光刻机和蚀刻机有什么区别?

更新时间:2023-02-28 09:10:59 阅读: 评论:0

先了解一下光刻中必须要用的东西——光刻胶,简单的来说这种胶状物,只能被光腐蚀,而不能被化学物质腐蚀,製造晶片时讲光刻胶涂在金属表面,然后用光把不需要的地方腐蚀掉,製作出自己需要的图形(电路结构之类的),接下来就该蚀刻机上场了。

蚀刻分为两类,一类是干刻,一类是溼刻(目前主流),溼刻就是特定的化学溶液与上个部分光刻机制作后的薄膜发生反应,发生反应过后剩下的东西,就是需要的东西了,这个过程有液体接触,所以叫溼刻。

干刻更加高阶,目前并没有大规模应用,它是通过等离子电浆去除未覆盖的薄膜。

以前光刻机领域还有佳能尼康制衡ASML,不过随着技术差距越来越多,目前高阶光刻机市场被ASML垄断,7nm级别光刻机17年的产量只有12台,一台1.2亿美元,还要提前21个月预订,中国就算排队,也不知道哪年买得到,背地里还有有些国家作怪,目前中国产光刻机还处于90nm阶段,任重道远。

目前能生产7nm级别蚀刻机的有应用材料,科林研发,东京威力科创,日立先端,中微半导体五家公司,中微是唯一一家中国企业,并且已经开始向台积电供货,中微也代表着中国顶尖的半导体技术。

中国半导体起步晚,需要走的路还很长,不过中国人最不缺的就是毅力,只有坚持不懈方能厚积薄发。

基础知识关键点

简单的回答。

光刻机划线,刻蚀机雕刻。

目前荷兰10奈米光刻机世界第一,中国目前光刻机是90奈米,也有说是28奈米的,总之,光刻机差距很大。

目前刻蚀机中国5奈米世界第一,据说7奈米齐驱并驾的刻蚀机还有3家。

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光刻机,是在晶圆上雕刻电路。

蚀刻机,是给刻好电路的晶圆去除杂质。

这两机器,是製造晶片不可缺少的精密仪器,也是配套使用的。

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其实从字面表面意思就能看出来,无论是这两个其中的哪种机器,用在晶片製造上都有很大的帮助,也是晶片製造的主要方式。

随着时间的推进,现在的光刻技术出现两种趋势,一个是光刻机,一种是蚀刻机。

光刻机是晶片製造行业的主要载体。

他的工作原理是在硅片上涂上一层均匀的光刻胶,然后利用紫外线照在上面,其中还包含了编码,把需要刻制的东西编码完成,用光刻技术刻到上面。

从而达到储存的效果。

光刻机上面是光照部,中间是掩膜版,最后是需要刻制的载体。

光刻机发展至今,目前已经有了很多种形式,但工作原理大同小异,没什么区别。

而且国内现在已经有了自主产权,发展前景很不错。

蚀刻机与光刻机比起来就有些粗糙了,他是直接把内容刻在载体上,对载体表面进行侵蚀从而达到烧录的目的。

目前国内的蚀刻机有两种,干刻和溼刻,但是工作原理都相同,利用离子与电压的结合,达到烧录的目的。

总的来说,两种刻制方式都是主流的形式,如果选择的话完全是根据自己的需求。

只能说两种都不会让人失望。

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