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  • XCOM2控制台命令
    资源类giveresource supplies 1000 补给giveresource AlienAlloy 50 合金giveresource EleriumDust 50 超铀giveresource Intel 100 情报giveengineer 1 工程师givescientist 1 科学家additem EleriumCore 5 超铀核心杂项additem Medikit 5 急
    时间:2023-08-02  热度:110℃
  • cmos工艺名词解释
        CMOS工艺名词解 saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物,叫难融金属硅化物,此及saliside。 siliside——一种工艺,在源漏区淀积(或是叫覆盖?)硅化物,这样一种             工艺就叫siliside。 poliside——也为一种工艺,乃在栅极poly上淀积硅化物。
    时间:2023-07-31  热度:10℃
  • 硅缺陷及半导体术语英中对应
    位错产生原因:晶体生长过程中,籽晶中的位错、固-液界面附近落入不溶性固态颗粒,界面附近温度梯度或温度波动以及机械振动都会在晶体中产生位错。在晶体生长后,快速降温也容易增殖位错。(111)呈三角形;(100)呈方形;(110)呈菱形。杂质条纹:晶体纵剖面经化学腐蚀后可见明、暗相间的层状分布条纹,又称为电阻率条纹。杂质条纹有分布规律,在垂直生长轴方向的横断面上,一般成环状分布;在平行生长轴方向的纵剖面
    时间:2023-07-31  热度:11℃
  • 11LPCVD工艺
    时间的形状>美食制作过程11LPCVD工艺第一章,CVD 工艺原理介绍在超大规模集成电路(ULSI)技术中,有很多沉积薄膜的方法,一般而言这些方法可以分类为两个不同的反应机构:化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD) 和物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD),在此我们仅对化学气相沉积进行介绍。化学气相沉积法(CVD)化学气相沉积
    时间:2023-07-29  热度:20℃
  • 一文看懂半导体制造工艺中的封装技术
    一文看懂半导体制造工艺中的封装技术共读好书半导体制造工艺流程半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试(wafer Probe/Sorting)、芯片封装(Asmble)、测试(Test)以及后期的成品(Finish Goods)入库所组成。半导体器件制作工艺分为前道和后道工序,晶圆制造和测试被称为前道(Front End)工序,而芯片的封装、测试及成品入
    时间:2023-07-22  热度:7℃
  • Fab厂常用术语
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    时间:2023-07-20  热度:13℃
  • SMT术语中英文对照表
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  • SMT常用术语中英文对照(五篇范例)
    SMT常用术语中英文对照(五篇范例)第一篇:SMT常用术语中英文对照简称英文全称中文解释SMTSurface Mounted Technology表面贴装技术SMDSurface Mount Device表面安装设备(元件)DIPDual In-line Package双列直插封装QFPQuad Flat Package四边引出扁平封装PQFPPlastic Quad Flat Package塑料
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  • SMT行业常用名词缩写中英文对照
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  • SMT常用术语中英文对照
    SMT常用术语中英文对照SMT常用术语&中英文对照微組裝技術﹕MPT/Microelectronic Packaging echnology混裝技術﹕Mixed Component Mounting Technology封裝﹕Package腿部肌肉酸痛貼片﹕Pick and Place对联和横批>陶怎么组词拆焊﹕Desoldering再流﹕Reflow浸焊﹕Dip Soldering拖焊﹕
    时间:2023-06-28  热度:4℃
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    时间:2023-06-26  热度:10℃
  • 常见的化学清洗
    常见的化学清洗常见的化学清洗英国斗牛压力球硫酸。一种常见的清洗溶液是热硫酸添加氧化剂。它也是一种通常的光刻胶去除剂(见第8章)。在90~125 OC的范围中,硫酸是一种非常有效的清洗剂。在这样的温度下,它可以去除晶片表面大多数无机残余物和颗粒。添加到硫酸中的氧化剂用来去除含碳的残余物,化学反应将碳转化成二氧化碳,后者以气体的形式离开反应池:C + O2 à CO2 (气体)一般使用的氧化剂有:过氧
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