一种InGaAsInP体系的单行载流子的光电探测器制备方法[发明专利]_
2023年12月13日发(作者:采矿专业)-专利内容由知识产权出版社提供专利名称:一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法专利类型:发明专利发明人:陈子超,陈钊鉴,金运姜申请号:CN2.0申请日:20220117公开号:CN114400273A公开日:20220426摘要:本发明公开了一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法,包括以下步骤:使用HSQ光刻胶在
时间:2023-12-13 热度:0℃