万景（复旦大学微纳系统中心青年研究员）

万景（复旦大学微纳系统中心青年研究员）

万景 （复旦大学微纳系统中心青年研究员） 次浏览 | 2022.09.24 18:48:01 更新 来源 ：互联网 精选百科 本文由作者推荐 万景复旦大学微纳系统中心青年研究员

万景，男，博士，毕业于法国格勒诺布尔大学，现任复旦大学微纳系统中心青年研究员、博士生导师。

研究方向为人工智能与芯片应用系统设计，硅基芯片兼容的新型半导体器件，基于新材料的半导体器件。

中文名

万景

毕业院校

法国格勒诺布尔大学

学位/学历

博士

职业

青年研究员

职务

复旦大学微纳系统中心青年研究员

人物经历

2012.10至2016.08Globalfoundries公司，Malta，美国，高级工程师

2009.07至2012.10法国格勒诺布尔大学纳米电子与纳米技术博士（CNRS，CEA-LETI）

2006.09至2009.07复旦大学微电子与固体电子学硕士

2001.09至2005.07南昌大学电子信息工程学士

主要成就讲述课程

半导体器件物理，研究生必修课；

现代CMOS器件，研究生选修课；

电子系统导论，本科生必修课。

论文专利

[1]万景基于绝缘层上硅的单晶体管主动像素传感器及制备方法，中国专利，授权.CN109728019B

[2]万景，邓嘉男，邵金海，陆冰睿，陈宜方，一种半导体光电传感器，中国专利，授权.CN106711275

[3]万景，邓嘉男，邵金海，陆冰睿，陈宜方，一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法，中国专利，授权.CN106876421

[4]万景，邓嘉男，邵金海，陆冰睿，陈宜方，一种半导体场效应正反馈器件，中国专利，授权.CN106876368

[5]Jing Wan，Andy Wei，Lun Zhao，DaeGeun Yang，Jinping Liu，Tien-Ying Luo，Guillaume Bouche，Mariappan Hariharaputhiran ，Gaire，Churamani，"Devices and methods of forming FinFETs with lf aligned Fin Formation "，US patent.US9147696B2

[6]Jing Wan，Jinping Liu，Guillaume Bouche，Andy Wei，Lakshmanan Vanamurthy，Cuiqin Xu，Sridhar Kuchibhatla，Rama Kambhampati，Xiuyu Cai，"Replacement low-K spacer"，US patent.US9129987B2

[7]Jing Wan，Jinping Liu，Churamani Gaire，Mariappan Hariharaputhiran ，Andy Wei，Bharat Krishnan，Cuiqin Xu，Michael Ganz，"Dopant diffusion barrier to form isolated source/drain in a miconductor device".US patent.Application No.US20150214345A1

[8]Jing Wan，Hu，Xiang，Jinping Liu，Gabriel Padron Wells，Andy Wei，Guillaume Bouche，Cuiqin Xu，“Self-aligned contact openings over Fins of a miconductor device”，US patent.Publication No.US20150303295A1

[9]Jing Wan ，Andy Wei，Jinping Liu，Xiang Hu，Dae-Han Choi，Dae-Geun Yang，Churamani Gaire，Akshey Sehgal，"Forming source/drain regions with single reticle and resulting device"，US patent.publication No.US20150255353 A1

[10] Jing Wan，Guillaume Bouche，Andy Wei，ShaoMing Koh，"Integrated circuits with nanowires and methods of manufacturing the same"，US patent.US9306019B2

[11] Jinping Liu，Jing Wan ，Andy Wei，"Facilitating fabrication gate-all-around nanowire field-effect transistor"，US patent.9263520 B2

[12] Guillaume Bouche，Jing Wan，Andy Wei，ShaoMing Koh，"Methods of Forming Nanowire Devices with Metal-Insulator-Semiconductor Source/Drain Regions and the Resulting Devices"，US patent.publication No.US20150333162 A1

[13] ShaoMing Koh，Guillaume Bouche，Jing Wan，Andy Wei，Methods of Forming Nanowire Devices with Doped Extension Regions and the Resulting Devices，US patent.US9490340B2

[14] ShaoMing Koh，Guillaume Bouche，Jing Wan，Andy Wei，Methods of Forming Nanowire Devices with Spacers andthe Resulting Devices，US patent.US9431512B2

[15] Andy Wei，Jing Wan，Dae-Han Choi，“FinFET with confined Epitaxy”，US patent.publication No.US20160005868

[16] Andy Wei，Guillaume Bouche，Jing Wan，Cao，Huy，“Self-aligned gate contact formation”，US patent.publication No.US9640625B2 （2017）

[17] Andy Wei，Dae Geun Yang，Mariappan Hariharaputhiran ，Jing Wan，“Metal gate structure and method of formation”，US patent.US9608086 B2

[18] Xiang Hu，Andy Wei，Dae-Han Choi，Mariappan Hariharaputhiran ，Wei Hua Tong，Dae Geun Yang，Akshey Sehgal，Jing Wan，“Partially crystallized Fin hard mask for Fin field-effect-transistor (FinFET) device”，US patent.Application No.14/219,059

[19] J.Wan，C.Le Royer，A.Zaslavsky，and S.Cristoloveanu，“Z2-FET field-effect transistor with a vertical subthreshold slope and with no impact ionization”，US patent.US8581310.

[20] J.Wan，C.Le Royer，A.Zaslavsky，and S.Cristoloveanu，“Dynamic memory cell provided with a field-effect transistor having zero swing”，US patent.US8634229

杂志文章

[1]J. Liu，Y. -F. Cao，X. -J. Wang，Y. -L. Jiang*，J. Wan*，A Novel One-transistor Active Pixel Sensor with Tunable Sensitivity， IEEE Electron Device Letters，42，927，(2021) doi: 10.1109/LED.2021.3073930.

[2]J. Liu，S. Cristoloveanu，J.Wan* ，A Review on the Recent Progress of SOI‐bad Photodetectors. Phys. Status Solidi A. doi/10.1002/pssa.202000751；60周年创刊封面文章

[3]J. Liu，K. Xiao，J.-N. Deng，A. Zaslavsky，S. Cristoloveanu，Fy. Liu*，J. Wan*，Optimization of Photoelectron In-Situ Sensing Device in FD-SOI，IEEE Journal of the Electron Devices Society. 187，9，(2021)

[4]Yaochen Sheng，Xinyu Chen，Fuyou Liao，Yin Wang，Jingyi Ma，Jianan Deng，Zhongxun Guo，Sitong Bu，Hui Shen，Fuyu Bai，Daming Huang，Jianlu Wang，Weida Hu，Lin Chen，Hao Zhu，Qingqing Sun，Peng Zhou，David Wei Zhang，Jing Wan*，Wenzhong Bao* ,Gate stack engineering in MoS2 field-effect transistor for reduced channel doping and hysteresis effect，2000395，Advanced electronic material，(2020)，10.1002/aelm.202000395

[5]M. Arsalan，J. Liu，A. Zaslavsky，S. Cristoloveanu，J.Wan*，Deep-Depletion Effect in SOI Substrates and its Application in Photodetectors With Tunable Responsivity and Detection Range，IEEE Transactions on Electron Devices. 3256，67，(2020). 10.1109/TED.2020.2998453

[6]Jing Chen，Junqiang Zhu，Qiyuan Wang，Jing Wan*，Ran Liu，Homogeneous 2D MoTe2 CMOS Inverters and p–n Junctions Formed by Lar-Irradiation-Induced p-Type Doping，2001428，16，Small，(2020). 10.1002/smll.202001428

[7]Fuyou Liao，Jianan Deng，Xinyu Chen，Yin Wang，Xinzhi Zhang，Jian Liu，Hao Zhu，Lin Chen，Qingqing Sun，Weida Hu，Jianlu Wang，Jing Zhou，Peng Zhou，David Wei Zhang，Jing Wan*，Wenzhong Bao*，A Dual-gate MoS₂ Photodetector Bad on Interface Coupling Effect，Small，16，1904369，(2020)

[8]J. Liu，K.-M. Zhu，A. Zaslavsky，S. Cristoloveanu，and J. Wan*，Photodiode with Low Dark Current Built in Silicon-on-Insulator Using Electrostatic Doping，Solid State Electron，168，107733 (2020) 10.1016/j.s.2019.107733

[9]Jianan Deng，Lingyi Zong，Mingsai Zhu，Fuyou Liao，Yuying Xie，Zhongxun Guo，Jian Liu，Bingrui Lu，Jianlu Wang，Weida Hu，Peng Zhou，Wenzhong Bao* and Jing Wan*，MoS2/HfO2/Silicon-on-insulator Dual-photogating Transistor with Ambipolar Photoresponsivity for High-resolution Light Wavelength Detection，Advanced Functional Materials，29，1906242 (2019)

[10]  Yong-Feng Cao，M. Arsalan，J. Liu，Yu-Long Jiang* and J. Wan*，A Novel One-Transistor Active Pixel Sensor With In-Situ Photoelectron Sensing in 22 nm FD-SOI Technology. IEEE Electron Device Letters. 40，738-741 (2019)

荣誉表彰

2019-2021----指导研究生连续三年获IEEE CSTIC国际会议优秀学生论文奖

2019---指导研究生获国家奖学金（系第一名）

2019---指导研究生获复旦-KLA企业奖学金（全校12人之一）

2019---半导体器件顶级期刊 IEEE EDL封面文章

2019----上海市青年科技启明星

2016----海外高层次引进人才青年项目

2014----IEEE EDL金牌审稿人

社会任职

IEEE Senior member

多个IEEE国际会议分会主席和技术委员，如IEEE S3S，IEEE ICSICT，IEEE IWJT，IEEE ICTA 和IEEE ICICDT等。

多个国际会议邀请报告，如IEEE ICSICT，IEEE IWJT，IEEE ICTA 和IEEE ICICDT等。

IEEE EDL，IEEE TED，IEEE TDMR，Applied physics letters，Solid-state electronics，Microelectronics Journal和Journal of applied physics等杂志审稿人。[1]

参考资料