专利名称:Semiconductordevice
发明人:山崎舜平,坂田淳一郎,津吹将志,秋元健吾,細羽
みゆき,坂倉真之,及川欣聡
申请号:JP2022022113
申请日:20220216
公开号:JP2022081497A
公开日:20220531
专利内容由知识产权出版社提供
专利附图:
摘要:Problemtobesolved:toprovideadisplaydevicehavingexcellentdisplay
characteristicsbyformingapixelcircuitandadrivingcircuitonthesamesubstratewith
transistorshavingdifferentstructuresaccordingtothecharacteristicsofthe
on:thedrivingcircuitctionhasapixelportionandadrivingcircuitction
onthesamesubstrate,andthedrivingcircuitctionhasadrivingcircuittransistorhaving
agateelectrodelayer,asourceelectrodelayerandadrainelectrodelayerformedofa
elportionhasa
pixeltransistorhavingagateelectrodelayer,asourceelectrodelayerandadrain
electrodelayerformedofanoxideconductorandamiconductorlayerformedofan
eltransistorismadeofatransparentmaterial,andadisplay
m
申请人:株式会社半導体エネルギー研究所
地址:神奈川県厚木市長谷398番地
国籍:JP
更多信息请下载全文后查看
本文发布于:2023-03-12 01:10:39,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.wtabcd.cn/zhishi/a/167855463925232.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
本文word下载地址:semiconductor.doc
本文 PDF 下载地址:semiconductor.pdf
留言与评论(共有 0 条评论) |