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    半导体工艺讲解
    半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于1
    时间：2023-07-20  热度：17℃
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    半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
    常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件 3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积5.BEOL〔生产线〕后端工序 6.BiCMOS双极CMOS7.bonding wire 焊线，引线8.BPSG 硼磷硅玻璃9.channel length沟道长度10.chemical vapor d
    时间：2023-07-14  热度：22℃
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    半导体制造中常用化学品
    半导体制造中常用化学品半导体制造过程中常用的碱经典英文文章woodbury半导体制造过程中常用的溶剂半导体制造过程中常用的通用气体性质1website名称/符号1trainspottingi1 ,用途1 ■i ii K11惰性every one11. i排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿■I 1氮气/N2 \气和剩余气体，有时也作为某些淀积工艺■■I1 1i i 的工艺气体■I 氩气/Ar !
    时间：2023-07-14  热度：5℃
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    半导体制造中常用化学品
    半导体制造中常用化学品半导体制造过程中常用的酸名称符号用途氢氟酸HF刻蚀二氧化硅SiO2以及清洗石英器皿盐酸HCl湿法清洗化学品,2号标准清洗液的一部分,施丹旖用来去除硅中的重金属元素canada day硫酸H2SO4“piranha”溶液7份crayon的音标H2SO4和3份30%的双氧水用来清洗硅片缓冲氧化层蚀刻BOE氢氟酸和氟化铵溶液HF/NH4F刻蚀二氧化硅薄膜SiO2磷酸六级满分多少H3
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    半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案
    半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍complexion1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分石榴的英文)集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。集成电路        芯片/元件数          产业周期无集成&n
    时间：2023-07-14  热度：17℃
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    丝网印刷原理及BACCINI印刷设备操作说明
    丝网印刷一 丝网印刷原理  丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式，这也是目前普遍采用的一种电池工艺。二 丝网印刷的工作流程  上料---第一道印刷---烘箱---第二道印刷----烘箱---第三道印刷---平凡而不平庸烧结----下料三 丝网印刷机烘干操作流程1、浆料的使用原则使用前应将银浆、银铝浆放置在滚筒搅拌机上搅拌24小时。铝
    时间：2023-07-07  热度：13℃
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    半导体工艺讲解
    半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于1
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    半导体、光伏硅片、芯片、电池片清洗的清洗工艺
    半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺1. 硅片的化学清洗工艺原理   硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：   A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来 去除。   B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗
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    半导体制造中常用化学品
    半导体制造中常用化学品半导体制造过程中常用的碱半导体制造过程中常用的溶剂半导体制造过程中常用的通用气体性质1名称/符号1i三个月的婴儿1 ,用途1 ■i i爱护眼睛保护视力i K11惰性11. i排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿■I 1胡大亮氮气/N2 \气和剩余气体，有时也作为某些淀积工艺■■I新生儿睡觉时间1 1i i 的工艺气体■I 氩气/Ar ! 在硅片工艺过程中用在工艺腔体中拉布拉多
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    镀膜工艺文件
    This document and information herein is the property of JY and all unauthorized u and 编号： Rev.:A0This document and information herein is the property of JY and all unauthorized u and Amendment Rec
    时间：2023-06-17  热度：16℃
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    热退火对多晶硅特性的影响
    第26卷　第12期2005年12月半　导　体　学　报CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORSVol.26　No.12Dec.,2005Received 10J une 2005  　Ζ2005Chine Institute of ElectronicsE ffect of Therm al Annealing on Characteristicsof P
    时间：2023-06-07  热度：20℃
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