一种InGaAsInP体系的单行载流子的光电探测器制备方法[发明专利]_

更新时间:2023-12-13 09:02:24 阅读：评论：0

2023年12月13日发(作者：采矿专业)

-

专利内容由知识产权出版社提供专利名称：一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法专利类型：发明专利发明人：陈子超,陈钊鉴,金运姜申请号：CN2.0申请日：20220117公开号：CN114400273A公开日：20220426摘要：本发明公开了一种InGaAs/InP体系的单行载流子的光电探测器制备方法，包括以下步骤：使用HSQ光刻胶在晶圆上进行旋涂然后完成电子束光刻；使用电感耦合等离子体刻蚀法进行垂直刻蚀；使用反应离子束刻蚀法刻蚀残留的HSQ光刻胶；沉积一层介质膜；使用热稳定负性光刻胶进行普通光刻曝光，完成器件隔离；使用BCB胶做平坦化处理；使用对电子敏感的ARP光刻胶再次进行电子束光刻曝光出P电极图型；使用电子束蒸镀系统蒸镀相应金属，然后进行光刻胶的剥离去除其他位置的金属；使用热稳定负性光刻胶对N台面进行光刻，曝光出N电极图形，电子束蒸镀系统蒸镀N台面上的金属，再使用丙酮完成剥离，完成器件制备。本发明提高了光电探测器成片的表面洁净度，同时兼顾台面刻蚀的质量。申请人：中山大学地址：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号国籍：CN代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司代理人：禹小明更多信息请下载全文后查看