2024年1月10日发(作者:爱好广泛)
第1.2课时
教学内容:1、半导体的基本知识
2、PN结的形成及特点,半导体二极管的结构、特性、参数、应用电路
教学目标:
知识目标:让学生了解半导体材料的基本结构及PN结的形成,掌握PN结的单向导电工作原理
技能目标:能运用常用公式解题。
情感目标:1.养成良好的学习习惯
2.树立坚强乐学的意识
教学重点:从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手,重点介绍PN结的单向导电工作原理、
教学难点:PN结的单向导电工作原理
教学准备:教学PPT。
教学过程:
引述导入:今天我们来学习交流电路。
板书课题:半导体的基本知识
新授内容:
1 半导体的基本知识
1.1 半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料,我们称之为半导体。在电子器件中,常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;以及掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
半导体有以下特点:
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1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。
3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。
1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。
P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。
在N型半导体中自由电子是多数载流子,在P型半导体中空穴是多数载流子.
2 PN结的形成及特性
2.1 PN结的形成:
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。在P和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,就是所谓的PN结。
2.2 PN结的单向导电性
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。
PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。
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2.3 PN结的反向击穿
当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。反向击穿分为电击穿和热击穿,电击穿包括雪崩击穿和齐纳击。PN结热击穿后电流很大,电压又很高,消耗在结上的功率很大,容易使PN结发热,把PN结烧毁。
热击穿——不可逆;电击穿——可逆
3 半导体二极管
2.3.1 半导体二极管的结构
在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。
(1) 点接触型二极管:PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
(2) 面接触型二极管:PN结面积大,用于工频大电流整流电路。
(3) 平面型二极管:往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。
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