InGaAsGaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

2023年12月13日发(作者：山河之书)

-

第42卷第4期2021年4月发光学报CHINESE

JOURNAL

OF

LUMINESCENCEVol.

42

No.

4Apr.

,

2021文章编号：1000-7032(2021)04-0448-07InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长王

旭，王海珠*,张

彬，王曲惠，范

杰，邹永刚，马晓辉(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林长春130022

)摘要：利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究。针

对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了

GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的

方式,调控了

GaAsP材料体系中的P组分,设计了

P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期In”

Ga-*

As/

GaAs1-yPy多量子阱结构;通过PL、XRD、AFM测试对比发现，高势垒GaAsP材料的张应变补偿可以改善晶体

质量。综合比较，在P组分为0.

184时,PL波长1

043.

6

nm,半峰宽29.9

nm,XRD有多级卫星峰且半峰宽较

小,AFM粗糙度为0.

130

nm,表面形貌显示为台阶流生长模式。关

键词：金属有机化学气相沉积；InGaAs/GaAsP;应变补偿；多量子阱；晶格失配

中图分类号：TN304.

2

文献标识码：A

DOI：

10.

37188/CJL.

20200379Growth

of

InGaAs/GaAsP

Strain-compensated

Multiple

Quantum

Wells

via

MOCVD

TechnologyWANG

Xu,

WANG

Hai-zhu*

,

ZHANG

Bin,

WANG

Qu-hui,

FAN

Jie,ZOU

Yong-gang,

MA

Xiao-hui(State

Key Laboratory of

High

Power

Semiconductor

Lars

,

Changchun

University

of

Science

and

Technology,

Changchun

130022

,

China

)

* Corresponding

Author,

E-mail:

whz@

cust. edu.

cnAbstract:

The

large

mismatched

InGaAs

multiple

quantum

wells

on

GaAs

substrates

were

prepared

by

metal-organic

chemical

vapor

deposition(

MOCVD)

technology.

In

order

to

solve

the

large

lattice

mismatch

between

InGaAs

and

GaAs，

the

GaAsP

strain

compensation

layer

structure

was

designed.

And

our

systematically

theoretical

and

experimental

studies

were

performed

upon

the

composition

ad­justment

of

P

in

the

GaAsP

materials.

The

three-periods

In*

Ga—*

As/GaAs|_

y

Py

multi

-quantum

wells

structures

with

the

P

component

of

0,

0.

128,

0.

184,

and

0.

257

were

prepared.

Compared

with

PL，

XRD，

AFM

testing

results

of

the

samples

with

and

without

GaAsP

layer，

it

is

found

that

tensile

strain

compensation

of

higher

barrier

GaAsP

material

could

improve

the

crystal

quality.

When

the

content

of

P

was

0.

184,

the

PL

wavelength

of

InGaAs/GaAsP

MWQs

was

1

043.

6

nm,

the

FWHM

was

29.

9

nm.

The

XRD

peaks

had

multi-level

satellite

peaks,

and

the

FWHM

of

the

satel­lite

peaks

was

small.

The

AFM

roughness

was

0.

130

nm，

and

the

surface

morphology

showed

a

step

flow

growth

words:

metal-organic

chemical

vapour

deposition(

MOCVD)

；

InGaAs/GaAsP；

strain

compensation；

multiple

quantum

wells；

lattice

mismatch收稿日期：2020-12-12；修订日期：2021-01-04基金项目：吉林省科技发展计划(2GX)资助项目Supported

by

J

ilin

Science

and

Technology

Development

Plan

(2GX)第4期王

旭，等：InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长4491引

言半导体激光器具有体积小、重量轻、可靠性

高、使用寿命长、功耗低等方面的优势,近几年在

很多领域得到了广泛的研究和应用，其中近红外

波段更是研究的重点［1-2］o在近红外的870

~

1

100

nm波段，对于GaAs基半导体激光器来说,

有源区需要采用InGaAs应变量子阱得以实现。

发光波长越长，量子阱结构需要越小的带隙材料。

In含量的增多意味着存在较大的晶格失配，高应

变会使薄膜更容易产生缺陷［3］，进而影响晶体质

量，甚至影响器件的性能和寿命。前期的研究发

现，当In”

Ga_

*

As量子阱中In含量大于0.25时，

其外延生长中会出现层-层生长模式向层-岛生长

模式的转变［4］，而对于获得高质量的外延材料来

说，二维台阶流生长模式是首选的生长模式［5］

o对于高应变InGaAs量子阱外延生长的研究,

多采用应变补偿的方式减小或消除应力的影响，

其中InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱结构被设

计并广泛应用在光电半导体器件领域［6-7］

o为了

获得高质量的InGaAs量子阱外延材料，利用

GaAsP拉伸应变材料作为势垒层,抵消高In组分

InGaAs的压缩应变，降低材料的平均净应变，可

以避免由于应变积累引起的晶格弛豫和三维生

长。同时,GaAsP材料有更高的带阶，对载流子具

有更好的限制作用和高温特性［8-9］

o在InGaAs高

应变量子阱外延生长研究方面，国内外文献都有

报道。2005年,Sass等［10］报道，对于具有晶格失

配a/a

=9.

3

X

10-3和临界厚度15

nm厚度的

In0.13Ga0.87As/GaAs(001)体系，外延层超过

4.

5

倍的临界厚度时开始弛豫。2010年，日本东京大

学Wang等［11］在通过原位表面反射率监测In0.217-

Ga0.783A^^GaAs0.616P0.384多量子阱生长过程中，发

现当应变平衡不完全时，多量子阱(Multiple

quan­tum

wells,MQWs)的表面反射率会下降，表明晶格

弛豫会降低晶体生长质量。2014年，长春理工大

学高功率半导体激光国家重点实验室戴银等［12］

利用低压金属有机化学气相沉积技术生长高应变

InGaAs/GaAs单量子阱，通过改变生长速率、优化

生长温度和V/皿，改善量子阱样品的室温光致发

光特性。2019年,美国伯利恒理海大学Sun等［13］

在高应变InGaAs量子阱的厚度接近临界厚度

时,研究了

GaAsP拉伸约束势垒对InGaAs/GaAs

MQWs中部分应变弛豫的抑制作用。由此可见,

关于GaAsP材料应变补偿的研究工作还有待进

一步的探索。因此，本文针对大失配InGaAs量子

阱半导体激光器外延生长技术的需求，开展In-

GaAs/GaAsP

MQWs外延生长的研究。为了探究

不同应力下

InGaAs

量子阱的外延晶体质量,通过

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,优化有

源区多量子阱整体平均失配状态,分析对外延样

品晶体质量的影响,并获得了外延晶体质量较好

的生长参数,为改善高应变InGaAs量子阱的应力

积累提供技术支撑。2

外延结构设计及生长为了研究大失配下薄膜材料的生长参数,设

计了

InGaAs/GaAs应变多量子阱结构，量子阱个

数为3,其中阱垒层厚度分别为9

nm和13

nm。

利用Crosslight软件进行前期模拟,并结合前期的

实验结果，调整InGaAs量子阱中In的组分，使其

发光波长在1.04

jm附近。保持InGaAs阱层材

料In的组分、厚度以及垒层厚度不变，搭配不同

P

组分的

GaAsP

垒层材料,

探索

GaAs(

P)

垒层材

料对量子阱发光的影响。同时，通过调整GaAsP

材料中P的组分，进而改变了整个结构系统的累

积应变状态，观测其对外延生长质量的作用。本

文选取三周期的

In*Ga-”As/GaAs-,Py(x

=0.

274；

y

=0,0.

128,0.

184,0.

257)应变补偿多量子阱

(以下简称多量子阱)结构进行实验对比。并通

过模型固体理论［14-16］对量子阱能带的带边能量

进行计算，获得了导带和价带的带阶，如公式(1)

和(2):

(1)其中,AEc表示导带的带阶,EGaAs(P)表示垒层材料GaAs(P)的导带的应变带边能量,EInGaAs表示阱层

材料InGaAs的导带的应变带边能量。△E、,EGaAs(P)(2)其中,AEv表示价带的带阶,E严aAs表示阱层材料

InGaAs的价带的应变带边能量,EGaAs(P)表示垒层

材料GaAs(P)的价带的应变带边能量。此外,计算了平均失配,给出了平均应变计算

公式：£

=

(nw

Tw

久

+

nb

Tb

勺)/

(nw

Tw

+

nb

Tb),(3)450发

光

学

报第42卷其中,％、也分别表示阱、垒材料的层数，Tw和T

料与衬底的失配度,s表示量子阱的平均失配度。

分别表示阱、垒的厚度,Sw、sb分别表示阱、垒材

获得的具体信息如表1所示。表1理论结果:无应变时的材料带隙(300

K)、带边能量(导带、重空穴带、轻空穴带)、导带和价带的带阶、平均应变Tab.

1

Theoretical

results:

material

band

gap

(300

K)

,

band

edge

energy

(

conduction

band,

heavy

hole

band,

light

hole

band)

,

band

offt

and

average

strainQuantum

well

details

In0.274GaAs

well00.128Eg/eV1.046

51.424

01.566

81.633

2Ec/eV

-5.546

9-5.382

6-5.342

2-5.321

3Em/eV

-6.685

7E^/eV

-6.786

8-6.806

6-6.851

4-6.871

3-6.897

4△&(/meV

LEv/meV

Average

strain

s/%-6.806

6-6.881

5164.29204.75120.91195.750.

803

10.531

80.413

10.258

4GaAsPy

barrier0.184-6.914

7-6.958

3225.61228.94272.620.2571.721

7-5.289

6257.26根据阱垒材料不连续的能量位置，绘制了不

同P组分的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的能

a

1

-

0.

25

v

(

h

c

J2

+

1)⑷hc

=k

J2n&

1

+

v

Iln

a带连接图，如图1所示。-5.2-5.4-5.6InGaAs-Ec-5.8-6.0In0.274Ga0.72&As/GaAs0.872P0.128In0.274Ga0.72gAs/GaAs-6.2-6.4InGaAs-Ehh-6.6GaAsPy-Ehh-6.8=InGaAs-Eh

=-7.0-25

-20

-15

-10

-5

05

10

15

20

25Z/nm其中,a为应变层的晶格常数;系数k在应变层超

晶格、单量子阱和单应变层三种情况下分别为1,

2,4；

s

=

La/a为失配度；v为泊松比，v

=

c12/

(cii

+

ci2

)

oAu二款匸工如图

2

所示，其中

In0.274

Ga0.726

As/GaAs0.743-

P0.

257

和

In0.

274

Ga0.

726

As/GaAs。.

816

P0.184

多量

子阱厚

度在临界厚度以下，而

In0.274

Ga0.726

As/GaAs0.743

-

P0.128和In°.274

Ga°.726

As/GaAs的厚度分别在三周

期、两周期时超过临界厚度。而当外延层厚度超

岀临界厚度时,外延晶体质量将会大幅度降低。

为了进一步验证InGaAs/GaAsP多量子阱的生长

图1不同P含量InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的能带

连接图Fig.

1

Energy

band

connection

diagram

of

InGaAs/GaAsP

strain

compensation

quantum

wells

with

different

质量，我们利用MOCVD生长技术,从实验方面进

行了更加详细的研究。103w

P

contentsurnSSQLDP*从表1和图1均可发现，随着势垒P组分的

增加，导带和价带带阶也会增加，从而可以增强对

载流子的限制作用。并且，较于GaAs(y(P)

=0)

、w

I—lqH作垒,GaAsP应变补偿层的引入减小了整个样品

的净压应变,使样品的平均失配减小且平均失配

0-1-101234随P组分增加而减小。Average

strain

/

%同时，在应变系统中产生缺陷的临界厚度也

被参考用于设计外延层结构中。基于Matthews-

Blakeslee理论［17］和设计的InGaAs/GaAsP量子阱

图2

InGaAs/GaAsP量子阱的平均应变和临界厚度Fig.

2

Average

strain and

critical

thickness

of

InGaAs/GaAsP

quantum

wells参数信息，计算了

InGaAs/GaAsP量子阱的平均

利用德国AIXTRON公司的200/4型MOCVD

应变和临界厚度的关系。具体平均应变可以通过

设备开展大失配InGaAs/GaAsP多量子阱外延生

长研究，以TMIn、TMGa和AsH3

APH3为川

族源

公式(3)算岀，临界厚度hc也可以通过下列公式

得到：和V族源，氏作为载气，在反应室压力保持在第4期王

旭，等：InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长45110

000

Pa(100

mbar)条件下进行生长实验。同

时，量子阱材料的生长温度为600弋,InGaAs和

GaAs(P)的V/皿分别为51和115。在前期生长

速率的实验方面，我们已经获得了

InGaAs和

GaAs(

P)两种材料生长速率分别为0.

244

nm/s

和

0.

175

nm/s,P

组分

0,0.

128,0.

184,0.257

对

应的气相体积比PHb/(AsH3

+PH3)为0%、65%、

73%、80%。选取

5.08

cm(2

in)

(001)取向的

n

型GaAs

0°偏角衬底，首先生长300

nm

GaAs缓冲

层，接着生长3个周期InGaAs/GaAsP多量子阱

(阱层和垒层厚度分别为9,13

nm),最后生长50

nm

GaAs盖层，结构如图3所示。GaAs

capping

layerInGaAs/GaAsP

MQWs

period:

3GaAsP

barrier

InGaAs

well图3应变补偿量子阱外延结构Fig.

3

Strain

compensation

quantum wells

epitaxial

structure3

实验结果与分析3.1不同P组分的多量子阱PL光谱分析图4给出了不同P组分的多量子阱样品的室

温PL测试结果。在图4中,可以明显地观察到在

室温条件下,所有被测样品的发光峰都在1

043.6

nm附近。并且随着GaAsP材料中P组分增加,

发现被测样品的发光波长略有蓝移但不明显。而

且，在950

nm波长附近观察到一个发光强度较弱

的峰。通过相关文献的研究报道,考虑应该是导

带第一子能级和价带轻空穴带第一子能级

(cl-lhl)能带之间跃迁所致［18-20］。同时，为了进一步比较差异，我们对不同P

组分的多量子阱样品的室温PL光谱测试结果进

行了分析，结果如图5所示。从发光强度的角度

进一步考虑,如果GaAsP材料中P组分越高，势

垒就越高,对载流子的限制能力越强,相应地就会

增强InGaAs/GaAsP多量子阱的发光强度。从图

5中我们可以明显发现，不同P组分的多量子阱的1.61.41.2:1.00.80.60.40.20-0.2850900

950

1000

1050

1100姿/

nm图4不同P组分多量子阱的光致发光测试结果Fig.

4

Photoluminescence

test

results

of

multiple

quantumwells with

different

P

components发光强度确实随P组分增加而增强。随着GaAsP

材料中P组分从0.

128增加到0.257,发光峰的

半峰宽依次为37.

8,29.9,31.4

nm,而相同生长

条件下外延的InGaAs/GaAs多量子阱样品的发

光峰半峰宽是39.

1

nmo从样品测试的半峰宽可

以分析出，相较于GaAs作垒(y(P)

=0),InGaAs/

GaAsP多量子阱样品的发光峰半峰宽有一个明显

的减小，尽管P组分为0.257略微增加，但半峰宽

整体呈现出下降趋势。从发光峰半峰宽减小的角

度可以推断出，随着GaAsP应变补偿程度的增

加,阱垒材料的异质界面粗糙程度在变小,减少了

界面质量对发光谱的展宽影响。通过强度、半峰

宽与P组分的关系的综合对比发现，样品In0.274-

Ga0.726As/GaAsa816P0.184多量子阱的PL光谱半峰宽

最窄,In0.274Ga0.726As/GaAs0.743

P0.257

多量子阱的

PL

光

谱发光强度最高。与GaAs(y

(P)

=0)势垒相比,

GaAsP势垒可以提高样品的光学性能。11$

11

3811

11

卫•n

11皂

o$

它

o

oU3UI

OO0050.10

0.15

0.20

0.25

0.30P

content图5不同P组分与光致发光半峰宽和强度关系Fig.

5

Relationship

between

different

P

components

and

photoluminescence

half-width

and

intensity3.2不同P含量的多量子阱XRD分析为了进一步验证上述推断，我们又对InGaAs/ 452发

光

学

报第

42

卷GaAsP多量子阱样品的生长质量进行了进一步表

征。图6给出了不同P组分(0,0.

128,0.184,

0.257)的InGaAs/GaAsP多量子阱样品在(0-20

摇摆曲线测试条件下的XRD测试结果，其中，曲

线强度最高最尖锐的峰对应于GaAs衬底(004)

的Bragg衍射峰,并且均出现了多级衍射峰。通

过公式(5)可以计算多量子阱周期厚度：T

=

A/(2A0cos0sub.

)

,

(5)其中T代表周期厚度J为X射线波长为多

量子阱衍射峰角间距,0sub.为GaAs衬底的Bragg

衍射角。结合对XRD测试结果的计算，我们可以

计算出

P

组分为

0,0.

128,0.

184,0.

257

时,In-

GaAs/GaAsP多量子阱样品的周期厚度分别为

21.5,22.

1,21.8,22.3

nm,基本符合预期厚度。通过对InGaAs/GaAsP多量子阱样品卫星峰

的半峰宽数据分析，得到P组分在0,0.

128,

0.

184,0.257

时,GaAs

主峰左侧(31.5。~32.5°)

相同级次的卫星峰半峰宽分别约为324,270,

241,238

arcc。半峰宽越小表明

InGaAs/GaAsP

多量子阱样品具有越好的晶体质量。P组分在

0.184和0.

257时有较小半峰宽，其质量较好,并

且与图5中PL光谱半峰宽分析的测试结果一致。

另外，对于样品测试的卫星峰可以分析出，P组分

在0,0.128,0.184,0.257时,GaAs主峰左侧分别

含有5,6,8,7个卫星峰；P组分为0和0.

128时，

最左侧(31°~31.5°)高阶卫星峰不明显。对比Fig.

6

XRD

test

results

of

different

P

componentsP组分0.184和0.257卫星峰可以发现，理论上

相邻卫星峰间距是相等的，但在P组分0.

257时,

31.2。附近卫星峰明显缺级,猜测可能是界面粗糙

导致的。对4组样品的XRD测试信息(卫星峰数

量和半峰宽)进行比较,P组分为0.

184的多量子

阱结构有较好的晶体质量，这与之前PL光谱半

峰宽的测试结果一致。3.3不同P含量的多量子阱AFM分析为了进一步分析样品的外延质量，我们还对

不同P组分的样品进行了原子力显微镜(Atomic

force

microscope,

AFM

)测试，结果如图

7(a)-

(d)所示，其表面形貌显示为InGaAs/GaAsP多量

子阱样品的生长模式。当P组分为0时,样品平

均失配率最大，达到0.

8031%

,如图2临界厚度

结果给出那样,超过临界厚度过多,此时台阶边缘

弯曲，并在台阶边缘出现二维(2D)小岛，如图

7(a)所示。此时AFM测试结果的粗糙度较大，

达到0.

171

nm。如图7(b)所示，当引入GaAsP

作为势垒层后,P组分在0.

128时,总压应变有所

抵消，二维小岛有所减少，但台阶形状仍没有改

善,此时粗糙度为0.

168

nm,数值略有减小。与

图2给出的临界厚度的理论计算结果一致，图

7(a)、(b)中样品的多量子阱结构外延厚度均超

出了临界厚度，不均匀应变使其形貌上呈现出二

维小岛，说明已经发生晶格弛豫，生长的多量子阱

外延层局部高应变区域以形成2D小岛的方式得

到释放。同时随着继续生长，吸附原子为了降低

材料体系的表面能，倾向于在2D小岛的台阶边

缘而不是顶部成核，因此，岛屿将横向增长［2i］o而当P组分为0.184时，台阶边缘近乎平行，台

阶高度均在0.

36

nm以内,为一个分子层(Monolay-

er,ML)高度，可以认为是台阶流生长模式，如图7(c)

所示。通过AFM的测试结果可以发现，此时粗糙度

最小,粗糙度为0.130

nm。随着P组分继续增加,在

P组分为0.257时,粗糙度为0.

148

nm,如图7(d)所

示。结合之前的PL、XRD分析结果,推断是随着生

长时PH3的流量增加，在InGaAs外延层上生长

GaAsP材料后的异质界面,更多的P扩散以及In的

表面偏析［22-23］使异质界面变得粗糙。总体来看,P

组分0.184时表面形貌最好,0.257次之,0.128,0较

差。并且可以分析出,P组分为0.257时，尽管相较

0.184粗糙度有所增加,但仍比整体存在较大应力的

P组分为0和0.

128时晶体质量要好，说明更高 第4期王

旭，等：InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长453的P组分的应变补偿有助于缓解应力积累,获得

较好的表面形貌。4

结

论本文采用理论计算和实验相结合的方式,利

(a)0.4

nm(b).0.5用MOCVD生长技术，开展了大失配InGaAs/

GaAsP

多量子阱外延生长技术的研究。

通过保持

I-0.4

nm量子阱的InGaAs组分和厚度参数一定，调整垒层

GaAsP材料的P含量，进而改变InGaAs/GaAsP多

量子阱结构的应力情况。研究结果表明，在

0

Height

2.0

滋m

0Height

2.0

滋mGaAsP

材料中

P

含量分别为

0,

0.

128,

0.

184,

0.

257时，样品的室温PL发光峰强度随着P组分

的增加而明显增强,PL发光峰的峰位略微蓝移,

半峰宽整体有减小趋势。样品的XRD测试结果

显示，随P组分增加，可以清晰地发现高阶卫星

峰。样品的AFM测试结果显示，超出临界厚度会

0

Height

2.0

滋m

0

Height

2.0

滋m出现层-岛生长模式,而合适的应变补偿有助于缓

图7不同P组分样品的AFM测试结果o

(a)y(P)

=0；

(b)

y(P)

=0.

128；(c)

y

(P)

=0.

184；(d) y

(P)=

0.257。解应力积累，可以获得较好的表面形貌。当

GaAsP

材料中

P

组分为

0.

184

时,

PL

半峰宽为

29.9

nm,其XRD有多级卫星峰且半峰宽较小，

AFM粗糙度0.130

nm,表面形貌显示为台阶流生

Fig.

7

AFM

test

results

of

different

P

components

samples.

(

a)

y(

P)

=

0.

(

b)

y(

P)

=

0.

128.

(

c)

y(

P)

=

0.

184.

(d)y(P)

=0.257。长模式，生长质量最好。参考文献：[1

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：

L

J,NING

Y

Q,QIN

L,

et

al.

.

Development

of

high

power

diode

lar

[

J]

.

Chin.

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：1-

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：

L

H,YANG

G

W,LIU

Y

X, et

al.

.

Development

of

miconductor

lars

[

J]

.

Chin.

J.

Lars,

2020,47(

5)

：

0500001-1-19.

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structure

and

relaxation

kinetics

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N,MASSIES

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Epitaxial

growth

of

highly

strained

InxGa[_xAs

on

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role

of

surface

diffusion

length

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H

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HATAKEYAMA

H,

ANAN

T,

AKAGAWA

T,

et

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Highly

reliable

high-speed

1.

1-jm-range

VCSELs

with

InGaAs/

GaAsP-MQWs

[J].

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Quantum

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SODABANLU

H,MA

S

J,WATANABE

K,et

al.

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Impact

of

strain

accumulation

on

InGaAs/GaAsP multiple-quantum-well

solar

cells：direct

correlation

between

in

situ

strain

measurement

and

cell

performances

[

J]

.

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ASANO

H,WADA M,FUKUNAGA

T,et

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.

Temperature-innsitive

operation

of

real

index

guided

1.

06

jm

InGaAs/

GaAsP

strain-compensated

single-quantum-well

lar

diodes

[

J]

.

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Y

Q,ZENG

Y

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Design

of

active

region

for

watt-level

VCSEL

at

1

060

nm

[

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学

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SASS

J,MAZUR

K,EICHHORN

F,et

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Determination

of

In

concentration

in

InGaAs/GaAs

001

epilayers

in

the

early

stage

of

anisotropic

stress

relaxation

[J].

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Alloys

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,

2005

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WANG

Y

P,ONITSUKA

R,DEURA

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In

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monitoring

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the

MOVPE

of

strain-balanced

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GaAsP

quantum-wells

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H,

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J,et al.

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Interplay

of GaAsP

barrier

and

strain

compensation

in

InGaAs

quantum

well

at

near-

critical

thickness

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R,

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R.

Band

parameters

for

皿-V

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Y

L,HE

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Theoretical

design

method

of

strain

compensated

quantum

well

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high

power

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SELs

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Y,NING

Y

Q,ZHANG

L

S,et

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Design

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comparison

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GaAs,GaAsP

and

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quantum-well

active

re­gions

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808-nm

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X,

ONABE

K,

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band

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JASIK

A,WNUK

A,GACA

J,et

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The

influence

of

the

growth

rate

and

V/M

ratio

on

the

crystal

quality

of

InGaAs/

GaAs

QW

structures

grown

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MBE

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MOCVD

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SNYDER

C

W,ORR

B

G,KESSLER

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Effect

of

strain

on

surface

morphology

in

highly

strained

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films

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DONG

H

L,SUN

J,MA

S

F,et

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Effect

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potential

barrier

height

on

the

carrier

transport in

InGaAs/GaAsP

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wells

and

photoelectric

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C

G,ZOU

Y

G,WANG

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Z,et

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and

lattice

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InGaAs/GaAsP

multiple

quantum

wells

structure

with

phosphorus

doping

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Alloys

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2019

,770

：517-522.王旭（1995

-）,男，吉林长春人，硕

王海珠（1983

-）,男，吉林长春人，博

士，副研究员，博士研究生导师,2012

年于吉林大学获得博士学位,2014年

士研究生,2018年于长春理工大学

获得学士学位，主要从事半导体外

延生长的研究。E-mail：

1518242962@

qq.

com清华大学博士后,主要从事半导体激

光外延材料制备及应用的研究。E-mail:

whz@

cust.

edu.

cn

-