物 理 化 学 学 报Acta Phys. -Chim. Sin. 2022, 38 (1), 2012006 (1 of 16)Received: December 2, 2020; Revid: December 24, 2020; Accepted: December 25, 2020; Published online: December 30, 2020.黄果树瀑布在哪个省*Corr
第31卷 第1期2008年2月电子器件Chine J ournal Of Elect ron DevicesVol.31 No.1Feb.2008High Q uality G a N Display Films G row th on Pre 2T reated Sapphire Substrate 3P EN G Dong 2sheng1,2,3,F EN G Yu 2chun 3,N I
《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域就叫做有源区(Active Area
丹麦语【光刻百科】前道工艺（Frontendofline,FEOL）集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件，简单地说，首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(activearea)，然后是离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后又是离子注入，完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，又被
天平座还是天秤座【光刻百科】前道工艺（Frontendofline,FEOL）魔法诱惑>杜阮凉瓜集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件，简单地说，首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(activearea)，然后是离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后又是离子注入，完成每一个晶体管的源极(source)和漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现
