ECC内存

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常见内存芯片命名

2010-06-0821:13:23|分类：个人日记|标签：|字号大中小订阅

三星〔Samsung〕内存

具体含义解释：

例：SAMSUNG

K4S283232E-TC60SDRAM

K4H280838B-TCB0DDR

K4T51163QE-HCE6DDR2

K4B1G164E-HCE7DDR3

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。9代表NANDFLASH

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表

DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使

用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A

代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit

的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表

32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-〞。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C

为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的

容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒

封装。颗粒编号第4、5位“28〞代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08〞代表该

颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits〔兆数位〕

×16片/8bits=256MB〔兆字节〕。

注：“bit〞为“数位〞，“B〞即字节“byte〞，一个字节为8位那么计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每

8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数

据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的

两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有

ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购置时也可以据此判定18

片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hynix(Hyundai)现代

现代内存的含义：

HY57V281620FTP-HH57V2562GTR-75C(新版〕SDRAM

HY5DV641622AT-36H5DU5162ETP-E3CDDR

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

HY5PS121621BFP-C4H5PS5162FFR-25CDDR2

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HY5TQ1G163ZNFP-G8H5TQ1G163BFR-12CDDR3

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM，

5P=DDR2SDRAM,5T=DDR3SDRAM)；27=NANDFLASH

3、工作电压：空白=5V，Q=1.8V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；

65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、

16KRef；257=256Mbits、8KRef

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位

和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关

系

7、I/O界面：1:SSTL_3、2:SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越

新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，

TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、

33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、K:DDR266A

现代的mBGA封装的颗粒

Micron〔美光〕

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规那么。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。47=DDR2

LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。

该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕。

Infineon〔英飞凌〕

Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon

生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗

粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理

模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比拟少，区分也是最

容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，“128〞标识的是该颗粒的容量，后三位标识的

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是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；

HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作

速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的的内存颗粒生产。其容量计算为：

128Mbits〔兆数位〕×16片/8=256MB〔兆字节〕。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的的内存颗粒生产。其容量计算为：

128Mbits〔兆数位〕×8片/8=128MB〔兆字节〕。

KINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装〔Tinyballgridarray〕。并且该封装模式是

专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。

Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列

的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工

作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其

容量计算为：64Mbits〔兆数位〕×16片/8=128MB〔兆字节〕。

Winbond〔华邦〕

含义说明：

WXXXXXXXX

12345

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：、133MHz；Y：、

150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

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Mol〔台湾茂矽〕

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉

度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为

64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45

可知颗粒速度为4.5ns

NANYA〔南亚〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公

司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字

母“S〞表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示

单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。

主要含义：

NT5TU256T8BU25C

1234567

1：NANYATECHNOLOGY

2:ProductFamily

5S=SDRAM、5D=DDRSDRAM5T=DDR2SDRAM5C=DDR3

SDRAM

3:Interface&Power(vdd&vddg)

V=LVTTL(3.3V-3.3V)

E=LVTTL(2.5V-2.5V)S=SSTL-2(2.5V-2.5V)M=LVTTL(1.8V-1.8V)

U=SSTL-18(1.5V-1.5V)B=SSTL-15(1.5V-1.5V)A=SSTL-18(2.0V-2.0V)

4:Organization()

M=MONOT=DDP

256MB=64M4=32M8=16M16

512MB=128M4=64M8=32M16

1GB=256M4=128M8=64M16

2GB=512T4=256T8

5:DEVICEVERSION

A=1stversionB=2ndversionC=3rdD=4tnF=5tn

6:PACKAGECODE

Green+HalogenFree

S=TSOPIIG=DDR1BGA/DDR284-BALLBGAE=60-BALLBGAT

=68-BALLBGA

M=92U=71Y=63N=78P=96T=SDR54-pinTSOPII/DDR

66pinTSSOPII

7:Speed

SDRAM

75B=PC-133-3-3-36K=PC-166-3-3-3

DDR2SDRAM

75B=DDR2666K=DDR3335T=DDR400

DDR2SDRAM

5A=DDR2-400-3-3-337B=DDR2-533-4-4-43C=DDR2-677-4-4-4

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25C/AC=DDR2-800-5-5-525D/AD=DDR2-800-6-6-6BE=DDR2

1066-7-7-7

DDR3SDRAM

AC=DDR3-800-5-5-5AD=DDR3-800-6-6-6BE=DDR3-800-7-7-7BF=

DDR3-1066-8-8-8

CF=DDR3-1033-8-8-8CG=DDR3-1033-9-9-0