硅石

二氧化硅

二氧化硅粉末

SiO2又称。在分布很广，如石英、等。白色或无色，含铁量较高的是淡黄色。

2.2～2.66，1670℃（鳞）、1710℃（方石英），沸点2230℃，为3.9。不溶于

水微溶于一般的酸，但溶于氢氟酸及热浓磷酸，能和熔融碱类起作用。用于制、、

陶器、、耐火材料、、型砂、单质硅等。

中文名称：

二氧化

硅

化学式：SiO2

相对分子质量：60.08

化学品类别：

非金属氧化

物

是否管制：否

二氧化硅简介

管制信息

本品不受管制，但不可带入飞机。

名称

中文名称：二氧化硅

中文别名：硅氧，硅土，硅石，硅酐，砂

英文别名：SilicondioxideSiO₂,Silicon(IV)oxide,Silicic

anhydride,Quartzsand

：14808-60-7[1]

储存

密封保存。

用途

硅标准液。水玻璃，硅的的制备材料。在晶体管和集成电路中作杂质扩散的

掩蔽膜和保护层，制成二氧化硅膜作集成电路器件。玻璃工业。

AR质检信息指标值

水可溶物，%≤0.2

(以Pb计)，%≤0.005

钙(Ca)，%≤0.005

铁(Fe)，%≤0.005

(Cl)，%≤0.005

硫酸盐(SO4)，%≤0.005

中不挥发物，%≤1.0

干燥失量，%≤3.0

性质

物理性质

[1]二氧化硅又称，式SiO₂。中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种。

沙状二氧化硅

结晶二氧化硅因不同，分为石英、鳞石英和方石英三种。纯为无色晶体，大而透

明棱柱状的石英叫水晶。若含有微量杂质的水晶带有不同颜色，有、、等。普通

的砂是细小的石英晶体，有黄砂(较多的铁杂质)和白砂(杂质少、较纯净)。二氧

化硅晶体中，硅的4个价与4个氧原子形成4个，硅原子位于正四面体的中心，

4个原子位于正四面体的4个顶角上，SiO₂是表示组成的最简式，仅是表示二氧

化硅晶体中硅和氧的原子个数之比。二氧化硅是原子晶体。

SiO₂中Si—O键的键能很高，、较高（熔点1723℃，沸点2230℃）。折射

率大约为1.6.

各种二氧化硅产品的折射率为：石英砂为1.547；粉石英为1.544；脉石英

为1.542；为1.42~1.48；气相白炭黑为1.46；沉淀白炭黑为1.46。

自然界存在的硅藻土是无定形二氧化硅，是低等水生植物硅藻的遗体，为白

色固体或粉末状，多孔、质轻、松软的固体，吸附性强。

化学性质

化学性质比较稳定。不溶于水也不跟水反应。是，不跟一般酸反应。气态跟

二氧化硅反应生成气态。跟热的浓强碱溶液或熔化的碱反应生成和。跟多种在下

反应生成硅酸盐。用于制造、光学仪器、化学器皿、普通玻璃、耐火材料、，等。

二氧化硅的性质不活泼，它不与除氟、氟化氢以外的卤素、卤化氢以及硫酸、硝

酸、高氯酸作用（热浓磷酸除外）。常见的浓磷酸（或者说焦磷酸）在高温下即

可腐蚀二氧化硅，生成杂多酸[2]，高温下熔融硼酸盐或者硼酐亦可腐蚀二氧化硅，

鉴于此性质，硼酸盐可以用于陶瓷烧制中的助熔剂，除此之外氟化氢也可以可使

二氧化硅溶解的酸，生成易溶于水的氟硅酸：SiO₂+4HF=SiF4↑+2H₂O

酸氧通性：

二氧化硅与

SiO₂+CaO=（高温）CaSiO3

二氧化硅能溶于浓热的强碱溶液：

SiO₂+2NaOH=Na2SiO3+H₂O

（盛碱的试剂瓶不能用塞而用塞的原因）

在高温下，二氧化硅能被碳、镁、铝还原：

SiO₂+2C=（高温）Si+2CO↑

若c过量，则发生反应：

Si+C=高温=SiC（）

硅酸酸酐：（SiO2）。

二氧化硅不与水反应，即与水接触不生成硅酸，但人为规定二氧化硅为硅酸

的酸酐。

存在形态

结构

在大多数微电子工艺感兴趣的温度范围内，二氧化硅的结晶率低到可以被忽

略。

二氧化硅结构

尽管不是长范围有序，但它却表现出短的有序结构，它的结构可认为是4个氧原

子位于四面体的顶点上。多面体中心是一个硅原子。这样，每4个氧原子近似合

到硅原子，满足了硅的外壳。如果每个氧原子是两个多面体的一部分，则氧的化

合价也被满足，结果就成了称为石英的规则的。在熔融石英中，某些氧原子，成

为氧桥位，与两个硅原子键合。某些氧原子没有氧桥，只和一个硅原子键合。可

以认为热生长二氧化硅主要是由人以方向的多面体网络组成的。与无氧桥位相比，

有氧桥的部分越大，氧化层的粘合力就越大，而且受损伤的倾向也越小。干氧氧

化层的有氧桥与无氧桥的比率远大于湿氧氧化层。

形态

根据形态可分为硅石、沉淀法二氧化硅、气相法二氧化硅、硅胶

无定形二氧化硅

、无定形二氧化硅。

存在

二氧化硅广泛存在于自然界中，与其他矿物共同构成了岩石。天然二氧化硅

称为硅石，约占地壳质量的百分之一十二，其存在形式有结晶态和无定形态两种。

石英晶体是结晶的二氧化硅，具有不同的晶型和色彩。石英中五色透明的晶体是

通常所说的水晶。具有彩色环带状或层状的称为玛瑙。[3]

矿物介绍

二氧化硅矿物是指化学式相同（SiO₂），但结构有差异的，这些矿物统称为

类质异像体，主要包括石英、和。这些矿物在地球上主要存于花岗岩、砂岩和黑

硅岩中，而上几乎缺乏，主要原因是：化学成分演化上，月球形成一个低硅、高

铝的月壳，高硅的花岗质极为稀少；月球在演化上缺乏像地球一样有一个可以结

晶出二氧化硅矿物的水系和热水体系。尽管二氧化硅矿物在月球岩石上极为稀少，

但对月球岩石的分类和成因的研究具有重要的作用。

二氧化硅抗结剂

月球上的石英矿物最早是在几块类碎处中发现的，在霏细岩中同时也充填了不少

方石英矿物，从其微细结构和成分的分析表明，这些石英实际上是由方石英变化

过来的。后来在粗晶状的月球花岗岩碎块中也发现有石英矿物，根据其的分析结

果，这些矿物是41亿年左右，在较深的环境下结晶形成的，说明这些石英不是

在岩浆岩形成期间结晶形成的。

月海武岩中的二氧化硅矿物绝大多数是方石英，体积百分数最多可达5%，

几乎没有石英矿物，只有在细晶状月海中才存在少量的石英矿物，这些方石英具

有典型的双晶结构表明：在熔浆冷却过程中，从高温到低温条件下形成的方石英

都有。另外，在一些粗晶状的月海玄武岩中也同时存在方石英和鳞石英，但从结

构特征看，方石英是由鳞石英转变的，因为鳞石英一般是镶嵌在于不规则的之间。

测定介绍

动物胶凝聚重量法

·试剂

无水（固体）

（比重1.19）1%动物胶水溶液取1克动物胶溶于100毫升热水中（随配随

用）。热盐酸洗液（5：95%）

·操作步骤

精确称取研细并在105-110℃干燥过的试样0.5-1克于铂中，称取无水碳酸

钠约6-8倍试样重，将2/3加坩埚和试样搅拌均匀，留下的无水碳酸钠铺于，盖

上坩埚盖，开始用小火烘烧10-25分钟，然后用大火灼烧30分钟。待其冷却后，

用热水将熔融物

医用二氧化硅

洗入500毫升烧杯内，铂坩埚用1：1稀盐酸洗净，洗液并入烧杯，盖好，徐徐

加入比重1.19的15-20毫升，将烧杯置于水浴上蒸发至湿盐状，再加入10毫升

浓盐酸，放置过夜（如工作急需，在加入盐酸后可加热近沸，稍冷，按下述手续

进行）。将烧杯置于60-70℃水浴中，当杯中液体到达水浴的温度时，加入新鲜

配制的1%动物胶溶液10毫升，同时用玻璃棒剧烈搅拌4-5分钟，再在水浴中保

温10分钟。然后将烧杯取出，待其冷却后用中速无灰滤纸过滤于250毫升容量

瓶中，用5：95热盐酸洗涤烧杯4-5次，并将二氧化硅沉淀及氯化钠等盐的晶体

尽可能全部移入滤纸内。然后用带有头的玻璃棒擦净烧杯，将橡皮头上所沾的沉

淀用5：95热盐酸洗入滤纸上，沉淀继续用5：95的热盐酸溶液洗至接近无铁离

子（沉淀呈白色或洗液无黄色），最后用热水洗涤3-4次。

将滤液和洗液混匀，冷却至室温，用水稀释至刻度摇匀，以备测定Al₂O3、

Fe₂O3、TiO₂、MnO₂、CaO、MgO等将滤纸连同沉淀置于已在900-1000℃灼烧至恒

重的铂坩埚中，先在上用小火将滤纸灰化至沉淀物为白色，然后在煤气喷灯或喷

灯上灼烧30分钟左右（或放入中，逐渐升温至900-950℃保温30分钟）。取出

稍冷后，移入干燥器内，冷却至室温后称重，再灼烧至恒重。

重量法与比色法联用

·试剂

盐酸（比重1.19），（比重1.84），（比重1.42），（40%）10%溶液取氢

氧化钠10克溶于水中，冷却后稀释至100毫升，混匀，移入塑料瓶中贮存。

10%溶液将10克酒石酸溶于水中，稀释至100毫升，混匀，移入塑料瓶中贮

存。对酚指示剂取对硝基苯酚0.5克溶于100毫升中。8%溶液称取8克钼酸铵溶

于100毫升水中，贮于塑料瓶中，过滤使用，如出现沉淀则不可使用。5%抗坏血

酸溶液取5克抗坏血酸溶于100毫升水中，贮存于塑料瓶中，一周后更换新鲜溶

液。95%乙醇甲醇2%氟化钾溶液取氟化钾2克溶于水中稀释至100毫升（贮于塑

料瓶中）。2%硼酸溶液取硼酸2克溶于水中稀释至100毫升。

二氧化硅贮备液（1毫升含0.5毫克二氧化硅）准确称取在1000℃灼烧两小

时的二氧化硅(99.99%)0.5克于铂坩埚中，加入无水碳酸钠5克拌匀，在1000℃

中熔融5分钟，取出冷却。在500毫升烧杯中，用沸水浸出，冷却。移入1000

毫升容量瓶中稀释在至刻度，摇匀。二氧化硅标准液（1毫升含0.01毫克二氧

化硅）取上述贮备液10毫升，稀释至500毫升容量瓶中。

·操作步骤

主量二氧化硅的测定：精确称取105-110℃干燥过的试样0.5-1克于坩埚中，

加入4克，混匀，上面再覆盖1克，置于高温沪中，于1000℃熔融15-20分钟，

取出坩埚，冷却后移入瓷蒸发皿内。用少许盐酸（1：1）洗净坩埚盖，盖上表面

皿，加开水20毫升，盐酸（1：1）30毫升，硫酸(1:1)10滴。待后，用热水洗

净坩埚，将瓷蒸发皿移到沸水浴上，间歇搅拌，蒸发至干。用平头玻璃棒小心压

碎结块，再蒸至无盐酸味，然后移入恒温箱内，于110℃保温1小时，使其完全。

取出冷却后，加入10毫升盐酸（比重1.19），在沸水浴上放置10分钟，用中

速定量滤纸过滤于500毫升容量瓶中，用1：19热盐酸洗涤沉淀，并用带有橡皮

头的玻璃棒擦净蒸发皿，冲洗5次，使转移完全。再用热水洗沉于无，大约6-8

次即可。将沉淀移入铂坩埚内，加盖盖好并留一条缝隙，先低温灰化，然后入入

内，1100℃灼烧半小时，称至恒重（两次称重差≤0.0004g），加入少许水润湿

已恒重的沉淀，加入5滴硫酸（1：1），10毫升氢氟酸（40%），先小火，然后

逐渐升温至开始冒烟，取下冷却，再加入2-3滴硫酸(1:1),10毫升氢氟酸，蒸

发至白烟逸尽。移入1100℃高温炉中灼烧30分钟，冷却称得。如残渣超出10

毫克，则分析无效，重新称样测定。用1克熔融残渣，加入几滴稀盐酸浸取，加

热溶解后，洗入三液中，用水稀释至容量瓶刻度以备测定残余二氧化硅和其他成

分。

·计算

主量二氧化硅按下式计算：式中SiO2(m1)一一脱水法测得的主量二氧化硅；M1

一一沉淀与坩埚重量，克；M2一一残渣与坩埚重量，克；G一一称取的试样重量，

克。滤液中残余硅的测定（钼蓝比色法）：准确吸取备用试液（分离二氧化硅后

的滤液）10毫升于塑料杯中，同时吸取一份空白滤液同样操作。加入氟化钠（2%）

5毫升，混匀，放置10分钟，加入硼酸溶液（2%）5毫升，摇匀，加对硝基苯酚

指示剂一滴，用氢氧化钠逐滴中和至黄色，然后用盐酸(2N)中和至黄色消失，再

过量5毫升，加钼酸铵（8%）4毫升，乙醇8毫升，摇匀，于20-40℃放置15

分钟，然后加入20毫升盐酸（1：1），酒石酸（10%）5毫升，立即加入抗坏血

酸5毫升。移入100毫升中，稀释至刻度，摇匀。从加开始计算，1小时后，以

为参比，在72型上，于波长650纳米，2厘米比色槽测定消光值。减去空白，

然后在标准曲线上查出相应量，计算出试样及残余硅的百分含量。

标准曲线的绘制：用滴定管分取标准硅溶液（每毫升含二氧化硅0.01毫克）

3、5、7、9、11、13毫升于塑料杯中，然后按上述操作方法操作。以消光值与

相应含量绘制标准曲线。

残余二氧化硅含量的计算：式中SiO2（m2）一一滤液中残余SiO2的含量；

A一一从标准曲线中查出SiO2量，克G一一称取试样重量，克二氧化硅总量计

算：SiO2（总）%=SiO2（m1）%+SiO2（m2）%

应用

二氧化硅是制造、、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、

和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。

当二氧化硅结晶完美时就是水晶；胶化脱水后就是；二氧化硅含水的凝固后

就成为；二氧化硅晶粒小于几微米时，就组成、燧石、。

二氧化硅

物理性质和化学性质均十分稳定的矿产资源，晶体属的氧化物矿物，即低温石英

（a-石英），是石英族矿物中分布最广的一个。广义的还包括高温石英（b-石英）。

石英块又名，主要是生产石英砂(又称硅砂)的原料，也是石英耐火材料和烧制的

原料。

玻璃及玻璃刻字

[1]平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（、玻璃瓶等）、、、玻璃仪器、导电玻

璃、玻璃布及防特种玻璃等的主要原料。

特殊用途：玻璃刻字：先在瓶上涂一层石蜡,再用锐器刻上字,再用在刻字的

蜡上涂抹一遍，.稍等片刻字迹即可显现出来。原理：氢氟酸腐蚀。

陶瓷及耐火材料

瓷器的胚料和釉料，窑炉用高、普通硅砖以及等的原料。

冶金

硅金属、硅铁和硅铝合金等的原料或添加剂、熔剂。

建筑

混凝土、、筑路材料、人造大理石、物理性能检验材料（即水泥标准砂）等。

化工

硅和等的原料，硫酸塔的填充物，无定形二氧化硅可作为吸附剂来使用。

机械

铸造型砂的主要原料，研磨材料（喷砂、硬研磨纸、砂纸、砂布等）。.

电子

高纯度、通讯用等。

在微电子工艺中,SiO2薄膜因其优越的电绝缘性和工艺的可行性而被广泛

采用。在半导体器件中,利用SiO2禁带宽度可变的特性,可作为非晶硅太阳

电池的薄膜光吸收层,以提高光吸收效率;还可作为金属2氮化物2氧化物2

半导体(MNSO)存储器件中的电荷存储层,集成电路中CMOS器件和SiGeMOS

器件以及薄膜晶体管(TFT)中的栅介质层等。此外,随着大规模集成电路器件

集成度的提高,多层布线技术变得愈加重要,如逻辑器件的中间介质层将增加

到4～5层,这就要求减小介质层带来的寄生电容。鉴于此,现在很多研究者

都对低介电常数介质膜的种类、制备方法和性能进行了深入研究。对新型低介电

常数介质材料的要求是:在电性能方面具有低损耗和低耗电;在机械性能方面

具有高附着力和高硬度;在化学性能方面要求耐腐蚀和低吸水性;在热性能方

面有高稳定性和低收缩性。目前普遍采用的制备介质层的SiO2,其介电常数约

为4.0,并具有良好的机械性能。如用于硅大功率双极晶体管管芯平面和台面

钝化,提高或保持了管芯的击穿电压,并提高了晶体管的稳定性。这种技术,完

全达到了保护钝化器件的目的,使得器件的性能稳定、可靠,减少了外界对芯片

沾污、干扰,提高了器件的可靠性能。

20世纪80年代末期,Si基SiO2光波导无源和有源器件的研究取得了长

足的发展,使这类器件不仅具有优良的传导特性,还将具备光放大、发光和电光

调制等基本功能,在光学集成和光电集成器件方面很有应用前景,可作为波导

膜、减反膜和增透膜。随着光通信及集成光学研究的飞速发展,薄膜光波导被广

泛应用于光无源器件及集成光路中。制备性能良好的用作光波导的薄膜显得至关

重要。集成光路中光波导的一般要求:单模传输、低传输损耗、同光纤耦合效率

高等。波导损耗来源主要分为材料吸收、基片损耗、散射损耗三部分。通过选用

表面粗糙度高、平整的光学用玻璃片或预先溅射足够厚的SiO2薄膜的普通玻璃

基片,使波导模瞬间场分布远离粗糙表面,以减少基底损耗。激光器用减反膜的

研究也取得了很大的进展。中国工程物理研究院与化学所用溶胶凝胶法成功地研

制出紫外激光SiO2减反膜。结果表明,浸入涂膜法制备的多孔SiO2薄膜比早

期的真空蒸发和旋转涂膜法制备的SiO2薄膜有更好的减反射效果。在波长

350nm处的透过率达到98%以上,紫外区的最高透过率达到99%以上。该SiO2薄

膜有望用于惯性约束聚变(ICF)和X光激光研究的透光元件的减反射膜。目前

在溶胶凝胶工艺制备保护膜、增透膜方面也取得了一些进展。此法制备的SiO2

光学薄膜在惯性约束聚变的激光装置中已成为一种重要的手段,广泛地应用于增

透光学元件上,如空间滤波器、窗口、靶室窗口或打靶透镜。在谐波转换元件

KDP晶体上用溶胶工艺镀制保护、增透膜,能改善KDP晶体的工作条件,提高谐波

光束的质量与可聚焦功率。

橡胶、塑料

在橡胶中添加二氧化硅，可提高橡胶的耐磨度。

可降低轮胎滚动阻力的同时可改善轮胎的耐磨性和抗湿滑性。

使用二氧化硅的胶料拉伸强度、撕裂强度、耐磨性等均有提高。

涂料

（可提高涂料的耐候性）、可用来生产消光剂，亦可以作为涂料增稠剂。

食品、药品

在食品工业中主要用于防止粉状食品聚集结块，以保持自由流动的一类或用

于吸附液态的香料、、维生素等，使之成为粉末状，如粉末油脂、固体香料和固

体酒之类制品。（例：奶粉）

在药品生产中可作为助流剂、载体等。

危害

二氧化硅在日常生活、生产和科研等方面有着重要的用途，但有时也会对人

体造成危害。

二氧化硅粉末

二氧化硅的粉尘极细，达到100㎡/g以上可以悬浮在中，如果人长期吸入含有

二氧化硅的粉尘，就会患病（因硅旧称为矽，硅肺旧称为）。

硅肺是一种，它的发生及严重程度，取决于空气中粉尘的含量和粉尘中的含

量，以及与人的接触时间等。长期在二氧化硅粉尘含量较高的地方，如采矿、翻

砂、喷砂、制陶瓷、制耐火材料等场所工作的人易患此病。

因此，在这些粉尘较多的工作场所，应采取严格的措施，采用多种技术和设

备控制工作场所的粉尘含量，以保证工作人员的身体健康。

二氧化硅（SiO2）薄膜的制备

针对不同的用途和要求,很多SiO2薄膜的制备方法得到了发展与应用,主要

有化学气相淀积（CVD），物理气相淀积，热氧化法，溶胶凝胶法和液相沉积法

等。

等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)

这种技术利用辉光放电,在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体,这些

离子在电场中被加速而获得能量,可在较低温度下实现SiO2薄膜的沉积。这种方

法的特点是沉积温度可以降低,一般可从LPCVD中的700℃下降至200℃,且生长

速率快,可准确控制沉积速率(约1nm/s),生成的薄膜结构致密;缺点是真空度低,

从而使薄膜中的杂质含量(Cl、O)较高,薄膜硬度低,沉积速率过快而导致薄膜内

柱状晶严重,并存在空洞等。

目前已发展了双源等离子体CVD、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积

(ECR2PECVD)、微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)[10]等技术。采用开放

式2.45GHzECR2PECVD装置,产生低能量、低气压、高密度的等离子体,并将一个

可独立调节和控制的13.56MHz的射频偏压加在待沉积的单面抛光Si(100)基片

上,用SiH4、O2和Ar气体作为反应气体来制备SiO2薄膜。结果表明,通过改变

射频偏压来控制离子轰击能量,使ECR2PECVD成膜的内应力、溅射现象、微观结

构和化学计量均受到很大程度的影响。

磁控溅射沉积

SiO2靶的射频溅射法是制备SiO2薄膜的主要方法之一。这种方法在低温下

制备的SiO2薄膜,具有多孔结构,致密度低,因而抗侵蚀能力差;而在较高温度下

制备的薄膜,具有较高的致密度和较好的性能。所以,在通常情况下,衬底温度选

择为300～600℃。其缺点是导致器件易受到热伤害,使一些性能指标降低。随后

发展起来的磁控射频溅射技术,能达到快速和低温的要求,不仅弥补了射频溅射

的缺点,大大减小了电子对衬底表面直接轰击造成的损伤,且能在较低的功率和

气压下工作。绝缘体和导体均可溅射,工艺简单,衬底温度低,薄膜厚度的可控性、

重复性及均匀性与其他薄膜制备方法相比有明显的改善和提高,因而得到了广泛

使用。许生等使用140mm×600mm的硅靶,频率为40kHz的中频电源,以Ar为溅射

气体,O2为反应气体,成功地制备了SiO2薄膜,并对制备的SiO2薄膜的化学配比

和元素化学态进行了扫描俄歇谱(SAM)和X射线光电子能谱(XPS)分析,测试了膜

层对钠离子(Na+)的阻挡性能、光学折射率和可见光透过率。

热氧化法

热氧化工艺是在高温下(900～1200℃)使硅片表面氧化形成SiO2膜的

方法,包括干氧氧化、湿氧氧化以及水汽氧化。采用干氧气氛下的高温氧化,生

长厚度为10nm左右的SiO2所需的氧化时间很短,常规电阻丝加热氧化炉无

法控制如此短的氧化时间。而采用高温下的低压氧化方法,氧化时间将增加,常

规氧化炉可以控制较长的氧化时间,但是较长时间的高温工艺过程会引起掺入

杂质的再分布,这是超大规模集成电路制作工艺中所不希望的。

为了解决以上问题,出现了一种制备超薄SiO2薄膜的新方法——快速热

工艺氧化法,或称快速热氧化法。这种方法采用快速热工艺系统,精确地控制

高温短时间的氧化过程,获得了性能优良的超薄SiO2薄膜。譬如硅烷低温氧化

沉积SiO2薄膜,温度在400℃左右,在含氧的气氛中硅烷(SiH4)在衬底表面

上热分解,并与氧气反应生成SiO2,其反应式为:SiH4+2O2SiO2↓+2H2O

↑(或H2↑)。为了防止硅烷自燃,通常使用氮气或氩气稀释硅烷。在这些条件

下生长的薄膜,具有较高的绝缘强度和相当快的生长速度。这种方法的特点是设

备简单,温度低,不生成气态有机团,生长速率快,膜厚容易控制;缺点是大

面积均匀性差,结构较疏松,腐蚀速度较快,且气体管道中易出现硅烷氧化,

形成白粉,因而沉积SiO2粉尘的污染在所难免。