应用于含DBR结构六结太阳能电池制备的温度监控方法[发明专利]

更新时间:2023-12-08 14:48:55 阅读：评论：0

2023年12月8日发(作者：欢迎下次光临)

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专利内容由知识产权出版社提供专利名称：应用于含DBR结构六结太阳能电池制备的温度监控方法专利类型：发明专利发明人：杨翠柏,刘雪珍,张小宾申请号：CN2.1申请日：20160824公开号：CN106206849A公开日：20161207摘要：本发明公开了一种应用于含DBR结构六结太阳能电池制备的温度监控方法，可用于MOCVD设备生长具有不同光子反射波段含DBR结构的六结太阳能电池，以600～1000nm的连续光为探测光源监控具有多套DBR结构的六结太阳能电池AlGaInP/AlGaInAs/GaInAs/GaInNAs/GaInNAs/Ge的生长温度。由于特定波长的光子与相同波长反射光相遇会产生发射率低而反射率过高的现象，结果致使信号失真，该发明可以避免传统单色探测光源在生长具有相近反射光的DBR结构时导致的生长温度值失真甚至宕机等失控情况，准确反映外延片表面温度，确保外延结构生长过程顺利完成。申请人：中山德华芯片技术有限公司地址：528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层国籍：CN代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司代理人：梁莹更多信息请下载全文后查看