2024年3月8日发(作者：送杜少府)同义词的界定与分类-最新文档 同义词的界定与分类 同义词是词汇系统中词与词之间一种重要的词义聚合，对于人们表情达意也具有举足轻重的作用。关于同义词的研究主要开始于20世纪中期，几十年来，取得了丰厚的成果。大家虽然在某些问题上达成了共识，但分歧依然较多。首先在同义词的界定方面，有的学者认为同义词包括近义词，有的学者则认为应该把近义词从同义词中分离出来；其次对于同

2023年12月13日发(作者：难忘的第一次)-led外延片波长 LED外延片的波长主要取决于其材料和制造工艺。LED（发光二极管）是一种半导体器件，当通过电流时，会发出特定波长的光。常见的LED波长范围包括可见光（380nm至780nm）和红外光（780nm至1100nm）等。 在LED制造过程中，外延片是关键组成部分。它是由半导体材料（如硅、 GaAs、InGaAs等）制成，其厚度、材料

2023年12月13日发(作者：寒食东风)-常识：近红外波段 0.78-3μm，中红外波段 3-6μm，中远红外波段 6-20μm，远红外波段 20-1000μm。粗略地认为有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三个大气窗口 短波红外是指 1~3μm 波段的红外辐射. ，其广泛存在于自然界中 1.探测材料的比较 InSb 和 InAs: 材料禁带宽度较小，都是窄禁带半导体，探测器性能稳定，

2023年12月13日发(作者：初日照高林)-重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量 付雪涛;刘筠;张旭;王香;管琪;裴会川;张永刚;李雪 【摘 要】通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟（N ＋－InP）衬底生长的In0.53 Ga0.47 As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先，采用环氧树脂胶将In0.53 Ga0.47 As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上，以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底；

2023年12月13日发(作者：山河之书)-第42卷第4期2021年4月发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol. 42 No. 4Apr. , 2021文章编号：1000-7032(2021)04-0448-07InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长王 旭，王海珠*,张 彬，王曲惠，范 杰，邹永刚，马晓辉(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实

2023年12月13日发(作者：今年高考分数)-常识：近红外波段 0.78-3μm，中红外波段 3-6μm，中远红外波段 6-20μm，远红外波段 20-1000μm。粗略地认为有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三个大气窗口 短波红外是指 1~3μm 波段的红外辐射. ，其广泛存在于自然界中 1.探测材料的比较 InSb 和 InAs: 材料禁带宽度较小，都是窄禁带半导体，探测器性能稳