MgF2薄膜的制备方法及其应用

2024年3月1日发(作者：我是重庆人)

云南师范大学学报（自然科学版）　２０１３年９月一３３卷５期（Ｖｏｌ。３３　Ｎｏ．５）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｙｕｎｎａｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ＤＩＯ：１０．７６９９／ｊ．ｙｎｎｕ．ＩｌＳ一２０１３－０６６　ＭｇＦ２薄膜的制备方法及其应用　李石周，　廖华，　安家才，　王建秋，　付蕊，　肖祥江，　白红艳，　谢明达　（云南师范大学太阳能研究所；教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室；　云南省农村能源工程重点实验室，云南昆明６５００９２）　摘要：　概述了ＭｇＦ　薄膜的制备方法及其在各领域中的应用。通过对制备方法的对比研究和分　析，得到：众多的方法中，真空蒸发具有较为简单的设备和方法；而应用最多的是电子束蒸发法。ＭｇＦ：　薄膜以其优异的性能已广泛应用于各行业中。　关键词：氟化镁；制备方法；应用；减反射膜　中图分类号：０４８４　文献标志码：　Ａ　文章编号：　１００７—９７９３（２０１３）０５—００３４—０４　氟化镁（ＭｇＦ　）是无色金红石（ＴｉＯ　）型结构，　四方晶系，点群４／ｍｍｍ，空问群Ｐ４２／ｍｎｍ．作为一　种广泛应用的光学性能优良的镀膜材料，氟化镁　薄膜具有折射率低（ｎ＝１．３８）、透明波段宽　（１２０ｎｍ～８　０００ｎｍ）、能隙宽（Ｅ　＝１１ｅＶ）、热稳定　性好、机械强度大和激光损伤阈值高等优异性能，　是制备增透膜、高反膜和高损伤阈值膜的重要材　料　，因此ＭｇＦ　薄膜在各种光学膜层制备中有　着广泛的应用。　如化学均匀性好、纯度高、颗粒细、操作简单等。　但其工艺程序复杂、薄膜厚度与均匀性控制稍差。　崔延霞等采用溶胶一凝胶法　Ｊ，以醋酸镁和　氟化氢为原料，用甲醇为溶剂制备了ＭｇＦ，溶胶，　并利用浸渍提拉法在石英基片上镀膜，结果表明：　通过该方法制备出的ＭｇＦ　薄膜表面平整，在紫外　区的增透性能良好，具有较高的抗激光损伤性能。　１．２脉冲激光淀积法　脉冲激光淀积法（ＰＬＤ）是一种广泛应用的新　兴的薄膜制备技术，与其他技术相比最主要的优　点是它能得到化学配比良好的材料，目前已广泛　应用于化合物半导体材料Ｉ　和超导材料　的　制备。　本文研究ＭｇＦ：薄膜的制备方法及其相关应　用，逐渐探索其在太阳电池上的应用。　ｌ　ＭｇＦ：薄膜的制备方法　目前ＭｇＦ，薄膜的制备方法主要有：真空蒸发　法、磁控溅射法、溶胶一凝胶法、脉冲激光淀积法　等，其中应用最多的是电子束蒸发法。　１．１溶胶一凝胶法（Ｓ０ｌ—ｇｅｌ法）　溶胶．凝胶法…是６Ｏ年代发展起来的一种　制备玻璃、陶瓷等无机材料的新方法。它是将金　属醇盐或无机盐经水解或经解凝形成溶胶，然后　再将溶质聚合凝胶化、干燥、焙烧，最后得到无机　于琳等利用脉冲激光淀积方法制备了ＭｇＦ　光学薄膜　，对其表面形貌以及光学性质进行了　测试分析。ｘ射线光电子能谱分析显示样品具有　很好的化学组分配比，Ｆ／Ｍｇ原子比在１．９～２．１　之间，接近体材料，在可见光波段其光透过率为　６０％～８０％，在红外波段达到了９０％以上，而且　由克喇末一克劳尼格关系（简称ＫＫ关系）变换计　算的折射率大约为１．３９，也接近体材料折射率　１．３８．　材料的一种方法。它与许多其他的纳米微粒的制　备方法（如溅射法、水热法等）相比，有很多优点，　２．３磁控溅射法　磁控溅射技术也是被广泛应用的制备薄膜的　收稿日期：２０１３—０７—１８　作者简介：李石周（１９８５一），男，云南马龙人，硕士研究生，主要从事太阳电池方面的研究．　通信作者：廖华，博士，研究员，主要从事太阳能光伏应用研究．Ｌｉａｏｈｕａ８＠ｖｉｐ．ｓｉｎａ．ｃｏｎ　

第４期　李石周，等：ＭｇＦ　薄膜的制备方法及其应用　・３５・　方法，与其他方法相比，具有较低的沉积温度、较　高的溅射速率、沉积的薄膜附着力强、设备操作简　便、制造成本较低、易于进行大批量生产等优点，　目前已广泛用于各种薄膜材料的制备　“Ｊ。　史守华等采用射频磁控溅射技术¨　在室温　ｓｉ基片上制备出厚度分别２５．Ｏｎｍ和６０．７ｎｍ的　ＭｇＦ　薄膜样品，对薄膜的光学常数测试分析，结　果表明：在２５０～８３０ｎｍ光频范围内，随着膜厚增　加，ＭｇＦ：薄膜的光学常数Ｉ１、ｋ的变化范围减　小，平均值增大，而且ＭｇＦ：薄膜样品的吸收曲线　中，在波长入为２７０ｎｍ和３６０ｎｍ处均出现吸收　峰，分析表明是由通过辐射产生的Ｆ心引起的吸　收峰。孙兆奇等¨　用射频磁控溅射法在室温ｓｉ　基片上制备了６０．７～１　５４５．０ｎｍ范围内不同厚度　的ＭｇＦ：薄膜，并对其微结构和应力分布进行了测　试分析，结果表明：制备的ＭｇＦ，薄膜在　＝３０ｍｍ　选区内全场平均应力均表现为张应力；随膜厚增　加，其平均应力值开始呈近似线性缓慢减小，当膜　厚大于ｉ　２００ｎｍ时，其平均应力及应力差基本趋　于稳定。　但是Ｍａｒｔｉｎｕ等¨　采用磁控溅射方法制备　ＭｇＦ：薄膜时，氟镁比例与标准计量比差距较大，　氟缺陷很多，而且存在多余的氧。因而如何得到　氟镁比良好且折射率低的氟化镁薄膜成为人们一　直关注的一个重要课题。　２．４真空蒸发法　真空蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且　主要的真空镀膜方法。而电子束蒸发是将膜材放　入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使膜材中　的原子或分子从表面汽化逸出后入射到基片表面　凝结成膜¨　。　尚淑珍等采用传统的电子束热蒸发方法镀制　的１９３ｎｍ　Ａ１：Ｏ，／ＭｇＦ　反射膜　，并对它们在空　气中分别进行了２５Ｏ—４００℃的高温退火，发现样　品的光学损耗随退火温度的升高而下降，而后趋　于饱和，而且还发现随着退火温度的升高散射损　耗有所增加。郑臻荣等¨　用电子束蒸发在Ｋｑ玻　璃上制备了由ＴｉＯ，和ＭｇＦ，两种材料构成的８层　结构的在４００～９００ｎｍ波段上的超宽带减反射　膜，实验结果表明：用这两种材料设计的超宽带减　反射膜有很好的减反射效果，而且对于垂直入射　的情况，多种材料的膜系并不比两种材料更具优　越性。袁海荣　在Ａｌ　Ｃａ。　Ａｓ／ＧａＡｓ太阳电池　表面蒸镀ＭｇＦ　／ＺｎＳ双层减反射膜可明显减少太　阳光的反射，增加光吸收，提高太阳电池短路电流　和转换效率。　虽然氟化镁（ＭｇＦ，）在紫外波段是光学薄膜　最具应用潜力的材料之一，并且已被广泛研　究¨　２　５ｌ，但是其薄膜的性能在很大程度上与沉积　方法和沉积工艺条件密切相关　卜　，而掌握和控　制各个具体制备条件是制造优质薄膜的重要环　节，因此有必要对ＭｇＦ，薄膜做更深入的研究。然　而由于ＭｇＦ：薄膜的光学损耗比较低，因此在所有　的沉积方法中比较合适的是真空蒸发法，而沉积　温度又是最重要的工艺参数之一¨　。　２　ＭｇＦ：薄膜的应用　２．１　ＭｇＦ，薄膜在化工领域的应用　氟化镁既是一种氟化工行业的下游产品，同　时也是一种重要的无机化工原料。它是生产玻　璃、特种陶瓷和热压晶体的重要原料，可作为冶炼　金属铝和镁的助熔剂，作为焊接剂，作为颜料的涂　着剂，另外还可用于制备光学仪器中的各种镜片、　滤光涂层和阴极射线屏中的荧光材料等精密部　件。随着科技的发展，近年来对紫外和红外研究　不断的深入，其应用越来越广，氟化镁的应用需求　也将逐步增大　Ｊ。　在具有钙钛矿结构的Ｌａ　Ｃａ　ＭｎＯ　（简记为　ＬＣＭＯ）薄膜上蒸镀ＭｇＦ　保护膜　，研究表明该　薄膜可以有效地保护ＬＣＭＯ薄膜不被损坏、提高　探头的稳定性，并且蒸镀上ＭｇＦ　保护膜后，其激　光感生电压（ＬＩＴＶ）峰值与激光能量仍然成较好　的线性关系。孙兆奇等　采用真空蒸发技术制　备了Ｃｕ—ＭｇＦ　纳米金属陶瓷薄膜。微结构分析表　明该薄膜由ｆｅｅ—Ｃｕ晶粒均匀分布于主要呈非晶　态的ＭｇＦ　陶瓷基体中构成的，其平均粒度约为　ｌ４～１６ｎｍ．而对Ｃｕ—ＭｇＦ　纳米金属陶瓷薄膜的吸　收光谱特性测试表明：随波长增加，吸收减小；Ｃｕ　纳米晶粒的表面等离子共振在５６０ｎｍ处出现吸　收峰；短波长区表现出较强的Ｃｕ的带间跃迁吸　收。同时用三维弥散系统的Ｍａｘｗｅｌｌ—Ｇａｒｎｅｔｔ理论　计算的Ｃｕ—ＭｇＦ　复合体系的吸收光谱与实验结果　基本吻合。因而能够从理论上对Ｃｕ．ＭｇＦ　复合体　系的实验吸收光谱特性作出较好的解释。　２．２　ＭｇＦ，薄膜在减反射膜上的应用　氟化镁薄膜由于折射率低、透明波段宽、能隙　宽、热稳定性好等优异性能　，因此ＭｇＦ，薄膜在　减反射膜上也有着广泛的应用。　孙秀菊等采用真空热蒸发技术－３　，制备出　

・３６・　云南师范大学学报（自然科学版）　第３３卷　性能优良的ＭｇＦ　／ＺｎＳ双层减反射薄膜，其研究　表明衬底温度为２００￣Ｃ且ＭｇＦ：／ＺｎＳ厚度为　１１０ｎｍ～３５ｎｍ时具有最佳减反射效果。罗小　兰　利用混合介质理论模型和ＴＦＣａｌｃ膜系设计　软件，通过双源共蒸工艺制备了ＭｇＦｚ－ＴｉＯ　混合　渐变折射率薄膜。结果发现随着膜厚的增加，薄　膜的折射率从２．１８逐渐降至１．５９，并且以指数　函数发生渐变，这种薄膜在４００～８００ｎｍ波段的　平均反射率仅为５．５６％，减反特性优于分层介质　减反膜，不仅在中心波长附近消除了菲涅尔反射，　取得全透效果，而且还基本实现了全方位减反，适　合于全天候的服役环境。　３　结束语　随着科技的不断发展，ＭｇＦ　在光学仪器、特　种陶瓷、玻璃和冶金等领域的用途越来越广泛，对　其性能的要求也越来越高，而制备方法与其性能　密切相关。各种制备方法都有其各自的优缺点，　研究比较表明：真空蒸发是较为适合的ＭｇＦ　薄膜　制备方法；而其中应用电子束蒸发法制备ＭｇＦ　的　研究较多；与其他薄膜材料，如：ＺｎＳ、ＴｉＯ　等构成　双层膜系，探索其在太阳电池上的应用。近年来，　ＭｇＦ　薄膜的研究在不断深人，并且以其优异的性　能在较多的领域中获得研究及应用。　参考文献：　［１］　王宝玲，吴兴惠，柳清菊，等．溶胶一凝胶法制备氧化　铝薄膜的研究［Ｊ］．云南大学学报：自然科学版，　２００２，２４（１Ａ）：５６—６２．　［２］　崔延霞，张磊，徐耀，等．溶胶一凝胶法ＭｇＦ　紫外增透　膜的制备和性能研究［Ｊ］．强激光与粒子，２００８，２０　（３）：４０１—４０５．　［３］　ＪＯＳＥＰＨ　Ｍ，ＴＡＢＡＴＡ　Ｈ，ＫＡＷＡＩ　Ｔ．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｂｅ—　ｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　Ｌｉ—ｄｏｐｅｄ　ＺｎＯ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　Ｓｉ（１００）ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ．，１９９９，　７４：２５３４—２５３６．　［４］ＣＨＯ　Ｋ　Ｇ，ＫＵＭＡＲ　Ｄ，ＬＥＥ　Ｄ　Ｇ．Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｌｕｍｉｎｅｓ—　ｅｅｎｃｅ　ｐｒｏｐｅｒｉｅｓ　ｏｆ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　Ｅｕ：Ｙ２　Ｏ３　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｏｎ　ｄｉａｍｏｎｄ　ｃｏａｔｅｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．　Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９７，７１：３３３５—３３３７．　［５］　Ｓｈｉｎｄｅ　Ｓ　Ｒ，Ｏｇａｌｅ　Ｓ　Ｂ，Ｇｒｅｅｎｅ　Ｒ　Ｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎ—　ｄｕｃｔｉｎｇ　ＭｇＢ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　［Ｊ］．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ．，２００１，７９：２２７－２２９．　［６］　于琳，韩新海，王冠中，等．脉冲激光淀积ＭｇＦ　薄膜　的制备及性质研究［Ｊ］．量子电子学报，２００４，２１　（１）：４８－５０．　［７］ＰＡＬ　Ｕ，ＳＥＧＵＲＡ　Ｇ　Ｃ，ＣＯＲＯＮＡ　Ｏ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｇｅ／ＺｎＯ　ｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ　ｂｙ　ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ａｌｔｅｒｎａｔｅ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．　Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ，　２００３，７６（３）：３０５—３１２．　１　８　１　ＦＡＮ　Ｄ　Ｈ，ＮＩＮＧ　Ｚ　Ｙ，ＪＩＡＮＧ　Ｍ　Ｆ．Ｃｈａｒａｃｔｅｉｒｓｔｉｃｓ　ａｎｄ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｇｅ　ｄｏｐｅｄ　ＺｎＯ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ａｌｔｅｒｎａｔｅ　ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｓｕｒ　Ｓｃｉ，２００５，２４５（１—４）：４１４—４１９．　［９］　ＡＷＡＮ　Ｓ　Ａ，ＧＯＵＬＤ　Ｒ　Ｄ，ＳＧＲＡＶＡＮＯ．Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　ｉｎ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｒ．ｆ．ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ｕｓｉｎｇ　ｎｉｔｒｏｇｅｎ　ｇａｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，１９９９，３５５－３５６：４５６—４６０．　［１０］陈蓓蓓，蔡瑜，周涛．溅射工艺参数对ＴｉＡＩＮ薄膜力　学性能及结构成分的影响［Ｊ］．机械工程材料，　２００７，３１（９）：１５—２２．　［１１］ＲＡＮＡ　Ｍ　Ｍ，ＢＵＴＬＥＲ　Ｄ　Ｐ．Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｓｐｕｔ—　ｔｅｒｅｄ　Ｓｉｌ…Ｇｅ　ａｎｄ　Ｓｉ１…Ｇｅ　Ｏ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｆｏｒ　ｕｎｃｏｏｌｅｄ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｌ　Ｊ　１．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００６，５１４　（１－２）：３５５—３６０．　［１２］史守华，何玉平，宋学萍，等．ｓｉ基片上射频磁控溅　射ＭｇＦ：薄膜的光学常数研究［Ｊ］．合肥工业大学学　报：自然科学版，２００３，２６（３）：３８４—３８７．　［１３］孙兆奇，吕建国，何玉平，等．射频磁控溅射的不同　厚度ＭｇＦ　薄膜的微结构和应力特性［Ｊ］．硅酸盐学　报，２００４，３２（６）：７００—７０３．　［１４］ＭＡＲＴＩＮＵ　Ｌ，ＢＩＥＤＥＲＭＡＮ　Ｈ，ＨＯＬＬＡＮＤ　Ｌ．Ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍｓ　ｐｒｅｐａｒｅｄ　ｂｙ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ＭｇＦ２　ｉｎ　ａｎ　ｒｆ　ｐｌａｎａｒ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，１９８５，３５（１２）：５３１．　［１５］陈敏，王存华．真空镀膜机的原理及故障分析［Ｊ］．　光电子技术，２００２，２２（２）：１１４—１１８．　［１６］尚淑珍，邵建达，沈健，等．退火对电子束热蒸发　１９３ｎｍ　Ａ１　Ｏ　／ＭｇＦ　反射膜性能的影响［Ｊ］．物理学　报，２００６，５５（５）：２６３９－２６４３．　［１７］郑臻荣，顾培夫，陈海星，等．超宽带减反射膜的设　计和制备［Ｊ］．光学学报，２００９，２９（７）：２０２６—２０２９．　Ｉ　ｌ８　ｌ　ＺＵＫＩＣ　Ｍ，ＴＯＲＲ　Ｄ　Ｇ，ＳＰＡＮＮ　Ｊ　Ｆ，ｅｔ　ａ１．Ｖａｃｕｕｍ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ．１：Ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｓｔａｎｔｓ　ｏｆ　ＢａＦ２，　ＣａＦ２，ＬａＦ３，ＭｇＦ２，Ａ１２Ｏ３，ＨｆＯ２　ａｎｄ　ＳｉＯ２［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｏｐｔ，１９９０，２９（２８）：４２８４—４２９２．　『１９］ＥＶＡ　Ｅ，ＭＡＮＮ　Ｋ，ＳＣＨＡＬＬＥＮＢＥＲＧ　Ｕ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎ—　ｌｆｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｎｕｍｂｅｒ　ｏｆ　ｄｏｕｂｌｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄａｍ　ａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｏｆ　Ａ１２　Ｏ３／ＳｉＯ２　ａｎｄ　ＬａＦ３／ＭｇＦ２　ｍｉｒｒｏｒｓ　ａｔ　２４８　ｎｍｌ　Ｃ　１．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９５，２７１４：４９９—５１０．　１　２０　ＫＡＩＳＥＲ　Ｎ，ＡＮＴＯＮ　Ｂ，ＪＡＥＮ　ＣＨＥＮ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｓｅｒ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ　ｏｆ　ＬａＦ３／ＭｇＦ２　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ｅｘ—　ｃｉｍｅｒ　ｌａｓｅｒｓ［ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９５，２４２８：４００　－４０９．　［２１］ＤＩＪＯＮ　Ｊ，ＱＵＥＳＮ　ＥＬ　Ｅ，ＲＯＬＬ　ＡＮＤ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｄａｍａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ　ＵＶ　ｍｉｒｒｏｒｓ　ｍａｄｅ　ｂｙ　ｉｏｎ　

第４期　李石周，等：　ＭｇＦ：薄膜的制备方法及其应用　・３７・　ｂｅａｍ　ｓｐｕｔｔ—ｅｒｉｎｇ［Ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１９９８，３２４４：４０６—　４１６．　Ｖｉｓｉｂｌｅ　ｌｉｇｈｔ　ｐｈｏｔｏｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　４－ｃｈｌｏｒｏｐｈｅｎｏｌ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｏｋｅ—ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｔｉｔａｎｉｕｍ　ｄｉｏｘｉｄｅ　ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｔ［Ｊ］．　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃａｔｌｙｓａｉｓ　Ｂ：Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ，２００１，３２（４）：２１５　－［２２］ＰＲＯＴ　ＯＰＡＰＡ　Ｍ　Ｌ，ＰＥＲＲＯＮＥ　Ｍ　Ｒ，ＰＩＥＧＡＲＩ　Ａ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｓｅｒ　ｄａｍａｇｅ　ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　２２７．　ｂｙ　ｐｈｏｔｏａｃｏｕｓｔｉｃ　ｂｅａｍ　ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ［Ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，　２０００。３９０２：１７５—１８１．　［２９］ＳＨＡＨＥＤ　Ｕ　Ｍ　ＫＨＡＮ，ＭＯＦＡＲＥＨ　ＡＬ—ＳＨＡＨＲＹ，　ＷＩＬＬＩＡＭ　Ｂ　ＩＮＧＬＥＲ，ｅｔ　ａ１．Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ　［２３］ＰＲＯＴ　ＯＰＡＰＡ　Ｍ　Ｌ，ＤＥ　ＴＯＭＡＳＩ　Ｆ，ＰＥＲＲＯＮＥ　Ｍ　ｗａｔｅｒ　ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ　ｂｙ　ａ　ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ｎ—ＴｉＯ２［Ｊ］．　Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００２，２９７（５５９０）：２２４３—２２４５　Ｒ．Ｌａｓｅｒ　ｄａｍａｇｅ　ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｎ　ＭｇＦ２　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｖａｃ　Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ，２００１，１９（２）：６８１—６８８．　［３０］陈崧哲，张彭仪，祝万鹏，等．可见光响应光催化剂　研究进展［Ｊ］．化学进展，２００４，１６（４）：６１３—６１９．　［２４］ＹＯＳＨ　ＩＤＡ　Ｋ，ＯＨＹＡ　Ｍ，Ｈ　ＡＴ　ＯＯＫＡ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．　Ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｐｏｒｏｕｓ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｆｏｒ　ＵＶ　［３１］俞守耕．钙钛矿型氧化物在净化汽车尾气催化剂中　的应用［Ｊ］．贵金属，２００１，２２（２）：６１—６６．　ａｎｄ　ＤＵＶ　ｌａｓｅｒｓ［ｃ］．Ｐｒｏｃ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，２００２，４６７９：４２９　—４３４．　［３２］杨永安，刘翔，张鹏翔．ＭｇＦ　保护膜的制备及其性能　研究［Ｊ］．云南冶金，２００６，３５（１）：５６—５８．　［３３］孙兆奇，吴桂芳，李爱侠，等．Ｃｕ．ＭｇＦ　纳米金属陶瓷　［２５］ＲＩＳＴ　Ａｕ　Ｄ，ＧＵＮＳＴＥＲ　Ｓ，ＢＯＳＣＨ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｕｌｔｒａｖｉｏ—　ｌｅｔ　ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ａｎｄ　ＬａＦ３　ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｉｏｎ－ｂｅａｍ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ　ａｎｄ　ｂｏａｔ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｂｅａｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｏｐｔ，　２００２，４１（１６）：３１９６—３２０４．　薄膜的微结构及吸收光谱特性研究［Ｊ］．安徽大学　学报：自然科学版，２０００，２４（３）：６４—６９．　［３４］占美琼，黄建兵，尚淑珍，等．真空退火对３５５ｎｍ　［２６］袁海荣．Ａｌ　Ｇａｌ一　Ａｓ／ＧａＡｓ太阳电池ＭｇＦ２／ＺｎＳ双层　减反射膜的研究［Ｊ］．太阳能学报，２０００，２１（４）：３７１　－Ａ１　０，／ＭｇＦ：高反射薄膜性能的影响［Ｊ］．强激光与　粒子束，２００４，１６（１１）：１３８９—１３９２．．　［３５］孙秀菊，李海玲，励旭东，等．硅太阳电池用ＭｇＦ，／ＺｎＳ　双层减反射薄膜的制备及表征［Ｊ］．人工晶体学报，　２００９，３８（３）：５４７－５５０．　３７８．　［２７］ＡＳＡＨＩ　Ｒ，ＭＯＲＩＫＡＷＡ　Ｔ，ＯＨＷＡＫＩ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｖｉｓｉ—　ｂｌｅ——ｌｉｇｈｔ　ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ　ｉｎｎｉｔｒｏｇｅｎ——ｄｏｐｅｄ　ｔｉｔａｎｉｕｍ　ｏｘｉｄｅｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００１，２９３（１３）：２６９－２７１．　［２８］ＬＥＴＩ＇ＭＡＮＮ　Ｃ，ＨＩＬＤＥＮＢＲＡＮＤ　Ｋ，ＫＩＳＣＨ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．　［３６］罗小兰．ＴｉＯ　系光学减反膜的设计与制备［Ｄ］．湖南　大学，２０１１．　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　ｉｔｓ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＭｇＦ２　Ｆｉｌｍｓ　ＬＩ　Ｓｈｉ—ｚｈｏｕ，ＬＩＡＯ　Ｈｕａ，ＡＮ　Ｊｉａ－ｃａｉ，ＷＡＮＧ　Ｊｉａｎ—ｑｉｕ，ＦＵ　Ｒｕｉ，　ＸＩＡＯ　Ｘｉａｎｇ－ｊｉａｎｇ，ＢＡＩ　Ｈｏｎｇ—ｙａｎ，ＸＩ　Ｅ　Ｍｉｎｇ—ｄａ　（Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ；Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ａｄｖａｎｃｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　Ｒｅｎｅｗａｂｌｅ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ｍｉｎｉｓｔｙ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｒｏｎ；Ｙｕｎｎａｎ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ　Ｋｅｙ　Ｌａｂ　ｏｆ　Ｒｕｒａｌ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，　Ｙｕｎｎａｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｋｕｎｍｉｎｇ　６５００９２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄｓ　ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＭｇＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｗｅｒｅ　ｏｕｔｌｉｎｅｄ．Ｉｔ　ｉｓ　ｆｏｕｎｄ　ｔｈａｔ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，ｖａｃｕｕｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｈａｓ　ｓｉｍｐｌｅ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ　ｗｈｉｌｅ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｉｓ　ｍｏｓｔ　ｗｉｄｅｌｙ　ｕｓｅｄ．Ｆｏｒ　ｉｔｓ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ＭｇＦ２　ｆｉｌｍｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｗｉｄｅｌｙ　ｕｓｅｄ　ｉｎ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｉｎｄｕｓｔｒｙ　ｆｉｅｌｄｓ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：　Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ　ｆｌｕｏｒｉｄｅ；Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ；Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ；Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｆｉｌｍｓ