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    半导体照明术语及定义(芯片外延片)
    外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3朗朗乾坤是什么意思、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6、金属有机化学汽相沉淀积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）7、异质结构（
    时间：2023-07-31  热度：19℃
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    半导体FAB里基本的常识简介
    CVD  晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室  答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷  何谓半导体?  答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。&
    时间：2023-07-24  热度：10℃
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    半导体名词
    CVD   晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室   答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷   何谓半导体?   答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导
    时间：2023-07-24  热度：10℃
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    半导体制程用湿式化学品的发展趋势（6页）
    半导体制程用湿式化学品的发展趋势微粒子的污染一般来自制程用中所使用的超纯水，气体及化学品，以及机台，晶舟甚至是制程线上的人员.藉由静电，凡得瓦尔力，毛细管现象或化学键而吸附於晶圆表面，或者陷入晶圆表面细微凹凸而生成的沟渠之中.金属不纯物主要来自於离子植入，乾式蚀刻及光阻灰化时，因离子撞击机台内壁所造成；另外制程环境及化学品与化学品容器本身，也是可能的污染来源之一.有机污染物则多来自光阻的残留物，另
    时间：2023-07-14  热度：17℃
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    半导体芯片中等离子损伤的解决方案
    半导体芯片中等离子损伤的解决方案周乾;程秀兰晚自习申请【摘 要】在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题.当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感.所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要
    时间：2023-07-10  热度：13℃
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    半导体名词
    CVD   晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 加纳队  答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷   何谓半导体?   答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制
    时间：2023-06-30  热度：8℃
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    半导体FAB里基本的常识简介-精华版
    CVD Process1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.何谓半导体? 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。3.常用的半导体材料为何？答：硅
    时间：2023-06-30  热度：8℃
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    英文专有名词介绍
    英文专有名词介绍1.General （ 一般专有名词）英文专有名词中文说明（数字表示有详注）LCD (Liquid Crystal Display)液晶显示器*注.Glass, substrate or glass substrate玻璃基版*注•TFT(Thin Film Tran sistor)薄膜晶体管*注.Panel面板Array排列，指在玻璃基板上做TFT的制程LCD -ArrayCel
    时间：2023-06-26  热度：8℃
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    显影蚀刻工艺调试
    显影蚀刻工艺调试一.    名词解释    21.CD    22.DOF    23.DOSE    24.ISOFOCALDOSE    25.CDUniformity    26.CDRange：    27.ADI：  &
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    20.蚀刻退膜线作业规范
    文 件 状 态文件名称:蚀刻退膜线作业规范文件编号: HY/WI-PRD-020版本: B0泉州清真寺核    准：制    定：郭 磊生效日期：2008-8-1发行日期：2008-8-1文 件 更 改 覆 历 性 质 及 项 号            本文件共8页  修订更改性质及项号
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    大陆台湾术语对照
    大陆与台湾PCB不同称谓名词术语对照 近年来，中国大陆与中国台湾在印制电路板（PCB）与表面安装技术（SMT）方面都有了巨大的发展。但在PCB & SMT相关联的名词术语上，有许多是存在着不同的称谓。为了促进海峡两岸在此方面的技术交流，本篇选入、编辑了315条有关的名词术语相互对照。本篇是以台湾电路板协会（TPCA）发行、TPCA技术顾问白蓉生牲编写的《电路板术语手册》（2000年版）为选
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    制造工作通用英文单词
    制造⼯作通⽤英⽂单词GSMC MFG.Dept. Training Material（宏⼒制造⼯作通⽤英⽂单词）GSMC上海宏⼒半导体有限公司（Grace Semiconductor Manufacturing Corporation）；MFG.⽣产（manufacturing）；Dept.部门（department）；training ['treini?] n. 训练；培养；material [
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    晶圆Wafer制程工艺学习
    晶圆（Wafer）制程工艺学习晶圆（impresdWafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。光学显
    时间：2023-05-20  热度：27℃
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    半导体制造技术的一些名词含义!
    龟虽寿翻译晶圆（Wafer） 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。 怎样挽回丈夫光 学
    时间：2023-05-20  热度：9℃
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    半导体制程用湿式化学品的发展趋势微粒子的污染一般来自制程用中所使用的超纯水，气体及化学品，以及机台，晶舟甚至是制程线上的人员.藉由静电，凡得瓦尔力，毛细管现象或化学键而吸附於晶圆表面，或者陷入晶圆表面细微凹凸而生成的沟渠之中.金属不纯物主要来自於离子植入，乾式蚀刻及光阻灰化时，因离子撞击机台内壁所造成；另外制程环境及化学品与化学品容器本身，也是可能的污染来源之一.有机污染物则多来自光阻的残留物，另
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