双端口SRAM

2023年12月30日发(作者：吊睛白额虎)

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN2.5

(22)申请日 2021.07.27

(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

(72)发明人 陈品翰 郭成磊

(74)专利代理机构 31211 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 郭四华

(51)

G11C11/413(20060101)

G11C14/00(20060101)

(10)申请公布号 CN 113611343 A

(43)申请公布日 2021.11.05

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

双端口SRAM

(57)摘要

本发明公开了一种双端口SRAM，

SRAM单元结构具有双端口，在版图上，两个端口对应的选择管就近设置在对应的存储节点的下拉管附近，SRAM单元结构的单元版图结构呈中心对称，第一子单元版图结构中一个选择管和第一下拉管采用相同的有源区，另一个选择管的有源区设

置的第一下拉管和第一上拉管的有源区之间。本发明能提高各端口对两个存储节点的读取路径的对称性从而能提高读取电流的对称性，同时还降低PMOS的电学性能的变异量，从而提高PMOS的电学性能的稳定性。

法律状态

法律状态公告日

2021-11-05

法律状态信息

公开

法律状态

公开

权 利 要 求 说 明 书

【双端口SRAM】的权利说明书内容是......请下载后查看

说 明 书

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