汽车大灯如何改led的散热问题如何解决?

LED 的原理 LED 的核心部分是由n 型半导体与p 型半导体组成的晶片,利用注入式发光原理製作而成。

在n 型与p 型半导体之间,有一个p-n 结的过渡层,当注入的多数载流子和少数载流子複合时,多余的能量会以光的形式在某些半导体材料中释放出来,进而将电能转换成光能。

如果反向加电压,那么难以注入少数载流子,因此也就不会发光。

LED 由週期表中的V 族元素与III族元素组成,是由化合物半导体材料组成,如:磷化镓与砷化镓是单色LED 常用的材料。

目前,氮化镓是製造白光LED 的主要材料。

对于GaN 薄膜材料,目前还没有体单晶GaN 可以同质外延,主要是依靠有机金属气象沉澱法,在相关的异型支撑衬底上来生成。

在沉底上依次镀上n-A1GaN、p-A1GaN、n-GaN 等材料,然后使用一系列工艺过程,如: 封装、划片,来完成製造。

这种工艺目前发展成熟,但由于蓝宝石是GaN 基LED 的主要衬底材料,所以能够替代它的衬底材料目前还未发现。

大功率LED 散热的重要性传统管芯的功率比较小,需要散热也不多,所以在散热上,并没有什么严重问题,但大功率的LED 就不同了,它的晶片功率密度非常大。

目前,由于半导体制造技术的原因,有80% 以上的输入功率转化为了热能,只有不到20% 转化成了光能。

晶片的热量如果只是简单的按比例将封装尺寸放大,是无法散发出去的,且极有可能会导致焊锡融化,造成晶片失效,而加快荧光粉与晶片老化是必然会发生的情况,LED 的色度在温度上升时也会变差。

对LED 来说散热具有非常重大的意义,一般要求结温在110° C 以下,这样才能保证器件的使用寿命。

目前,大功率LED 封装需要考虑的首要问题就是如何改进不断增大的晶片功率所带来的散热问题。

目前,比较常用的改进LED 散热问题的方法有两种,分别是:加快散发内部热量,对LED的散热结构进行改进,使晶片的温度可以有效降低;从根本上减少热量的产生,提高晶片的发光效率,提高器件内量子效率。

最新的LED 热量控制技术传统的方法是採用散热器进行散热,水冷、熟管技术、风冷、微管道散热等,是目前较为常用的散热技术。