2024年2月24日发(作者：作文《我的乐园》) 飞利浦研发战略解析项目形式简化技术三重门 飞利浦的“TOP计划”还在延续，这项原本旨在“形象整合，降低成本，共享服务”的计划，波及面正在不断扩张。 搬迁新址 “我工作中重要的一项职责就是选址，”范彦柏坦言，“TOP计划实施后，我们将更多的基础研究搬到了中国。” 事实上，范彦柏所言有着深厚的历史背景。飞利浦的研发部门属于复杂的“矩阵式”结构，从研发类

2024年2月21日发(作者：含有星的诗句)带隙基准电压正温度系数和负温度系数 导言： 带隙基准电压是半导体器件中重要的电性能指标之一。它在不同温度下的变化特性对于设计和应用具有重要意义。本文就带隙基准电压的正温度系数和负温度系数进行介绍与分析。 一、带隙基准电压正温度系数 带隙基准电压的正温度系数是指随着温度升高，带隙基准电压增大的现象。在半导体器件中，此现象源于载流子的热激发。 1.1 形成

2024年2月20日发(作者：党员冬训心得体会)温差发电 温差发电目前有两种形式，一是利用海水表层和深层的温差，用其热量使蒸发器中的水沸腾，用氨蒸汽带动涡轮机发电。随后，氨蒸汽进入深层海水冷却，重新变成液体。在这一循环往返过程中，可以依次将海水的温差变成电力；二是用半导体温差效应直接发电。 海洋中蕴藏着丰富的太阳热能。太阳每年供应给海洋的热能大约有６０0多万亿千瓦时，如此巨大的能量，除了

2024年2月19日发(作者：看金门) 20200823 研究所 证券分析师： 吴吉森 S2 *************** 华为禁令再升级，半导体产业链影响几何 ——电子行业周报 最近一年行业走势 电子 100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%-20.00%沪深300 投资要点：  本周投资主题：美国升级对华为限制，短期而言，中国半导体产业

2024年2月13日发(作者：抚今悼昔)半导体实习报告（共5篇） 第1篇：半导体实习报告 实习报告 1.实习目的： 根据学院对专科生要求，我在深圳意法半导体制造（深圳）有限公司，为期十个月的实习。毕业实习的目的是：接触实际，了解社会，增强社会主义事业心，责任感，巩固所学理论，获取专业实际知识，培养初步的工作能力，具体如下： 培养从事工作的专业技能，了解

2024年1月10日发(作者：读书作文)电子教学教案 电子教案模板 篇一 章节·课题 1.1.1数制 教学目的和要求： 掌握数字信号与模拟信号的区别，几种进制之间的转换。 重难点分析 进制之间的转换 课型： 讲授 教法：讲授、任务驱动法 教具：计算机、多媒体等 教学内容与过程：（见教案） 教学过程 (一)、导入新课 回忆计算机基础中所讲的二进制，引出本次课内容。 (二)、讲授新课 一、数字电路概述

2024年1月10日发(作者：爱好广泛) 第1.2课时 教学内容：1、半导体的基本知识 2、PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、应用电路 教学目标： 知识目标：让学生了解半导体材料的基本结构及PN结的形成，掌握PN结的单向导电工作原理 技能目标：能运用常用公式解题。 情感目标：1.养成良好的学习习惯 2.树立坚强乐学的意识 教学重点：从半导体材料的基本结构及PN

2023年12月13日发(作者：红山口会议)-1.3μm InGaAsSb／GaAsSb 量子阱激光器有源区结构设计 何斌太;刘国军;魏志鹏;刘超;安宁;刘鹏程;王旭 【摘 要】为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器，对压应变 InGaAsSb ／GaAsSb 量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克－潘纳模型，确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。

2023年12月13日发(作者：小孩牙疼怎么办)-Load Port中EAP接口标准 1. 什么是Load Port中的EAP接口标准？ Load Port作为半导体制造领域中的重要设备，其EAP接口标准是指Load Port与设备之间进行通信和控制的标准接口。EAP是英文Ethernet Access Point的缩写，意为以太网接入点，它是半导体设备和外部设备之间的通信桥梁，有助于实现智能

2023年12月6日发(作者：有关孔子的故事)-半导体dbt工艺 半导体DBT工艺 引言: 半导体工艺是制造集成电路的关键步骤之一，而DBT（Diffusion Barrier Technology）工艺作为半导体制造中的一种重要工艺，起到了关键的保护和隔离作用。本文将介绍DBT工艺的原理、应用和优势。 一、DBT工艺的原理 DBT工艺是一种通过在金属线与半导体材料之间形成屏蔽层，从而阻止金属

341第十章  电荷转移器件为谋求IC 设计的简化，导致一类新功能结构的发明，这类结构称为电荷转移器件（CTD ）。在CTD 器件中，按工作原理划分，有两类不同的器件：电荷耦合器件()CCD 和斗链器件()BBD 。 10.1 电荷转移电荷转移的概念可以用增益为1以及输入阻抗无穷大的一系列放大器连成的链来说明，如图10-1a 所示。当接通开关1S 时，输入讯号以电荷束（电荷包）的形式存贮

半导体（可导电材料）

TEC（半导体制冷器的英文缩写）

日月光集团（半导体制造服务公司）

仙童（半导体设计与制造公司）