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  • 电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化
    1引言反相器是电子线路中的常用器件。随着微电子技术和工艺的不断发展和创新,电子产品的应用越来越广泛,但也面临着更加复杂的电磁环境。反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心[1-3],现今反相器应用主要以CMOS 反相器为主,但部分电路也会有其他反相器的应用,例如分立元件电路中就常用电阻负载型NMOS 反相器,对于反相器在这些方面的应用,人们也做了大量研究[4-6]。但是对于电阻负载型NMOS 反相器
    时间:2023-07-31  热度:30℃
  • 器件 名词翻译
    abrupt junction:突变结;Accumulation :积累Aging:老化alignment:校准Anneal:退火安土重迁的意思avalanche breakdown:雪崩击穿硅胶奶瓶back-gate:背栅ballistic transport:弹道输运;body Effect:体效应,衬底偏置效应,衬偏效应Bonding:键合breakdown:击穿Buried channel
    时间:2023-07-31  热度:24℃
  • 电缆沟施工方案
    为保证本工程施工质量、施工进度及安全文明施工等各项目标的实现,特编制本方案。 一、编制依据: 1、濮阳东500千伏变电站工程:《站区电缆沟施工图》。 2、《110kV-1000kV变电(换流)站土建工程施工质量验收及评定规程》(Q/GDW 183—2008) 3、《混凝土结构工程施工及验收规范》GB50204-2010 4、《钢筋焊接及验
    时间:2023-07-29  热度:18℃
  • 电缆沟施工方案
    为保证本工程施工质量、施工进度及安全文明施工等各项目标的实现,特编制本方案。 一、编制依据: 清明节主题班会1、濮阳东500千伏变电站工程:《站区电缆沟施工图》。 2、《110kV-1000kV变电(换流)站土建工程施工质量验收及评定规程》(Q/GDW 183—2008) 3、《混凝土结构工程施工及验收规范》GB50204-2010 4、
    时间:2023-07-29  热度:29℃
  • multisim耗尽型mos管
    truck是什么意思multisim耗尽型mos管上海h7n9柳林风声下载耗尽型MOS管,也称为增强型MOS管(Enhancement MOSFET),是一种结构上与耗尽型MOS管相反的MOS管。在耗尽型MOS管中,场效应管的沟道是由NI极偏压控制的(也称为和Depleation型沟道);而在耗尽型MOS管中,沟道是由PN结偏压控制的(也称为和Ennhancement型沟道)。当栅极电压为0时,耗
    时间:2023-07-22  热度:19℃
  • 微电子英语词典
    Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active compone
    时间:2023-07-13  热度:18℃
  • 半导体工艺中的英语词汇
                AAbrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验  Acceptor 受主  Acceptor atom 受主原子  Accumulation 积累、堆积   Accumulating contact 积累接触 
    时间:2023-07-13  热度:26℃
  • (整理)半导体工艺词汇.
                            半导体工艺词汇Scrubb 【化学】(使)(气体)净化;(从气体中)分离出,提出。Regulator 校准者;【机械工程】调整器,校准器,调节器;【无线电】稳定器;【化学】调节剂;【代】调节基因;(钟表的)整时器;标准钟Purge
    时间:2023-07-13  热度:18℃
  • 场效应管发热严重的原因
    场效应管发热严重的原因场效应管作用的特点及工作原理场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。MOS场效应管有加强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
    时间:2023-06-29  热度:10℃
  • CoolMOSFET与的其他MOSFET的区别
    Cool MOSFE‎T与的其他‎M OSFE‎T的区别下午好的英文MOSFE‎T的发展大‎致分为三个‎阶段,第一个阶段‎是采用平面‎水平沟道的‎M OSFE‎T,第二个阶段‎是垂直导电‎型M OSF‎E T(VMOSF‎E T),第三个阶段‎是沟道式栅‎极M OSF‎ET 和Co‎o l MOSFE‎T。1.结构上的区‎别平面水平沟‎道的MOS‎FET的结‎构如图1所‎示。二建准考证打印入口在哪
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  • Router0
    面向片上网络模拟器booksim的分析摘要:Booksim是一个采用C++实现的面向片上互连网络的开源模拟器。本文的主要目的是分析该模拟器的原理和实现方法,作为设计面向可重构NoC的模拟器的技术探索。该模拟器大多数组件设计为模块,因此,当需要增加新型路由器算法、拓扑或者路由器微结构时,只需要增加新模块,不需要重新设计。1. 背景    片上网络的重要性。片上网络模拟器的现状。&
    时间:2023-06-14  热度:14℃
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    时间:2023-06-07  热度:17℃
  • 半导体工艺中的英语词汇
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