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  • 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件
    2023年12月13日发(作者:盛的拼音)-(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (21)申请号 CN2.1 (22)申请日 2016.12.27 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (10)申请公布号 CN106601740A (43)申请公布日 2017.04.26 (72)发明人 常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;
    时间:2023-12-13  热度:1℃
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