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  • p-i-n InPInGaAs光电探测器的电流及电容特性研究
    2023年12月13日发(作者:日本姓名)-第42卷,第1期文章编号:1672-8785(2021)01-0001-05红外1p-i-n In&InGaAs光电探测器的 电流及电容特性研究夏少杰陈俊"(苏州大学电子信息学院,江苏苏州215006)摘要:为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化&利用Silvaco器 件仿真工具研究了 p-i-n型InP/Ino. 53Ga0.47As/In0.
    时间:2023-12-13  热度:3℃
  • InGaAs探测器的光电性能仿真与结构优化研究
    2023年12月13日发(作者:租赁合同协议书)-InGaAs探测器的光电性能仿真与结构优化研究 短波红外In GaAs探测器在近室温下具有良好的性能,在航天遥感领域有着重要的应用价值。为进一步提升短波红外InGaAs探测器的性能,本论文重点研究了InAlAs帽层的晶格匹配和延伸波长探测器的关键结构参数对暗电流的影响,并进行了实验验证,研究了器件暗电流机制;仿真了吸收层内含有电子阻挡层器件的暗电流
    时间:2023-12-13  热度:1℃
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