壁灯

LED太阳能光控壁灯

一、电路图测绘

3.7V/

1200mah

/18650

A25HB

1N4007/A7

8050

J3Y

103

太阳能光板

自锁开关

104

120

104

二、贴片元器件

1、J3Y贴片三极管参数与引脚

贴片三极管-晶体管/完整型号：S8050管体印字（marking）：J3Y封装：SOT-23极性：

NPN放大系数hFE：200~500耗散功率PCM：300mW集电极电流Ic：500mA频率：150Mhz

引脚图NPN三极管：将三个脚贴在桌面上，单个的引脚向上，两个脚朝自己身体放置，

单个脚是集电极，左脚为基极右脚为发射极。

贴片三极管j3y管型的识别：贴片三极管j3y内部有两个PN结，可用万用表电阻档分

辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别贴片三极管j3y管型。①基

极的判别判别管极时应首先确认基极。对于PNP管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分

别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得

电阻均较大，在几百千欧以上，此时假定极就是基极。NPN管，情况正相反，测量时两个

PN结都正偏（电阻均较小）的情况下，红表笔接基极。

2、A7二级管

A7属于整流二极管，1N4007，SOD-123封装的型号，今天主要介绍的是这颗二极管

的参数。

最大反向重复峰值电压：1000V，最大直流阻断电压：1000V；

最大正向平均整流电流：1.0A，最大瞬间电流；1.0A

封装：SOD-123，重量：0.0007盎司，0.02克

最大直流反向电流TA=25℃：10.0uA，额定直流阻断电压TA=125℃：烤鸡图片 50.0uA；

工作温度和存储温度范围：-55to+150℃

高温焊接保证：250/10秒，0.375“(9.5毫米)引线长度，5磅(2.3kg)张力

极性：色带表示阴极端

3、A25HB

常用的N沟道的MOS开关管。

三、MOS管工作原理，就是这么简单（竟然忘光了）

管工作原理--MOS管简介

MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为

Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中

MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS

管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，

两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

管工作原理--Mos管的结构特点

MOS管的内部结构如下图所示；其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，

是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管

是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构欧美女图片 ，又称为VMOSFET，大大提高了

MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电

阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在

栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。

n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS

管。

管工作原理--MOS管的特性

3.1MOS管的输入、输出特性

对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流

为0。

图(a)为共源极接法的电路，输出特性曲线如右图所示。

当VGS

3.2MOS管的导通特性

M我的青春我做主作文 OS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压

控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。下面以NMOS管为例介绍其特性。

图(a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱

动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端

驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换

种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

管工作原理

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应

电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的

目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出

较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也

有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽

窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

5、MOS管的分类

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：MOS管又分耗

尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四

大类。

6、MOS管应用

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，

常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机

提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影家”。

MOS管工作原理—参考资料

1、MOS管的开关损耗-反激式分析

描述：利用反激式分析MOS管的开关损耗

2、MOSFET的工作原理

描述：功率MOSFET的结构和工作原理

3、MOS、三极管用作开关时的区别联系

描述：MOS管、三极管用作开关时的区别联系

网上的另一个太阳能灯原理图

四、何检测场效应管如何识别结型健康饮食英语 场霸气超拽的群名 效应管的管脚

(1)引脚辨认与检测

结型场效应管的引脚辨认办法如图4-38昕示，将万用表置丁。RX1k”挡，用两表笔

分别丈量每两个引脚间的正、反向电阻。当某两个引脚间的正、反向电阻相等，均为数千欧

时，则这两个引脚为漏极D和源极S（可互换）．余下的一个引健腹轮 脚即为栅极G。

(2)辨别N沟道场效应管和P沟道场效应管

如图4-39所示，将万用表置于“RX1k”挡，黑表笔接栅极G．红表笔分别接另外两引

脚，假如测得两个电阻值均很大，则为N沟道场效应管。假如测得两个电阻值均很小，则

为P沟道场效应管。假如丈量结果不契合以上两步，则阐明该场效应管已坏或性能不良。

(3)估测结型场效应管放大能力

将万用表置于“RX100”挡，两表笔分别接漏极D和源极s，然后用F捏住栅极G（注

入人体感应电压），表针应向左或向右摆动，如图4-40所示。表针摆动幅度越大阐明场效

应管的放大才能越大。假如表针不动，阐明该管已坏。

(4)估测绝缘栅场效应管放大力能

估测绝缘栅场效应管(MOS管)放大才能时，由于其输入阻抗很高，为避免人体感应电

压惹起栅极击穿，不要用手直接接触栅极G，而应手拿螺钉旋具的绝缘柄，用螺钉旋具的金

属杆去接触栅极G，如图4-41所示。判别办法与丈量结型场效应管相同。