硅基InGaAs沟道双栅COMS器件

2023年12月13日发(作者：盛的拼音)

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2.1

（22）申请日 2016.12.27

（71）申请人 中国科学院微电子研究所

地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

（10）申请公布号

CN106601740A

（43）申请公布日 2017.04.26

（72）发明人 常虎东;刘洪刚;夏庆贞;孙兵;王盛凯

（74）专利代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司

代理人 张瑾

（51）

H01L27/092;

H01L29/10;

H01L21/20;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

硅基InGaAs沟道双栅COMS器件

（57）摘要

本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅

COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调节更容易。

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