陈涌海（中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任）

陈涌海（中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任）

陈涌海 （中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任） 次浏览 | 2022.09.02 11:57:54 更新 来源 ：互联网 精选百科 本文由作者推荐 陈涌海中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任

陈涌海，湖南人，1967年生，毕业于北京科技大学，博士学位，现任中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师。

主要研究领域为半导体低维结构材料研究、新型复合纳米材料研究、新型半导体光谱技术及应用、半导体自旋电子学研究。

中文名

陈涌海

出生日期

1967年月日

毕业院校

北京大学

学位/学历

博士

职业

科研工作者

职务

中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任

人物经历教育经历

1990年，在北京大学获得学士学位

1993年，在北京科技大学获得硕士学位

1998年，在中科院半导体所获得博士学位

工作经历

现任中科院半导体所半导体材料科学重点实验室主任、博士生导师，

主要成就科研成就

科研项目

国家自然科学基金重大项目课题“新型半导体量子结构的设计、制备和表征”（2003年至2006年）；

973项目课题“大失配异质结构材料生长动力学与柔性衬底”（2001年至2005年）；

863项目“光泵浦、光通信用自组装量子点激光器”（2002年至2005年）；

国家自然科学基金重大规划项目“磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光器”（2003年至2005年）；

国家自然科学基金面上项目“半导体材料平面光学各向异性研究”（2000年至2002年）。

发表论文

Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997.

Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998.

Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998.

Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999.

Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of mi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039

Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001.

Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002.

H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of ed layer on the realization of larger lf-asmbled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039

Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self asmbled quantum dots, wires and quantum-dot lars, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.

荣誉表彰

获2004年国家重点基础研究计划（973）先进个人称号

2006年度杰出青年基金获得者

2009年新世纪百千万人才工程国家级人选等奖励和荣誉

参考资料