科技创新与应用口才新励成培训Technology Innovation and Application研究视界2021年10期带浮空层的LDMOS器件特性研究赵婉婉1,冯懿2,陈子馨1(1.上海电力大学,上海200090;2.国核自仪系统工程有限公司,上海200241)引言随着功率半导体器件的不断发展,功率器件逐渐成为人们研究的热门器件。而横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)作为常用的功率器件
检验氨气科技创新与应用Technology Innovation and Application研究视界2021年10期带浮空层的LDMOS器件特性研究赵婉婉1,冯懿2,陈子馨1(1.上海电力大学,上海200090;2.国核自仪系统工程有限公司,上海200241)引言随着功率半导体器件的不断发展,功率器件逐渐成为人们研究的热门器件。而横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)作为常用的功率器件,因其