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    InGaAs 材料
    2023年12月13日发(作者：寒食东风)-常识：近红外波段 0.78-3μm，中红外波段 3-6μm，中远红外波段 6-20μm，远红外波段 20-1000μm。粗略地认为有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三个大气窗口 短波红外是指 1~3μm 波段的红外辐射. ，其广泛存在于自然界中 1.探测材料的比较 InSb 和 InAs: 材料禁带宽度较小，都是窄禁带半导体，探测器性能稳定，
    时间：2023-12-13  热度：2℃
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    上海技物所在短波红外InGaAs焦平面领域取得研究进展
    2023年12月13日发(作者：关于那件事)-上海技物所在短波红外InGaAs焦平面领域取得研究进展短波红外光电材料与器件具有高性能、高可靠性、低功耗、低成本等显著优点，可广泛应用于智慧城市、驾驶视觉增强、安防监控、光伏芯片检测、光谱检测以及航天航空等诸多领域，具有重大的科学价值和经济效益。基于III-V族InP/InGaAs材料体系的短波红外InGaAs探测器，具有高灵敏度、高均匀性、高稳定性等
    时间：2023-12-13  热度：2℃
  • 工作总结
    InGaAs短波红外探测器的光电机理
    2023年12月13日发(作者：写事作文300)-InGaAs短波红外探测器的光电机理 邵海洋;邢怀中 【摘 要】利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型.在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测器的表面漏电对器件暗电流、总电流、量子效率和响应率的影响.研究结果表明,表面漏电会导致器件的暗电流和总电流增大,但响应率和量子效率会降低.由此
    时间：2023-12-13  热度：3℃
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