晶圆激光剥离表面处理的激光形成方法

2024年3月29日发(作者：600字议论文)

晶圆激光剥离表面处理的激光形成方法

晶圆激光剥离是一种常用的表面处理方法，可以通过激光的作用将

晶圆表面的某一层材料剥离下来，从而实现材料的分离或修饰。在

晶圆加工和集成电路制造过程中，晶圆激光剥离被广泛应用于薄膜

的剥离、材料的去除以及器件的制备等方面。

晶圆激光剥离的基本原理是利用激光的能量在材料表面产生高温和

高压，使材料局部熔融或蒸发，从而实现材料的剥离。激光剥离的

过程可以分为吸收、传导、膨胀和剥离四个阶段。

在激光照射下，晶圆表面的材料吸收激光能量，能量被转化为材料

内部的热能。不同材料对激光的吸收能力不同，吸收能力越强的材

料在激光照射下温度升高越快。其次，热量通过材料的传导作用逐

渐向材料内部扩散，形成一个热量递减的梯度。这个梯度使得材料

表面的温度高于内部，从而使材料局部发生熔融或蒸发。再次，熔

融或蒸发产生的气体膨胀，形成高压区域。最后，在高压的作用下，

材料的表面层被迅速剥离。

晶圆激光剥离的激光形成方法主要有连续波激光、脉冲激光和超快

激光等。连续波激光是将连续的光束聚焦到晶圆表面，通过持续的

热作用实现材料的剥离。脉冲激光是将高能量的激光束以脉冲的形

式照射到晶圆表面，通过瞬时的高温和高压作用实现材料的剥离。

超快激光是将飞秒激光束照射到晶圆表面，通过超快的光-物质相互

作用实现材料的剥离。不同的激光形成方法适用于不同的材料和剥

离要求。

晶圆激光剥离的应用范围广泛。在半导体工业中，晶圆激光剥离被

用于薄膜的剥离和器件的制备。例如，在光伏产业中，晶圆激光剥

离被用于将薄膜太阳能电池的活性层从衬底上剥离下来，从而实现

太阳能电池的制备。在集成电路制造中，晶圆激光剥离被用于将晶

圆上的金属层、多晶硅层等材料剥离下来，从而实现电路的制备和

修饰。

晶圆激光剥离还被用于材料的去除和修饰。在材料科学研究中，晶

圆激光剥离被用于去除材料表面的污染层、氧化层等。在表面修饰

中，晶圆激光剥离被用于在材料表面形成微纳米结构，从而改变材

料的光学、电学和力学性能。

晶圆激光剥离是一种重要的表面处理方法，通过激光的作用实现材

料的剥离和修饰。不同的激光形成方法适用于不同的材料和剥离要

求，在半导体工业和材料科学研究中有着广泛的应用前景。随着激

光技术的不断发展和进步，晶圆激光剥离将在未来得到更广泛的应

用。