2024年3月29日发(作者：小猴爬树) 电子技术基础实验 课程设计 用74LS161设计六十进制计数器 学院： 班级： 姓名： 学号： 电气工程学院 电自1418 用74LS161设计六十进制计数器 摘要 计数器是一个用以实现计数功能的时序部件，它不仅可用来及脉冲数，还常用作数子系统的定时、分频和执行数字运算以及其它特定的逻辑功能。目前，无论是T

2024年3月29日发(作者：移动上网)触点触头限定符号接触器功能断路器功能隔离开关功能负荷开关功能自动释放限制/位置手车式抽功能开关功能屉式插口火花间隙和避雷器图火花间隙避雷器触点图形符号动合常开触点动断常闭触点先断后合的转换触点中间断开的双向触点先合后断的转换触点(桥接)双动合触点双动断触点过渡触点图形符号当操作器件被当操作器件被当操作器件被吸合吸合时,暂时释放时,暂时或释放时,暂时闭闭合的过

2024年3月7日发(作者：形容很好吃的成语)射ｌｌ卷，第３蝴　Ｖｏｌ　１ｌ　ＮＯ　３　电子与封装　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ　总第９５　２０１　１年３月　封　装　、　组　装　与　测　试　厚膜化电源模块老炼筛选过程的　宣　日　Ｉｎｎ　控制　李晨旭　（人水ＬＰｑ九电ｒ　有限公司，　‘肃人水７４１０００）　摘　要：在现代电源模块技术中用厚膜４Ｌ．ｚ＿艺和ＳＭＴ（表面贴装工艺）生产的电源

2024年2月21日发(作者：幼儿珠心算培训班)mos 负温度系数 MOS负温度系数 MOS是金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的简称，它是一种常用的电子器件。在MOS中，负温度系数是一个重要的性质，它影响着器件的工作性能和稳定性。 负温度系数是指当温度升高时，器件电阻值下降的趋势。在MOS中，负温度系数主要是由金属-绝缘体结构中的绝缘体层引起的。绝缘体层通常是由二氧化硅（SiO2）构成，具有较

2023年12月13日发(作者：红山口会议)-1.3μm InGaAsSb／GaAsSb 量子阱激光器有源区结构设计 何斌太;刘国军;魏志鹏;刘超;安宁;刘鹏程;王旭 【摘 要】为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器，对压应变 InGaAsSb ／GaAsSb 量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克－潘纳模型，确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。

2023年12月13日发(作者：哈佛大学入学要求)-维普资讯 第２９卷第１期　电子器件　Ｃｈｉｎｅｓｅ　ＪｏｕｒｍＩ　Ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｎ　ｉ嘲　ｖ０１．２９　Ｎｏ．１　Ｍａｒ．２００６　２００６年３月　Ｄｏｕｂｌｅ　ＩｎＧａＡｓ　Ｃｈａｎｎｅｌ　ＨＥＭＴ　ｏｎ　ＩｎＰ　ⅥＮ　Ｊｕｎ－ｊｉａｎ，ＣＨＥＮ　Ｌｉ－ｑｉａｎｇ，ＷＡＮＧ　Ｎｉｎｇ，ＺＨＡＮＧ　Ｈａｌ—ｙｉｎｇ，ＬＩＵ　Ｘｕｎ－ｃ

2023年12月13日发(作者：写物作文)-四象限InGaAs APD探测器的研究 王致远;李发明;刘方楠 【期刊名称】《光通信研究》 【年(卷),期】2007(000)006 【摘 要】文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等

2023年12月13日发(作者：日本姓名)-第42卷，第1期文章编号:1672-8785(2021)01-0001-05红外1p-i-n In&InGaAs光电探测器的 电流及电容特性研究夏少杰陈俊"(苏州大学电子信息学院，江苏苏州215006)摘要：为了实现高灵敏度探测，红外探测器需要得到优化&利用Silvaco器 件仿真工具研究了 p-i-n型InP/Ino. 53Ga0.47As/In0.

2023年12月13日发(作者：租赁合同协议书)-InGaAs探测器的光电性能仿真与结构优化研究 短波红外In GaAs探测器在近室温下具有良好的性能,在航天遥感领域有着重要的应用价值。为进一步提升短波红外InGaAs探测器的性能,本论文重点研究了InAlAs帽层的晶格匹配和延伸波长探测器的关键结构参数对暗电流的影响,并进行了实验验证,研究了器件暗电流机制;仿真了吸收层内含有电子阻挡层器件的暗电流

2023年12月13日发(作者：盛的拼音)-（19）中华人民共和国国家知识产权局 （12）发明专利申请 （21）申请号 CN2.1 （22）申请日 2016.12.27 （71）申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 （10）申请公布号 CN106601740A （43）申请公布日 2017.04.26 （72）发明人 常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;

2023年12月13日发(作者：海市蜃楼意思)-四象限InGaAs APD探测器的研究 王致远;李发明;刘方楠 【摘 要】文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.试验结果表明,其响

2023年12月13日发(作者：幼儿三字经全文)-延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究 李淘;乔辉;李永富;唐恒敬;李雪;龚海梅 【摘 要】通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104 rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小.在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不

2023年12月13日发(作者：写事作文300)-InGaAs短波红外探测器的光电机理 邵海洋;邢怀中 【摘 要】利用ISE TCAD仿真软件,建立了铟镓砷(InGaAs)短波红外探测器表面漏电的二维模型.在背面照射方式下,模拟研究了InGaAs短波红外探测器的表面漏电对器件暗电流、总电流、量子效率和响应率的影响.研究结果表明,表面漏电会导致器件的暗电流和总电流增大,但响应率和量子效率会降低.由此

2023年12月13日发(作者：猴吃西瓜)-ingaas红外探测器工艺流程 InGaAs红外探测器工艺流程 引言： InGaAs红外探测器是一种常见的半导体器件，其主要应用于红外成像、红外测温等领域。本文将介绍InGaAs红外探测器的工艺流程，包括材料生长、器件制备和封装等过程。 一、InGaAs材料生长 InGaAs材料是In（铟）和GaAs（砷化镓）的合金，具有较高的载流子迁移率和较小的能

  CCD图像传感器摘 要                                电荷耦合器件(Charge Coupled Devices，CCD)自70年代初诞生以来，已迅速发展成为最常用的固体图像传感器，且广泛应用于