为圆形，如图6a所示。没有opc应用于原始形状。如图6b所示，光刻工具的参数为：源辐射的波长＝193nm；数值孔径＝1.35；；环形光照；并且应用散焦。参数还包括应用掩模3d效应和光致抗蚀剂堆叠结构。原始掩模图案是50nm正方形岛状图案(明场中的孔图案)。
[0063]
通过将上述等式应用于原始图案，计算出sraf种子图，如图6c所示(图2的s110)。在sraf种子图中，亮线表示图像质量(例如，沿着目标形状的边缘的图像斜率)被改进的位置。
[0064]
如图6c所示，sraf种子图包括对sraf放置确定有用的信息。例如，sraf种子图包括局部最小干扰分布(包括强度和坐标)、局部最大干扰分布(包括强度和坐标)、和噪声(包括强度和坐标)。局部最大干扰分布可以称为峰值干扰分布，而局部最小干扰分布可以称为谷值干扰分布。在一些情况下，峰值干扰分布和谷值干扰分布两者都包括平行于相邻掩模特征延伸的分量，并且噪声可以包括垂直于相邻掩模特征延伸的分量。因此需要进一步的过程来消除或降低噪声水平，并增强峰值干扰分布和谷值干扰分布的信号强度。在一些实施例中，可以使用高通滤波、带通滤波或低通滤波来去除噪声，并提高峰值干扰分布和谷值干扰分布的分辨率。如果不降低噪声水平，则可能会产生从掩模特征垂直延伸的sraf。这样的sraf不会提高准确性，并且还可能在航拍图像中引入缺陷。sraf图不仅包括sraf的放置位置，还包括sraf的多边形形状。因此，还需要进一步的过程来确定sraf的多边形形状和尺寸。例如，在过滤sraf种子图以去除噪声并提高分辨率之后，可以将合适尺寸的多边形形状放置在经过滤的sraf种子图中的峰值上或周围。用于确定sraf的多边形形状和尺寸的一个或多个过程也可以称为用于生长sraf的(一个或多个)过程。基于前述，在一些实施例中，这样的进一步过程包括用于减少噪声的操作以及用于基于峰值干扰分布和谷值干扰分布来叠加多边形形状的操作。
[0065]
根据本公开的一些实施例，在sraf图计算中还考虑了真实世界掩模的非理想特性。理想掩模包括无限小的厚度，并且能够完全阻挡入射辐射。由于入射辐射的完全阻挡和无限小的厚度，穿过理想掩模的辐射幅度包括阶跃函数(step function)。在理想掩模阻挡入射辐射的情况下，辐射幅度降至零(0％)。在理想掩模允许入射辐射通过掩模开口的情况
下，辐射幅度增加到入射辐射的全幅度(100％)。
[0066]
然而，实际上，掩模至少具有有限的厚度并且不能完全阻挡辐射。在一些情况下，真实世界掩模可以设置在玻璃衬底上。真实世界掩模的有限厚度和非理想辐射阻挡能力可能产生非理想辐射幅度。这些非理想特性可以概括地称为掩模三维(3d)效应。虽然上述解释是应用于透射掩模的，但是在反射掩模上也可以观察到类似的理想和非理想行为。理想的反射掩模包括在完美吸收表面上限定的完美反射图案。此外，辐射仅在最顶部的表面上反射，并且不会穿透到掩模中。真实世界反射掩模包括在部分吸收表面上限定的部分反射图案。在穿透方面，辐射可以穿透到真实世界反射掩模上的一层或多层的深度，并且可以被除了最顶层之外的层反射。
[0067]
因为辐射是电磁波，所以可以使用麦克斯韦方程来计算掩模3d效应，该麦克斯韦方程包括高斯定律：
[0068][0069]
高斯磁定律麦克斯韦-法拉第方程
[0070][0071]
安培电路定律
[0072][0073]
在一些实施例中，掩模3d效应可以使用麦克斯韦方程的简化解来近似。例如，虽然放置在掩模上的sraf也可能贡献掩模3d效应，但是这些sraf对掩模3d效应的贡献小于对主掩模图案的贡献。麦克斯韦方程的简化解可以降低由sraf贡献的掩模3d效应。这种简化可以大大降低计算掩模3d效应的复杂性。麦克斯韦方程的解或简化解可以用于修改掩模函数，从而考虑掩模3d效应。掩模3d效应可以表示为一个或多个函数m。在一些实现方式中，掩模3d效应可以分解为x-x衍射分量(m
xx
)、x-y衍射分量(m
xy
)、y-x衍射分量(m
yx
)、和y-y衍射分量(m
yy
)。
[0074]
在一些实施例中，假设原始掩模设计被实现为受掩模3d效应影响的真实世界掩模，并且其掩模函数可以表示为(am(x,y))。掩模函数(am(x,y))包括x-x分量(a
mxx
(x,y))、x-y分量(a
mxy
(x,y))、y-x分量(a
myx
(x,y))和y-y分量(a
myy
(x,y))。x-x分量(a
mxx
(x,y))、x-y分量(a
mxy
(x,y))、y-x分量(a
myx
(x,y))和y-y分量(a
myy
(x,y))可以通过对相应的衍射分量进行傅里叶变换得到：
[0075]amxx
(x，y)＝ft(m
xx
)，
[0076]amxy
(x，y)＝ft(m
xy
)，
[0077]amyx
(x，y)＝ft(m
yx
)，
[0078]amyy
(x，y)＝ft(m
yy
).
[0079]
与假定的理想掩模的对应分量不同，掩模函数am(x,y)的x-x分量、x-y分量、y-x分量和y-y分量彼此不同，并且被单独考虑。
[0080]
基于sraf种子图，在图2的框s112处，在原始掩模图案周围放置一个或多个sraf图案，如图6d所示。在一些实施例中，在sraf种子图所指示的sraf放置位置相对于阈值距离更
接近原始图案时，在这样的位置处不放置sraf。在一些实施例中，阈值是基于原始图案的图案尺寸、到相邻图案的距离、包括分辨率限制的光学条件、和/或sraf种子图中的值中的一者或多者来确定的。类似地，在一些实施例中，在sraf种子图所指示的sraf放置位置离原始图案太远(远大于阈值距离)时，在这样的位置处不放置sraf。
[0081]
在一些实施例中，sraf图案被放置在sraf种子图中的值为正(指示图像质量的改进)的位置处。在其他实施例中，sraf图案被放置在sraf种子图中的值等于或大于阈值的位置处。
[0082]
输出原始图案和sraf图案的组合作为经修改的掩模布局设计。在一些实施例中，通过将sraf图叠加到原始掩模设计上，来将sraf图中的sraf图案放置在原始掩模设计上，从而获得经修改的掩模布局设计。
[0083]
然后，在一些实施例中，在图2的框s114处，执行附加opc操作。该附加opc操作是可选的，并且在一些实施例中，其不被执行。
[0084]
此外，在图2的框s116处，执行掩模规则检查操作，以确定包括原始掩模图案和sraf图案在内的任何图案是否违反设计规则，例如最小距离(分隔)、最小尺寸等。如果发现任何违反，则自动或手动修改(一个或多个)违规图案。
[0085]
接下来，确定最终的掩模布局设计，在图2的框s118处，输出掩模设计以用于制造光掩模，并且根据掩模设计来制造光掩模。
[0086]
图7a-图7d示出了根据其他实施例的sraf计算结果。在图7a中，光刻工具的参数为：源辐射的波长＝13.5nm；数值孔径＝0.33；无极化；环形光照；并且没有透镜像差。参数还包括应用掩模3d效应和光致抗蚀剂堆叠结构。原始掩模图案是50nm正方形岛状图案(明场中的孔图案)。与图6d所示的高na光照和偏振的情况(图6d示出了圆形或框形sraf图案)不同，在低na光照且没有偏振的情况下，sraf是设置在原始图案周围的不连续弧形图案。
[0087]
在图7b中，光刻工具的参数为：源辐射的波长＝193nm；数值孔径＝1.35；te(横向电)极化；四极光照；并且没有透镜像差。参数还包括应用掩模3d效应和光致抗蚀剂堆叠结构。原始掩模图案是50nm正方形岛状图案(明场中的孔图案)。与图6b和图7a所示的环形光照的情况不同，在四极光照的情况下，一些sraf图案是朝向原始图案凸出的弧形。
[0088]
在图7c中，光刻工具的参数为：源辐射的波长＝13.5nm；数值孔径＝0.33；无极化；四极光照；并且没有透镜像差。参数还包括应用掩模3d效应和光致抗蚀剂堆叠结构。原始掩模图案是50nm正方形岛状图案(明场中的孔图案)。在具有低na的四极光照的情况下，在原始图案周围设置不连续的sraf图案。
[0089]
在图7d中，光刻工具的参数为：源辐射的波长＝193nm；数值孔径＝1.35；te偏振光照；环形光照；并且没有透镜像差。参数还包括应用掩模3d效应和光致抗蚀剂堆叠结构。原始掩模图案是l形图案的经opc的图案。衬线图案(serif pattern)被添加到l形图案的角落。原始l形图案在明场中的宽度为50nm，长边为300nm，短边为135nm。图7d示出了用于原始l形(白)和经opc的l形(灰)的sraf图案。通过在计算sraf种子图(并放置sraf图案)之前执行opc，可以获得不同的sraf图案。
[0090]
图8a示出了制造半导体器件的方法的流程图。图8b、图8c、图8d和图8e示出了根据本公开的实施例的制造半导体器件的方法的顺序制造操作。提供了要被图案化以在其上形成集成电路的半导体衬底或其他合适的衬底。在一些实施例中，半导体衬底包括硅。替代地
或附加地，半导体衬底包括锗、硅锗或其他合适的半导体材料，例如iii-v族半导体材料。在图8a的s801处，在半导体衬底之上形成要图案化的目标层。在某些实施例中，目标层是半导体衬底。在一些实施例中，目标层包括导电层，例如金属层或多晶硅层；电介质层，例如氧化硅、氮化硅、sion、sioc、siocn、sicn、氧化铪或氧化铝；或半导体层，例如外延形成的半导体层。在一些实施例中，目标层形成在诸如隔离结构、晶体管或布线之类的底层结构之上。在图8a的s802处，在目标层之上形成光致抗蚀剂层，如图8b所示。在后续光刻曝光过程期间，光致抗蚀剂层对来自曝光源的辐射敏感。可以通过旋涂或其他合适的技术在目标层之上形成光致抗蚀剂层。可以进一步烘烤涂覆的光致抗蚀剂层，以驱除光致抗蚀剂层中的溶剂。
[0091]
在图8a的s803处，使用光学光刻工具对光致抗蚀剂层进行图案化。在一些实施例中，光学光刻工具是使用透射掩模的arf或krf准分子激光扫描仪，如图8c所示。透射掩模包括如上所述的sraf图案。在其他实施例中，光学光刻工具是使用包括sraf图案的反射掩模的euv扫描仪，如图8d所示。在曝光过程期间，在掩模上限定的集成电路(ic)设计图案被成像到光致抗蚀剂层，以在其上形成潜在图案，而不印刷sraf图案。
[0092]
光致抗蚀剂层的图案化还包括显影经曝光的光致抗蚀剂层，以形成具有一个或多个开口的经图案化的光致抗蚀剂层。在光致抗蚀剂层是正性光致抗蚀剂层的一个实施例中，光致抗蚀剂层的暴露部分在显影过程期间被去除。光致抗蚀剂层的图案化还可以包括其他工艺步骤，例如在不同阶段处的各种烘烤步骤。例如，可以在光刻曝光工艺之后和显影工艺之前实现曝光后烘烤(peb)工艺。
[0093]
在图8a的s804处，利用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，来对目标层进行图案化，如图8e所示。在一些实施例中，对目标层进行图案化包括：使用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，来对目标层应用蚀刻工艺。蚀刻目标层的在经图案化的光致抗蚀剂层的开口内暴露的部分，同时保护剩余部分免于蚀刻。此外，经图案化的光致抗蚀剂层可以通过湿法剥离或等离子灰化被去除，如图8f所示。
[0094]
图9a和图9b示出了根据本公开的一些实施例的用于制造用于半导体电路的光刻掩模的制造。在一些实施例中，装置是光学模拟器。
[0095]
图9a是根据如上所述的一个或多个实施例的执行用于制造光刻掩模的过程的计算机系统的示意图。前述实施例的全部或部分过程、方法和/或操作可以使用计算机硬件和在其上执行的计算机程序来实现。如上所述，这些操作包括opc校正、tcc内核计算、sraf种子图计算、sraf放置等。在图9a中，计算机系统1100设置有计算机1101，该计算机1101包括光盘只读存储器(例如，cd-rom或dvd-rom)驱动器1105和磁盘驱动器1106、键盘1102、鼠标1103和监视器1104。
[0096]
图9b是示出计算机系统1100的内部配置的图示。除了光盘驱动器1105和磁盘驱动器1106之外，计算机1101还设置有一个或多个处理器1111(例如，微处理单元(mpu))、rom 1112(其中存储有诸如启动程序之类的程序)、随机存取存储器(ram)1113(其连接到mpu 1111连接，并且其中临时存储有应用程序的命令，并且提供临时存储区域)、硬盘1114(其中存储有应用程序、系统程序和数据)、以及总线1115(其连接mpu 1111、rom 1112等)。注意，计算机1101可以包括用于提供到lan的连接的网卡(未示出)。
[0097]
上述实施例中用于使计算机系统1100执行计算sraf种子图和放置sraf图案的过程的程序可以存储在光盘1121或磁盘1122(其被插入到光盘驱动器1105或磁盘驱动器
1106)中，并且可以被传送到硬盘1114。替代地，程序可以通过网络(未示出)传送到计算机1101，并存储在硬盘1114中。在执行时，程序被加载到ram 1113中。程序可以从光盘1121或磁盘1122加载，或者直接从网络加载。程序不一定必须包括例如操作系统(os)或第三方程序，用于使计算机1101执行用于制造前述实施例中的半导体器件的光刻掩模的过程。程序可以仅包括命令部分，用于在受控模式下调用适当的功能(模块)并获得期望的结果。
[0098]
本公开的实施例提供了优于现有技术的优点，但是应当理解，其他实施例可以提供不同的优点，并非所有优点都必须在本文中讨论，并且并非所有实施例都需要特定优点。通过在内核计算中包括tcc的所有阶数的特征值和特征函数，根据本公开的实施例的方法考虑了曝光工具的曝光条件，包括曝光工具的光照强度、曝光工具的数值孔径、焦深(dof)、要图案化的抗蚀剂堆叠的厚度、或像差范围。此外，本公开的方法可以包括衍射组件，用于解决由于掩模三维(3d)效应引起的偏振。因为考虑了曝光条件和掩模3d效应，本公开的方法比传统的基于规则的sraf放置技术具有更好的准确性。此外，使用图像斜率作为确定sraf图案位置的因素，可以更有效地放置sraf图案，从而提高整体光刻质量。本实施例还可以改进特定位置的图像质量，因为输入掩模和目标可以不同。例如，如果发现了薄弱点(可以称为热点)，则在薄弱点周围放置较重权重，以改进该点的图像质量。因为本实施例涉及具有/不具有单元图案的图像计算，并且定性地评估图像质量改进，所以sraf种子图定性地示出了sraf对目标的影响。通过这种方式，可以清楚地知道哪些sraf位置比其他位置更重要。附加好处包括可以指定要改进的图像斜率。虽然可以凭经验知道提高图像强度能够(间接地)改进图像斜率，但是在本实施例中，直接示出了有助于改进图像斜率的sraf位置。
[0099]
根据本公开的一个方面，在一种用于半导体器件制造的图案形成方法中，获取用于制造光掩模的原始图案；通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案；获得相对于经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，该sraf种子图指示图像质量通过sraf图案被改进的位置；在原始图案周围放置sraf图案；输出sraf图案和经修改的原始图案作为掩模数据；并且使用掩模数据来制造光掩模。在前述和下列实施例中的一者或多者中，对sraf图案和经修改的原始图案执行另一光学邻近校正。掩模数据包括执行了另一光学邻近校正的sraf图案和经修改的原始图案。在前述和下列实施例中的一者或多者中，对sraf图案和经修改的原始图案执行设计规则检查操作。在前述和下列实施例中的一者或多者中，sraf图案或经修改的原始图案中的一者或多者在设计规则检查操作之后被修改。在前述和下列实施例中的一者或多者中，在获得sraf种子图时，到放置单元图案能改进经修改的原始图案的图像质量的位置。在前述和下列实施例中的一者或多者中，图像质量包括经修改的原始图案的边缘的图像斜率。在前述和下列实施例中的一者或多者中，单元图案是尺寸为2nm至40nm的正方形。
[0100]
根据本公开的另一方面，在一种图案形成方法中，获取用于制造光掩模的原始图案：计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置图案能改进原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在候选位置中的一者或多者处；输出sraf图案和原始图案作为掩模数据；使用掩模数据来制造光掩模；以及使用光掩模通过光刻来形成抗蚀剂图案。在前述和下列实施例中的一者或多者中，计算sraf种子图包括根据下列等式来计算sraf种子图：
[0101]
t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+iy(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，
[0102]
其中
[0103][0104][0105][0106][0107][0108]
λi是透射交叉系数(tcc)的第i个特征值，φi是所述tcc的第i个特征函数，w(x,y)表示透镜像差，并且其中，ft是傅立叶变换。
[0109]
在前述和下列实施例中的一者或多者中，通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案。sraf种子图是相对于经修改的原始图案获得的。在前述和下列实施例中的一者或多者中，对sraf图案和经修改的原始图案执行另一光学邻近校正。掩模数据包括执行了另一光学邻近校正的所sraf图案和经修改的原始图案。在前述和下列实施例中的一者或多者中，对sraf图案和经修改的原始图案执行设计规则检查操作。在前述和下列实施例中的一者或多者中，在sraf种子图中，具有正值的位置指示候选位置。在前述和下列实施例中的一者或多者中，选择具有正值的一个或多个位置，并且将sraf图案放置在所选择的位置处。在未被选择的具有正值的位置中的至少一者处没有放置sraf图案。
[0110]
根据本公开的另一方面，一种用于制造光掩模的设备包括：处理器；以及非暂态计算机可读存储介质，存储有程序。该程序在由处理器执行时，使得处理器执行下列操作：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置图案能改进原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在候选位置中的一者或多者处；输出sraf图案和原始图案作为掩模数据。在前述和下列实施例中的一者或多者中，计算sraf种子图包括根据下列等式来计算sraf种子图：
[0111]
t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+iy(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，
[0112]
其中
[0113][0114][0115][0116][0117][0118]
λi是透射交叉系数(tcc)的第i个特征值，φi是所述tcc的第i个特征函数，w(x,y)
表示透镜像差，并且其中，ft是傅立叶变换。
[0119]
在前述和下列实施例中的一者或多者中，执行的程序还使得处理器执行下列操作：通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案，并且sraf种子图是相对于经修改的原始图案获得的。在前述和下列实施例中的一者或多者中，执行的程序还使得处理器执行下列操作：对sraf图案和经修改的原始图案执行另一光学邻近校正，并且掩模数据包括执行了另一光学邻近校正的sraf图案和经修改的原始图案。在前述和下列实施例中的一者或多者中，执行的程序还使得处理器执行下列操作：选择sraf种子图中指示的候选位置中的一个或多个位置，但不是所有位置。在前述和下列实施例中的一者或多者中，选择一个或多个位置是基于距原始图案的距离而执行的。
[0120]
以上概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本公开的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺和结构以实现本文介绍的实施例的相同目的和/或实现本文介绍的实施例的相同优点的基础。本领域技术人员还应该认识到，这样的等同构造不脱离本公开的精神和范围，并且他们可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替换和变更。
[0121]
示例
[0122]
示例1.一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；通过对所述原始图案执行光学邻近校正，来获得经修改的原始图案；获得相对于所述经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，所述sraf种子图指示图像质量通过sraf图案被改进的位置；在所述原始图案周围放置sraf图案；输出所述sraf图案和所述经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用所述掩模数据来制造所述光掩模。
[0123]
示例2.根据示例1所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行另一光学邻近校正，其中，所述掩模数据包括执行了所述另一光学邻近校正的所述sraf图案和所述经修改的原始图案。
[0124]
示例3.根据示例1所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行设计规则检查操作。
[0125]
示例4.根据示例3所述的图案形成方法，其中，所述sraf图案或所述经修改的原始图案中的一者或多者在所述设计规则检查操作之后被修改。
[0126]
示例5.根据示例1所述的图案形成方法，其中，获得sraf种子图包括：到放置单元图案能改进所述经修改的原始图案的图像质量的位置。
[0127]
示例6.根据示例5所述的图案形成方法，其中，所述图像质量包括所述经修改的原始图案的边缘的图像斜率。
[0128]
示例7.根据示例5所述的图案形成方法，其中，所述单元图案是尺寸为2nm至40nm的正方形。
[0129]
示例8.一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；输出所述sraf图案和所述原始图案作为掩模数据；使用所述掩模数据来制造所述光掩模；以及使用所述光掩模通过光刻来形成抗蚀剂图案。
[0130]
示例9.根据示例8所述的图案形成方法，其中，计算所述sraf种子图包括根据下列
等式来计算所述sraf种子图：
[0131]
t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+iy(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，
[0132]
其中
[0133][0134][0135][0136][0137][0138]
λi是透射交叉系数(tcc)的第i个特征值，φi是所述tcc的第i个特征函数，w(x,y)表示透镜像差，并且其中，ft是傅立叶变换。
[0139]
示例10.根据示例9所述的图案形成方法，还包括：通过对所述原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案，其中，所述sraf种子图是相对于所述经修改的原始图案获得的。
[0140]
示例11.根据示例10所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行另一光学邻近校正，其中，所述掩模数据包括执行了所述另一光学邻近校正的所述sraf图案和所述经修改的原始图案。
[0141]
示例12.根据示例11所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行设计规则检查操作。
[0142]
示例13.根据示例9所述的图案形成方法，其中，在所述sraf种子图中，具有正值的位置指示所述候选位置。
[0143]
示例14.根据示例13所述的图案形成方法，还包括：选择具有所述正值的一个或多个位置，并且将所述sraf图案放置在所选择的位置处，其中，在未被选择的具有所述正值的位置中的至少一者处没有放置sraf图案。
[0144]
示例15.一种用于制造光掩模的装置，包括：处理器；以及非暂态计算机可读存储介质，存储有程序，其中：所述程序在由所述处理器执行时，使得所述处理器执行下列操作：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；以及输出所述sraf图案和所述原始图案作为掩模数据。
[0145]
示例16.根据示例15所述的装置，其中，计算所述sraf种子图包括根据下列等式来计算所述sraf种子图：
[0146]
t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+iy(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，
[0147]
其中
[0148]
[0149][0150][0151][0152][0153]
λi是透射交叉系数(tcc)的第i个特征值，φi是所述tcc的第i个特征函数，w(x,y)表示透镜像差，并且其中，ft是傅立叶变换。
[0154]
示例17.根据示例16所述的装置，其中：执行的程序还使得所述处理器执行下列操作：通过对所述原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案，并且所述sraf种子图是相对于所述经修改的原始图案获得的。
[0155]
示例18.根据示例17所述的装置，其中：执行的程序还使得所述处理器执行下列操作：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行另一光学邻近校正，并且所述掩模数据包括执行了所述另一光学邻近校正的所述sraf图案和所述经修改的原始图案。
[0156]
示例19.根据示例16所述的装置，其中，执行的程序还使得所述处理器执行下列操作：选择所述sraf种子图中指示的所述候选位置中的一个或多个位置，但不是所有位置。
[0157]
示例20.根据示例19所述的装置，其中，选择所述一个或多个位置是基于距所述原始图案的距离而执行的。
技术特征：
1.一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；通过对所述原始图案执行光学邻近校正，来获得经修改的原始图案；获得相对于所述经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，所述sraf种子图指示图像质量通过sraf图案被改进的位置；在所述原始图案周围放置sraf图案；输出所述sraf图案和所述经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用所述掩模数据来制造所述光掩模。2.根据权利要求1所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行另一光学邻近校正，其中，所述掩模数据包括执行了所述另一光学邻近校正的所述sraf图案和所述经修改的原始图案。3.根据权利要求1所述的图案形成方法，还包括：对所述sraf图案和所述经修改的原始图案执行设计规则检查操作。4.根据权利要求3所述的图案形成方法，其中，所述sraf图案或所述经修改的原始图案中的一者或多者在所述设计规则检查操作之后被修改。5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，获得sraf种子图包括：到放置单元图案能改进所述经修改的原始图案的图像质量的位置。6.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中，所述图像质量包括所述经修改的原始图案的边缘的图像斜率。7.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中，所述单元图案是尺寸为2nm至40nm的正方形。8.一种用于半导体器件制造的图案形成方法，包括：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；输出所述sraf图案和所述原始图案作为掩模数据；使用所述掩模数据来制造所述光掩模；以及使用所述光掩模通过光刻来形成抗蚀剂图案。9.根据权利要求8所述的图案形成方法，其中，计算所述sraf种子图包括根据下列等式来计算所述sraf种子图：t(x
′
,y
′
)＝∫∫[i
x
(x,y；x
′
,y
′
)+i
y
(x,y；x
′
,y
′
)]dxdy，其中其中
λ
i
是透射交叉系数(tcc)的第i个特征值，φ
i
是所述tcc的第i个特征函数，w(x,y)表示透镜像差，并且其中，ft是傅立叶变换。10.一种用于制造光掩模的装置，包括：处理器；以及非暂态计算机可读存储介质，存储有程序，其中：所述程序在由所述处理器执行时，使得所述处理器执行下列操作：获取用于制造光掩模的原始图案；计算亚分辨率辅助特征(sraf)种子图，以到放置sraf能改进所述原始图案的光学图像的边缘的图像斜率的候选位置；将sraf图案放置在所述候选位置中的一者或多者处；以及输出所述sraf图案和所述原始图案作为掩模数据。
技术总结
本申请公开了制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法。在用于半导体器件制造的图案形成方法中，获得用于制造光掩模的原始图案；通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案；获得相对于经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(SRAF)种子图，该SRAF种子图指示图像质量通过SRAF图案被改进的位置；在原始图案周围放置SRAF图案；输出SRAF图案和经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用掩模数据来制造光掩模。及使用掩模数据来制造光掩模。及使用掩模数据来制造光掩模。
