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  • 重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量
    2023年12月13日发(作者:初日照高林)-重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量 付雪涛;刘筠;张旭;王香;管琪;裴会川;张永刚;李雪 【摘 要】通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟(N +-InP)衬底生长的In0.53 Ga0.47 As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In0.53 Ga0.47 As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底;
    时间:2023-12-13  热度:2℃
  • 电荷迁移率
    电荷迁移率    电荷迁移率,是表示电场与电势能的一种量。    人们一般只重视两个效应,即电场力效应和静电场的环流效应。电荷迁移率E=fV/qp=E- Vq。    1、迁移率:指物体在电场中从某点移到另一点所作的功,或物体从一个状态到另一个状态所作的功。    电场强度E,方向竖直向下,单位是安培。电荷迁移率f(E
    时间:2023-06-09  热度:32℃
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