四象限InGaAs APD探测器的研究

2023年12月13日发(作者：写物作文)

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四象限InGaAs APD探测器的研究

王致远;李发明;刘方楠

【期刊名称】《光通信研究》

【年(卷),期】2007(000)006

【摘 要】文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo

Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性.

【总页数】4页(P43-46)

【作 者】王致远;李发明;刘方楠

【作者单位】重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065

【正文语种】中 文

【中图分类】TN3

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