2023年12月13日发(作者：初日照高林)-重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量 付雪涛;刘筠;张旭;王香;管琪;裴会川;张永刚;李雪 【摘 要】通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟（N ＋－InP）衬底生长的In0.53 Ga0.47 As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先，采用环氧树脂胶将In0.53 Ga0.47 As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上，以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底；