三星序列号查询

内存序列号

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小

芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、

SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照

读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoftSandra2001这类工具软件来查看

SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术

规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所

不同。

1、PC66/100SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作

频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵

列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS

的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周

期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）

或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记

录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代

表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用

MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为

2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS

的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不

带小数点，如54代表5.4nstAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表

修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以

上的内存必须经过注册。

2、PC133SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，

延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特

尔的PC133规范要严格一些，是PC133CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz

时最好能达到CAS=2。

PC133SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工

作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c

表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS

相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代

表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；g代表SPD

版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100DDRSDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；

a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率

为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；

cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表

示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表

示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5nstAC；g

代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM内存标注格式

其格式为：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示内存容量；b代表

内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=

内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为

800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一

般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格

不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编

号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM

芯片编号格式为：HY5abcdefghijklm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作

电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，

64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、

4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef）；fg代

表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表

内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次

关系）；I代表接口（0=LVTTL〔LowVoltageTTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白

或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通

芯片）；lm代表封装形式（JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，

TG=16mm

TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100

CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，

15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K

refreshcycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil

TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中

ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz

也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是

7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停

产，改

换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前

的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LGSemicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGSSDRAM内存芯片编号格式为：GM72Vabcde1fgThi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；

cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表

示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见

的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，

7K=10ns〔PC-100CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns

〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGsSDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度

即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8nsPC100内存，速度快于7K/7J；7K

和7J属于PC100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要

快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K

外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。

采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA

封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路

径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存

与主板芯片组的兼容性不太好，例如KingmaxPC150内存在某些KT133主板上竟然无法

开机。

KingmaxSDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际

上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内

存的REV1.2版本主要解决了与VIA694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。

购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的

KingmaxPC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT

SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的

刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAXPC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使

你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存

芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的

（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中

KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但

不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金

条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对

PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对

AMD750/760K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对

KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；

GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5VVcc

CMOS，LC=0.2微米3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；16M8是设备号码（深度*

宽度，内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目=16*8=128Mbit，其中16=内存基

粒容量；8=基粒数目；M=容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示

版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16FBGA，

FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，

F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84

针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；

AMIR是内部标

识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3VVddCMOS

制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（SamsungElectronics，三星）

三星EDODRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM

种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、

16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254]=256Kx、

512(514)=512Kx、1=1Mx、4=4Mx、8=8Mx、16=16Mx）；D代表内存版本（空白=

第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三

星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16）；

S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1=1M、2=2M、4=4M、8=8M、16=16M）；

2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内

存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；

G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7=7ns[143MHz]、

8=8ns[125MHz]、10=10ns[100MHz]、H=100MHz@CAS值为2、L=100MHz@CAS

值为3）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结

果即为容量，即三星16M*16=256MbitSDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，

内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是

10ns(100MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3xxsxxxxBT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM390sxxxxBTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表

RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；

H代表内存电压（H=DDRSDRAM[3.3V]、L=DDRSDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit

（4=4M、8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、25=

256M、51=512M、1G=1G、2G=2G、4G=4G）；0代表刷新（0=64m/4K[15.6μs]、

1=32m/2K

[15.6μs]、2=128m/8K[15.6μs]、3=64m/8K[7.8μs]、4=128m/16K[7.8μs]）；3表示内存

排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、

1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针

TSOPII、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5=5ns,200MHz(400Mbps)、

6=6ns,166MHz(333Mbps)、Y=6.7ns,150MHz(300Mbps)、Z=7.5ns,133MHz

(266Mbps)、8=8ns,125MHz(250Mbps)、0=10ns,100MHz(200Mbps)）。即三星

4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3VDDRSDRAM，刷新时间0=64m/4K

(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类

型66针TSOPII，速度133MHZ。

三星RAMBUSDRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表

RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16=x16、18=x18）；RD表示产

品类型（RD=DirectRAMBUSDRAM）；8代表内存芯片密度8M（4=4M、8=8M、16=

16M）；C代表封装类型（C=微型BGA、D=微型BGA[逆转CSP]、W=WL-CSP）；

80代表速度（60=600Mbps、80=800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速

度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MicronPC143SDRAM内存条），其

SDRAM芯片编号格式为：MT48abcdMefAgTG-hij

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDRSDRAM、

6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5VVccCMOS，LC=3.3VVddCMOS，V=2.5VVdd

CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits

（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别

代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表WriteRecovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代

表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16

FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行

FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型

FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μBGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj

代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70nsSDRAM，x32DDRSDRAM（时钟

率@CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，

-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDRSDRAM（x4，

x8，x16）时钟率@CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz40ns，-4C=400MHz45ns，-4B=400MHz50ns，-3C=356MHz45ns，

-3B=356MHz50ns，-3M=300MHz53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2

和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+

和CL3）

（C）、DDRSDRAM

-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），

PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT48LC16M8A2TG-75L_ES表示美

光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代

表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、

16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表

4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为

16

位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4

个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ

下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHzCL3〕，10=10ns〔PC100CL3〕，

10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，

75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pinTSOPII；JH=86-pin

TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM

类型（51=EDODRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、

16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；

空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns

〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100

CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39Sabcd0eTf-gh其中ab为容量，gh

是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，

10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代

表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RambusSDRAM，W=DDRSDRAM）；64代

表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8

位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，

空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz

CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代

表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16

位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns

〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕，260或222=10ns〔PC100CL2或3〕，360

或322=10ns〔PC100CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标

定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。