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各类内存条DDR2和DDR3的区别
电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。
内存条的作用
内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。我们平常使
用的程序,如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等,一般都
是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把
它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段
文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。通常我们把要
永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量
的数据和程序放在内存上。其是连接CPU和其他设备的通道,
起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时,需要从硬盘等外
部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离
CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU
的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部
存储器之间,建了一个“小仓库”—内存。
内存条类型和接口
一、DIMM(双inline记忆模块,双列直插内存模块)SDRAM接
口;SDRAMdimm为168PinDIMM结构,如下图。金手指没面为
84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入接口时,错误将内
存反方向插入导致烧毁。
不可否认的是,SDRAM内存由早期的66MHz,发展后来的100MHz、
133MHz,尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题,但此时CPU超
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频已经成为DIY用户永恒的话题,所以不少用户将品牌好的
PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功,值得
一提的是,为了方便一些超频用户需求,市场上出现了一些
PC150、PC166规范的内存。
尽管SDRAMPC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S,加上
Intel已经开始着手最新的Pentium4计划,所以SDRAMPC133
内存不能满足日后的发展需求,此时,Intel为了达到独占市场
的目的,与Rambus联合在PC市场推广RambusDRAM内存(称为
RDRAM内存)。与SDRAM不同的是,其采用了新一代高速简单内
存架构,基于一种类RISC(ReducedInstructionSet胃痛症状 Computing,
精简指令集计算机)理论,这个理论可以减少数据的复杂性,使
得整个系统性能得到提高。
二、DDR内存,DIMMDDRAM内存接口采用184pinDIMM结构,金
手指每面有92pin,如下图所示(DDR内存金手指上只有一个卡
口)
有184针的DDR内存(DDRSDRAM)
SDRAM内存条
[/caption]
芯片和模块
标准名称I/O总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式
模组名称极限传输率
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DDR-200100MHz10ns100MHz200Million并列传输PC-1600
1600MB/s
DDR-266133MHz7.5ns133MHz266Million并列传输PC-2100
2100MB/s
DDR-333166MHz6ns166MHz333Million并列传输PC-2700
2700MB/s
DDR-400200MHz5ns200MHz400Million并列传输PC-3200
3200MB/s
利用下列公式,就可以计算出DDRSDRAM时脉。
DDRI/II内存运作时脉:实际时脉*2。(由于两笔资料同时传
输,200MHz内存的时脉会以400MHz运作。)
内存带宽=内存速度*8Byte
标准公式:内存除频系数=时脉/200→*速算法:外频*(除频频
率/同步频率)(使用此公式将会导致4%的误差)
三、DDR2内存,DDR2接口为240pinDIMM结构
,如下图。金手指每面有120pin,与DDRDIMM一样金手指上也
只有一个卡口。但是卡口的位置与DDR内存不同,因此DDR内存
条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。因此不用担心插错的问
题。
一款装有散热片的DDR21G内存条
DDR内存插槽
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DDR2能够在100MHz的发信频率基础上提供每插脚最少
400MB/s的带宽,而且其接口将运行于1.8V电压上,从而进一
步降低发热量,以便提高频率。此外,DDR2将融入CAS、OCD、
ODT等新性能指标和中断指令,提升内存带宽的利用率。从JEDEC
组织者阐述的DDR2标准来看,针对PC等市场的DDR2内存将拥
有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥
有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-
针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生
产工艺,内存颗粒的电压为1.8V,容量密度为512MB。
各类DDR2内存条的技术参数
标准名称I/O总线时钟频率周期存储器时钟频率数据速率
传输方式模块名称极限传输率位宽
DDR2-400100MHz10ns20车渠 0MHz400MT/s并行传输PC2-3200
3200MB/s64位
DDR2-533133MHz7.5ns266MHz533MT/s并行传输PC2-4200
PC2-43004266MB/s64位
DDR2-667166MHz6ns333MHz667MT/s并行传输PC2-5300
PC2-54005333MB/s64位
DDR2-800200MHz5ns400MHz800MT/s并行传输PC2-6400
6400MB/s64位
DDR2-1066266MHz3.75ns533MHz1066MT/s并行传输
PC2-8500
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PC2-小便无力尿不尽 86008533MB/s64位
现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200,但必须在高电压
下运作,以维持其稳定性。
四、DDR3内存条
第三代双倍资料率同步动态随机存取内存(Double-Data-Rate
ThreeSynchronousDynamicRandomAccessMemory,一般称为
DDR3SDRAM),是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存
产品,提供了相较于DDR2SDRAM更高的运行效能与更低的电压,
是DDR2SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者
(增加至八倍),也是现时流行的内存产品。
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到
1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2
内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内
存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个
内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。
A-DATA出品的DDR3内存条(DDRSDRAM)
[/caption]
各类DDR2内存条的技术参数
标准名称I/O总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式
模组名称极限传输率位元宽
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DDR3-800400MHz10ns400MHz800MT/s并列传输PC3-6400
6.4GiB/s64位元
DDR3-1066533MHz712ns533MHz1066MT/s并列传输
PC3-85008.5GiB/s64位元
DDR3-1333667MHz6ns667MHz1333MT/s并列传输PC3-10
60010.6GiB/s64位元
DDR3-1600667MHz5ns800MHz1600MT/s并列传输PC3-12800
12.8GiB/s64位元
DDR3-1866800MHz42/793京东退货 3MHz1800MT/s并列传输
PC3-1490014.4GiB/s64位元
DDR3-21331066MHz33/41066MHz2133MT/s并列传输
PC3-1700064位元
DDR2和DDR3的区别
逻辑Bank数量,DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的
就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2GB
容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16
个逻辑Bank做好了准备。
封装(Packages),DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方
面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用
96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。
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突发长度(BL,BurstLength),由于DDR3的预取为8bit,所
以突发传输周期(BL,BurstLength)也固定为8,而对于DDR2
和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了
一个4-bitBurstChop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读
取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一我们的队名是 个BL=8的数据突发传
输,届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出
的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予
支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
寻址时序(Timing),就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数
增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提升。DDR2的CL范
围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)
的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL
有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了
一个时序参数──写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工
作频率而定。
新增功能──重置(Ret),重置是DDR3新增的一项重要功能,
并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增
这一功能,如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初
始化处理变得简单。当Ret命令有效时,DDR3内存将停止所
有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Ret
期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与
发送器都将关闭。所有内部的程式装置将复位,DLL(延迟锁相
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环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动
静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
新增功能──ZQ校准,ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接
有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚透过一个命令集,
经由片上校准引擎(ODCE,On-DieCalibrationEngine)来自
动校验数据输出驱动器导通电阻与终结电阻器(ODT,On-Die
Termination)的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用
相对应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在
退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时
钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
本文发布于:2023-03-24 01:58:49,感谢您对本站的认可!
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