简要介绍如何使用VASP及相关软件来计算和处理用来分析成键过程的电荷密度差（charge density difference）
VASP 软件经验 电荷密度 电子结构
这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移的电荷密度差。
此时电荷密度差定义为：
delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom
其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度，而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的，即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。
不同晶面的 RHO_sc 可由自洽计算的CHG或CHGCAR得到；
而计算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽计算得到:
仍使用原来自洽计算时的四个输入文件，但INCAR中需要设置 ICHARG=12 和 NELM=0，其他设置不变。
需要特别注意的，应保持前后两次计算（自洽和非自洽）中的 FFT-mesh 一致。因为，只有维数一样，我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过，只要按上一段提到的设置方法做就行了，无须特别增加别的设置。
数据处理：
矩阵相减：使用MatLab或是自已写个小程序。
作图：Origin 或 MatLab。
