2023年12月13日发(作者：日本夏日祭)-gaasphemt工作原理 GaAs PHEMT （Gallium Arnide pudomorphic High Electron Mobility Transistor）是一种高速、高功率、低噪声的半导体器件，其工作原理基于Gallium Arnide半导体材料的特性和pudomorphic结构。 Gallium Arnide（

2023年12月13日发(作者：哈佛大学入学要求)-维普资讯 第２９卷第１期　电子器件　Ｃｈｉｎｅｓｅ　ＪｏｕｒｍＩ　Ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｎ　ｉ嘲　ｖ０１．２９　Ｎｏ．１　Ｍａｒ．２００６　２００６年３月　Ｄｏｕｂｌｅ　ＩｎＧａＡｓ　Ｃｈａｎｎｅｌ　ＨＥＭＴ　ｏｎ　ＩｎＰ　ⅥＮ　Ｊｕｎ－ｊｉａｎ，ＣＨＥＮ　Ｌｉ－ｑｉａｎｇ，ＷＡＮＧ　Ｎｉｎｇ，ＺＨＡＮＧ　Ｈａｌ—ｙｉｎｇ，ＬＩＵ　Ｘｕｎ－ｃ

线阵CCD一、概述电荷耦合器件(CCD, Charge Coupled Device)是一种以电荷包的形式存储和传递信息的半导体器件，它是由美国贝尔实验室的W. S. Boyle和G.E. Smith在1970年前后发明的。它经历了以研究为主的发展阶段，在五年左右的时间内，建立了以一维空阱模型为基础的CCD基本理论，这个理论与实验结果大致相符，并满足了指导器件进一步发展的需要。与此同时，依靠成熟的