电性热点定位分析InGaAs

2023年12月13日发(作者：深蓝华亭)

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电性热点定位分析InGaAs

电性热点定位分析

电性热点定位（InGaAs，OBIRCH，EMMI）

一、InGaAs:

1.捉 Defect 的时间,比CCD 短 5 ~ 10 倍.

2.可捉到CCD捉不到的 Defect (可捉到微小电流及先进制程的

defect).

3.愈先进的制程愈需要InGaAs才能捉到 Defect 点.

4.可捉到较轻微的 Metal bridge 及微小电流 (CCD 完全捉不到).

二、OBIRCH:

利用激光束在器件表面扫描，激光束的部分能量转化为热量。如果互联机中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域，将引起局部温度变化，从而引起电阻值改变ΔR

三、 EMMI :

From package to Silicon: 样品不用Decap处理可直接进行分析− 厘清是否为封装异常,短路介于20 mΩ ~ 1 GΩ间，都有机会可利用此设备抓到异常点

InGaAs，OBIRCH，EMMI区别详见下表：

EMMI(SInGaAs

i CCD)

Yes

OBIRCH

THEMOS

mini(InSb)

Yes

注

Front Yes

side

Back

Yes

side

Yes

EMMI因镜头材质.对backside的分辨率较弱

OBIRCH只能以内建电源进行

分析(1路)

平台与镜头旋转角度限制

Yes Yes Yes

Powe25V/100uA,10V/100mr限可外接 可外接

A

制

probe架4 4 4

设

可外接

2 分析速度

慢 快 快 快

THEMOS mini因只分析热传捕捉激光加热后的电阻变光子 光子 热(可不进行破坏) 导梯度,可透过金特性 化

属或黑胶进行侦测

400nm900nm波长

～～NA 3.7um～5.2um

范围

1150nm 1700nm

LED(uA级&mA级).ICMOSFET适合IC漏电.短路

漏电漏电IC

分析IC短路.电阻式漏电 PCB短路,LU失效定(mA漏电案件 位

级),LU(uA级)

失效定位

金属遮金属遮蔽.电蔽.电不易金属遮蔽且不易加阻式缺阻式缺分析热.多晶电阻或偏压功耗较小.热度低

陷.不陷

特性 电场的干扰

发光缺.不发陷 光缺陷

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