InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

2023年12月13日发(作者：保证书)

-

文章编号：１６７２—８７８５（２０１２）０３—００１７－０５　ＩｎＧａＡｓ光纤探测器封装及耦合效率　影响因素研究　莫德锋１，２　刘大福　，。　徐勤飞　，２　吴家荣１，２　（１．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海２０００８３；　２．中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料和器件重点实验室，上海２０００８３）　摘　要：设计了ＩｎＧａＡｓ探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构，测试了芯片耦合前后　的性能变化，并分析了影响耦合效率的因素。结果表明，石英光纤与ＩｎＧａＡｓ探测器芯　片可以较好地耦合。在０．９—１．７　波段，当采用与芯片尺径相当的１００　光纤进行　无透镜直接耦合时，耦合效率可达３０％以上；当采用芯径为５００　的光纤耦合时，耦　合效率可达５５％以上。多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片　表面的间距偏差的增加，高斯分布曲线的半宽值增大，光束逐渐发散。芯片与光纤的对　准偏差对耦合效率的影响很大，其中对横向偏移量的依赖性最强　关键词：ＩｎＧａＡｓ探测器；光纤耦合；耦合效率　中图分类号；ＴＮ２１５；ＴＮ２５３文献标识码：Ａ　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７２—８７８５．２０１２．０３．００４　￣Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　Ｆａｃｔｏｒ　ａｎｄ　Ｐａｃｋａｇｅ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ＩｎＧａＡｓ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ＭＯ　Ｄｅ—ｆｅｎｇ　，。ＬＩＵ　Ｄａ—ｆｕ　１，２　ＸＵ　Ｑｉｎ—ｆｅｉ　，。．ＷＵ　Ｊｉａ—ｒｏｎｇ　１，２　，ｆ１．Ｓｔａｔｅ　Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００８３，Ｃｈｉｎａ；　２．Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｉｍａｇｉｎｇ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００８３，Ｃｈｉｎａｊ　Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ａ　ｍｕｌｔｉ－ｍｏｄｅ　ｓｉｌｉｃａ　ｆｉｂｅｒ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ＩｎＧａＡｓ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｗａｓ　ｄｅｓｉｇｎｅｄ．Ｔｈｅ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　Ｗａｓ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｂｅｆｏｒｅ　ａｎｄ　ａｆｔｅｒ　ｉｔｓ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｆａｃｔｏｒｓ　ｗｈｉｃｈ　ｈａｄ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ　ｏｎ　ｉｔｓ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｗｅｒｅ　ａｎａｌｙｚｅｄ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔ　ｓｈｏｗｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｓｉｌｉｃａ　ｗａｓ　ｓｕｉｔａｂｌｅ　ｔｏ　ｂｅ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ＩｎＧａＡｓ　ｃｈｉｐ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｗａｖｅｂａｎｄ　ｆｒｏｍ　０．９　ｎ　ｔｏ　１．７　ｍ，ｔｈｅ　ｍａｘｉｍｕｍ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｃｏｕｌｄ　ｂｅ　ｇｒｅａｔｅｒ　ｔｈａｎ　３０％ｗｈｅｎ　ａｎ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｂｅｒ　ｗｉｔｈ　ａ　ｄｉａｍｅｔｅｒ　ｏｆ　１００　ｕｍ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ．Ｗｈｅｎ　ａｎ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｂｅｒ　ｗｉｔｈ　ａ　ｄｉａｍｅｔｅｒ　ｏｆ　５００　ｌｉｍ　Ｗａｓ　ｕｓｅｄ．ｔｈｅ　ｍａｘｉｍｕｍ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ　ｃｏｕｌｄ　ｂｅ　ｇｒｅａｔｅｒ　ｔｈａｎ　５５％．Ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｅｘｈｉｂｉｔｅｄ　Ｇａｕｓｓｉａｎ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ａｔ　ｔｈｅ　ｅｘｉｔ　ｅｎｄ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｕｌｔｉ—ｍｏｄｅ　ｓｉｌｉｃａ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｂｅｒ．Ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｉｓｔａｎｃｅ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｅｎｄ　ｆａｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｆｉｂｅｒ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　ｓｕｒｆａｃｅ，ｔｈｅ　ｈａｌｆ－ｗｉｄｔｈ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｇａｕｓｓｉａｎ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｃｕｒｖｅ　ｗａｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌｉｇｈｔ　ｂｅａｍ　ｇｒａｄｕａｌｌｙ　ｄｉｖｅｒｇｅｄ．Ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　ｏｆｆｓｅｔ　ａｎｄ　ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ　ｄｉｓｃｒｅｐａｎｃｙ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｆｉｂｅｒ　ｅｎｄ　ｈａｄ　ａ　ｇｒｅａｔ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｅｆｉｃｉｆｅｎｃｙ，ａｎｄ　ｔｈｅ　ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　ｏｆｆｓｅｔ　ｗａｓ　ａ　ｍｏｒｅ　ｓｉｇｎｉｉｆｃａｎｔ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｆａｃｔｏｒ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＩｎＧａＡｓ　ｄｅｔｅｃｔｏｒ；ｆｉｂｅｒ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ；ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｅｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｆ收稿日期：２０１２－０１—１４　基金项目：中国科学院上海技术物理研究所创新专项　作者简介：莫德锋（１９８２一），男，浙江桐乡人，博士，主要从事可靠性设计和封装工作。Ｅ—ｍａｉｌ：ｍｏｄｅｆｅｎｇ＠１６３．ｃｏｍ　ｈｔｔｐ：／／＇ｊｏｕｒｎａ１．ｓｉｔｐ．ａｃ．ｃｎ／ｈｗ　ＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ）／ＶＯＬ．３３，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　０引言　随着航空航天事业的不断发展，我国每年　都要进行十几次卫星和航天器发射，而且每颗　卫星上的集成度也越来越高，一般需要集成几种　或几十种载荷。但传统光窗式探测器对安装位　置和卫星姿态等方面具有严格的要求，而且其　光路复杂，限制了其集成度的进一步提高。光纤　耦合型探测器则可解决这一问题，它具有重量　轻、光路可弯曲以及安装灵活等优点，已在半导　体、医疗等领域得到了广泛的应用　］。光纤与　芯片之间的对准方法主要有两大类［０】：一类是　有源对准，即在有光信号的情况下进行光纤的实　时对准（使芯片接收信号后输出电压或电流值，　然后当输出值达到最大时固定光纤位置，这种　方法的耦合效率较高）；另一类是无源对准，即　在无光信号的情况下进行封装时，只通过对准　标记或者限位槽来完成对准耦合［　。按耦合方　式划分，对准方法也可以分为直接耦合和间接　耦合两种。在直接耦合时，中间没有聚焦透镜等　元件，结构简单且规模不受限制，而间接耦合则　通常是采用透镜＋平面光纤的方式来提高耦合　效率的。本文选用在空间遥感和半导体等领域有　着重要应用、探测波段为０．９＾一１．７　的ＩｎＧａＡｓ　芯片和多模石英光纤进行研究，设计ＩｎＧａＡｓ芯　片与光纤直接耦合的封装结构，采用有源耦合　的方式，并探讨影响耦合效率的因素。　１试验方法　探测器芯片采用中国科学院上海技术物理　研究所研制的单元光伏型ＩｎＧａＡｓ芯片，光敏元　的尺寸为１００　×１００　ｐ．ｍ，在０．９—１．７　波段　具有较高的探测率和响应率。与之相耦合的光　纤采用石英光纤，其直径分１００　和５００　两　种　光纤的数值孔径为０．２２，长度为１　ｍ，两端　均为ＦＣ接口。　为了得到比较高的耦合效率，我们采用有　源对准的耦合方式，并自行搭建了光纤耦合封　装调整系统（见图１）。在耦合过程中，将带尾纤　的封帽固定在支架上，并将带芯片的管壳底座　ＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ，＇　／ＶＯＬ．３３，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　固定在六轴调整架平台上。然后在芯片两电极　上施加一０．１　Ｖ电压，并通过倾角调节旋钮使芯片　面和光纤端面保持平行状态。光纤的一端连接　辐射源（功率为１　ｗ，波长为１６６０　ｎｍ），另一端　面向芯片。芯片接收到辐射信号后会产生光偏　电流。先后微调六轴调整架上的ｘ轴、Ｙ轴和　ｚ轴的位置（三个方向的定义见图１）。当检测到　的电流信号达到最大值时，通过紫外固化胶瞬　间完成管座与盖板的初步固定，最后用螺丝进　行固定，制成光纤耦合式探测器组件。　在测试组件性能时没有外加偏压。光源选　用ＨＦＹ－２００Ｂ型黑体光源，辐射孔径为８　ｍｍ，　调制频率为８００　Ｈｚ，测试距离为１５　ａｍ。去掉外　加电压后，芯片的光伏效应便在芯片的两端产　生开路电压或短路电流（通过相应的放大器和示　波器等检测设备记录信号值）。分别测试了无光　纤和光纤耦合后探测器的响应率、探测率和噪　声。将光纤与芯片的耦合效率定义为带光纤探测　器与无光纤探测器之间的黑体探测率的比值。　图１光纤耦合封装的示意图　２光谱特征与耦合效率　图２所示为光纤与探测器的光谱特性。其　中，曲线１为ＩｎＧａＡｓ芯片的光谱响应。可以看　出，ＩｎＧａＡｓ的响应区间为０．８—１．８　ｍ，其中峰　值响应波长为１．６１　。曲线２为石英光纤的光　谱响应。在ＩｎＧａＡｓ的响应区间内，随着波长的增　加，红外光的透过率缓慢增加。特别是当波长在　１．２—１．８　范围内变化时，透过率的变化仅在　１０％左右。这可以保证光纤与探测器耦合后，　其光谱响应曲线与原探测器的光谱响应曲线相　比不会出现大的变化。曲线３为光纤与探测器耦　达５５％以上。　合后的响应曲线。曲线４为根据曲线１、２得到　的计算曲线。可以看出，曲线３与曲线４的重合　度很好，说明实测结果与理论值一致。根据曲线　３和曲线４得到的峰值响应波长分别为１．５８　和１．６１　，证实了耦合前后峰值响应波长变化　不大的情况（与上述分析吻合）。　表１列出了无光纤探测器的性能和光纤耦　合探测器的耦合效率。可以看出，在没有中间透　镜的情况下，光纤耦合型ＩｎＧａＡｓ探测器可以得　到较高的耦合效率。当采用与芯片尺径相当的　１００　光纤耦合时，耦合效率可达３０％以上。　的光纤时，耦合效率可　图２光谱响应曲线　而当采用芯径为５００　表１光纤耦合探测器的性能与耦合效率　３影响耦合效率的因素与分析　芯片与光纤耦合封装时的损耗主要来源于　率约为８０％，其中菲涅尔反射可以通过镀制合　适的减反膜来消除【引。因此，在封装过程中需　要着重考虑对准偏差的影响。　三个方面。一是光纤与芯片的对准偏差，包括光　纤端面与芯片表面的间距偏差（ｚ向）、横向偏　差（ｘ向、Ｙ向）和角度偏差等　１，其对耦合效　率的影响非常明显。二是由于光纤出射端光束　发散引起的漏光。若要尽可能地接受全部的光　能量，有一个办法即增大探测器的面积。随着探　测器面积的增加，器件的暗电流就会增大。而本　图３所示为在１６６０　ａｍ光照条件下和一０．１　Ｖ　电压下的光电流的绝对值与黑体响应信号之间　的关系。可以看出，随着光电流的增加，响应信　号迅速增加，而且两者之间存在一一对应关系。　当光电流达到最大值时，响应信号最大，黑体探　测率也达到最大值。由于光电流测试比黑体探　测率测试简单，在耦合对准过程中用光电流值　文定义的耦合效率是以黑体探测率在有无光纤　存在时的比值来衡量的，因此芯片面积的增大　反而会使耦合效率降低。相反，从表１中可以看　出，增大光纤芯径，增大光通量，可以提高耦合　效率。但这种方法会引起漏光或者使杂散光变　得严重，这将会影响多元或焦平面器件的分辨　率，不利于系统的集成和简化。三是光纤表面存　在的菲涅尔反射以及光在传播过程中引起的吸　测试代替性能测试，可以简化耦合调整系统，便　于实验操作。　图４所示为ｘ正方向和ｚ方向偏移对光电　流的影响。可以看出，对准偏差对光电流值的影　响很大，但ｘ向偏差与ｚ向偏差存在明显差异。　在ｚ方向上，随着偏移距离的增加，光电流大　致呈线性缓慢下降的趋势。光电流的大小对ｘ　向偏移十分敏感，而且当ｚ向偏移越小时，这种　ＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ）／ＶｏＬ．３３，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　收【　。石英光纤在０．９—１．７　波段的平均透过　ｈｔｔｐ：／／ｊｏｕｒｎａ１．ｓｉｔｐ．ａｃ．ｃｎ／ｈｗ　影Ⅱ向越强（表现为ｚ向偏移越小，曲线的斜率越　大）。　式中，Ｙ为耦合效率，　为横向偏移量，Ａ为　积分面积，Ｗ为半宽值。　Ｌａｗｓｏｎ等人［。］假设在光纤的数值孔径内，　光纤端出射光场的光强径向分布是均匀的。而　Ｔａｋａｉ［１Ｏ】和程湘［１１］等人曾提出纤端出射光场的　场强分布可以用高斯型函数来描述。为了更好地　表示多模光纤与ＩｎＧａＡｓ芯片的耦合特点，我们　将光电流值换算成耦合效率，并以耦合效率为　纵坐标，以ｘ向偏移量为横坐标作图（见图５）。　其中，各点代表实验点，曲线为高斯拟合曲线。　可以看出，实验点与高斯曲线有较好的拟合关　系，说明多模光纤出射光束的光强分布呈高斯　分布。其中，高斯拟合关系式可表示为　ｙ－——　＿Ａｅ　ｅ　。／＂。　（１）１　Ｊ　ｍ｜　Ｚ　Ｗｘ／　图３黑体探测率与光电流的关系　Ｚ轴偏移ｔｌ／ｍ　（ａ）水平方向　图４定位偏差与光电流的关系　（ｂ）垂直方向　与光电流大小相对应，随着ｚ向偏移量的增　加，可测得的耦合效率的最大值变小，半宽值Ｗ　变大，说明出射光束是不断发散的。图５也直观　地显示了耦合效率对ｘ向偏移量的依赖程度。　为了得到比较高的耦合效率，在实际封装过程　中应尽量减小ｘ向偏移量的大小。而ｚ向偏移量　则存在一定的矛盾性。当ｘ向偏差量很小时，耦　合效率会随着ｚ向偏差量的减小而增大；当ｘ　向偏差量变大时，耦合精度会随着ｚ向偏差量　的减小而减小。同时，由于受到芯片抛丝高度和　保护距离的影响，ｚ向偏移量也不可能太小。对　于采用芯径为１００　ｇｍ的光纤与探测器芯片的耦　ＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ）／ＶＯＬ．３３，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　图５横向偏移量与耦合效率的高斯拟合　合而言，当Ｚ向偏移量在１００　３００　ｇｍ之间，　参考文献　ｘ向偏移量小于１５　ｍ时，其最终的耦合效率可　在３０％以上。　…Ｄａｎｉｅｌｓ　Ａ，Ｌｉｅｐｍａｎｎ　Ｔ　Ｗ．Ｆｉｂｅｒ　Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｆｏｃａｌ　Ｐｌａｎｅ　Ａｒｒａｙ　Ｓｙｓｔｅｍ　ｆｏｒ　Ｕｓｅ　ｉｎ　Ｍｉｓ—　４结论　ｓｉｌｅ　Ｗａｒｎｉｎｇ　Ｒｅｃｅｉｖｅｒ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｃ］．ｓＰ晒，２００９，　３７０１：１１８－１３０．　（１）石英光纤与ＩｎＧａＡｓ探测器芯片可以实　『２１朱翔，方中华，孙胜利．光纤传像系统中的耦合技　现较好的耦合。增加石英光纤后，芯片在０．９—　术研究［Ｊ］＿红外技术，２００６，２７（５）：２５￣２６０．　１．７　的光谱响应曲线与原曲线相比变化不大。　ｆ３１张威，王春青．半导体激光器组件封装中光纤的固　（２）ＩｎＧａＡｓ芯片在０．１　Ｖ外压存在下的光电　定方法『Ｊ］．半导体光电，２００４，２５（２）：８７—９０．　流大小与黑体响应率有一一对应关系。耦合时　ｆ４］梁静秋，侯凤杰．采用硅Ｖ型槽的一维光纤阵列的　光电流的绝对值越大，说明黑体响应率越大，耦　研制［Ｊ】．光学精密工程，２００７，１５（１）：８９—９４．　合效率越高。用光电流值测试代替性能测试，可　［５］肖志刚，李斌成．高斯光束到光纤的单透镜耦合［Ｊ］．　以简化耦合调整系统。　光电工程，２００８，３５（８）：３０—３４．　（３）多模石英光纤的出射端光强呈高斯分　［６］Ｗａｌｌｎｅｒ　Ｏ，Ｗｉｎｚｅｒ　Ｐ　Ｊ，Ｌｅｅｂ　Ｗ　Ｒ．Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ　Ｔｏｌｅｒ—　ａｎｃｅｓ　ｏｆｒ　Ｐｌａｎｅ－－Ｗａｖｅ　ｔｏ　Ｓｉｎｇｌｅ・－Ｍｏｄｅ　Ｆｉｂｅｒ　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增　ａｎｄ　Ｔｈｅｉｒ　Ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｕｓｅ　ｏｆ　Ｐｉｇｔａｉｌｅｄ　Ｃｏｌｌｉｍａｔｏｒｓ　加，高斯分布曲线的半宽值增大，光束不断发　［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｏｐｔｉｃｓ，２００２，４１（４）：６３￣６４３．　散。　ｆ７１刘超，王欣，袁海庆，等．垂直腔面发射激光器的　（４）芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影　ＴＯ封装的耦合效率模拟分析ｆＪ］．半导体学报，２００６，　响很大，其中对横向偏移量的依赖性最强。对于　２７（４）：７５　１—７５５．　芯径为１００￣ｔｍ的光纤与探测器芯片的耦合，当　ｆ８１毛虎，吴恒锋．高斯光束传输理论在半导体激光器耦　ｚ向偏移量在１００—３００　ｒｔｍ之间，ｘ向偏移量　合中的应用＿Ｊ］．半导体光电，２００１，２２（５）：３５９—３６１．　小于１５　ｐ．ｍ时，其最终的耦合效率可在３０％以　『９１　Ｌａｗｓｏｎ　Ｃ　Ｍ，Ｔｅｋｉｐｐｅ　Ｖ　Ｊ．Ｆｉｂｅｒ—ｏｐｔｉｃ　Ｄｉａｐｈｒａｇｍ—　上。通过增大光纤芯径可以提高耦合效率。当采　ｃｕｒｖａｔｕｒｅ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ［Ｊ］＿Ｏｐｔｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　用５００　ｇｍ光纤时，耦合效率可达５５％以上。　１９８３，８（５）：２８６　２８８．　［１０］Ｔａｋａｉ　Ｎ，Ａｓａｋｕｒａ　Ｔ．Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｌａｓｅｒ　５致谢　Ｓｐｅｃｋｌｅｓ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　ｕｎｄｅｒ　Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ　Ａ　Ｍｕｌｔｉ—　ｍｏｄｅ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｆｉｂｅｒ［Ｊ］．Ｊ　ｏｐｔ　Ｓｏｃ　Ａｍ　Ａ，１９８５，２（８）：　感谢唐恒敬博士提供ＩｎＧａＡｓ光伏型芯片，　１２８２－１２９０．　并感谢汪洋和李淘在组件性能测试过程中所给　ｆ１１１程湘，王宇华，庞振章，等．光纤出射光强分布研　予的帮助。　究『Ｊ］．中国计量学院学报，２００６，１７（１）：２１—２４．　瑞士正在研制一种可对唾液中所含　可卡因进行检测的红外装置　据ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｐｈｙｓｏｒｇ．ｃｏｉｎ网站报道，瑞　士苏黎世联邦理工学院的研究人员目前正在开　发一种用于检测唾液中是否含有可卡因及其代　谢物的红外测量技术。他们已经成功完成了研　制手持式测量设备的前期工作。　口岳桢干　ＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ）／ＶＯＬ．３３，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　

-