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    改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法
    改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法陈敏敏（上海华力集成电路制造有限公司，上海，201314）摘要：随着集成电路的深入发展，半导体器件对关键线宽（CD）的要求趋于严格，本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽（HM CD）、膜厚（THK）和形貌的重要参数，优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明，O2是影响HM CD的重要因素，其中O2与HM CD呈线性关系（y=1.59
    时间：2023-08-03  热度：18℃
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    ARCGIS中Extractbymask使用
    舞蹈学习ARCGIS中Extractbymask使⽤排比的好处ARCGIS中掩膜提取（Extract by mask）1、数据准备：被提取的影像数据（IMG_4627），如下图所⽰：2、掩膜数据的制作（maskshap.shp）新建shape⽂件：maskshap.shp发芽的大蒜可以吃吗制作掩膜数据：开始编辑如下图贵州风景图片绘制掩膜数据如下图：2、在Spatial Analyst Tools⼯
    时间：2023-07-23  热度：30℃
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    【VIP专享】ARCGIS中Extract by mask使用
    ARCGIS中掩膜提取（Extract by mask）1、数据准备：被提取的影像数据（IMG_4627），如下图所示：2、掩膜数据的制作（maskshap.shp）酸溜白菜怎么做新建shape文件：maskshap.shp制作掩膜数据：开始编辑如下图极差公式是什么绘制掩膜数据如下图：普陀山索道2、在Spatial Analyst Tools工具箱打开Extract by mask工具：千思万想打
    时间：2023-07-23  热度：11℃
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    图像处理学习笔记之直方图的计算与绘制
    图像处理学习笔记之直⽅图的计算与绘制图像直⽅图包含丰富的图像细节信息，反映了图像像素点的概率分布情况，它统计了每⼀个强度值具有的像素个数。灰度级范围是[0,L-1]的数字图像的直⽅图是离散函数h(rk)=nk，其中是rk第k级灰度值，nk是图像中灰度为rk的像素个数。在实践中，经常⽤乘积MN表⽰的图像像素总数除它的每个分量来归⼀化直⽅图，M、N是图像的⾏列数。因此归⼀化后的直⽅图由p(rk)=nk
    时间：2023-07-20  热度：13℃
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    pythonopencv实现图片缺陷检测（讲解直方图以及相关系数对比法）
    pythonopencv实现图⽚缺陷检测（讲解直⽅图以及相关系数对⽐法）特此函告⼀、利⽤直⽅图的⽅式进⾏批量的图⽚缺陷检测（⽅法简单）⼆、步骤（完整代码见最后）2.1灰度转换（将原图和要检测对⽐的图分开灰度化）灰度化的作⽤是因为后⾯的直⽅图⽐较需要以像素256为基准进⾏相关性⽐较img = cv2.imread("0.bmp")#原图灰度转换gray = cv2.cvtColor(img, cv2
    时间：2023-07-20  热度：12℃
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    半导体工艺讲解
    半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于1
    时间：2023-07-20  热度：17℃
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    [方案]掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制
    光掩膜版的贮存环境也影响了掩膜版残余污染物水平，即使没有光子曝光。这些水平是根据晶圆厂在不同地点储存的样本的累积残留污染物量化的，并使用离子色谱法进行测量。一个月后，晶圆厂的硫酸和氨水平是掩膜版刚离开掩膜工厂时（图4）的3-4倍。这些残留物从光掩膜版周围的空气中吸附而来（空气分子污染物[AMC]）。因此，需要改善光掩膜版的环境。caramelo>hit是什么意思在我们加速曝光试验台的测试结果显示了
    时间：2023-07-14  热度：14℃
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    半导体工艺讲解
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    掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制
    光掩膜版的贮存环境也影响了掩膜版残余污染物水平，即使没有光子曝光。这些水平是根据晶圆厂在不同地点储存的样本的累积残留污染物量化的，并使用离子色谱法进行测量。一个月后，晶圆厂的硫酸和氨水平是掩膜版刚离开掩膜工厂时（图4）的3-4倍。这些残留物从光掩膜版周围的空气中吸附而来（空气分子污染物[AMC]）。因此，需要改善光掩膜版的环境。在我们加速曝光试验台的测试结果显示了多种形成硫酸铵的方式7-9。它发生
    时间：2023-06-24  热度：12℃
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    光掩膜版的贮存环境也影响了掩膜版残余污染物水平，即使没有光子曝光。这些水平是根据晶圆厂在不同地点储存的样本的累积残留污染物量化的，并使用离子色谱法进行测量。一个月后，晶圆厂的硫酸和氨水平是掩膜版刚离开掩膜工厂时（图4）的3-4倍。这些残留物从光掩膜版周围的空气中吸附而来（空气分子污染物[AMC]）。因此，需要改善光掩膜版的环境。特殊技能星临万户在我们加速曝光试验台的测试结果显示了多种形成硫酸铵的方
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    半导体工艺讲解
    半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于1
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    图像处理——周长、面积计算(Matlab)
    题目：面积与周长的计算检测下图细胞数量，并计算面积与周长的比。翅中怎么做好吃处理过程首先将图像变换为灰度图像，并取其边缘二值图像。然后分别对边缘二值掩膜进行膨胀、填充空洞、清除边缘。青年文化最后对处理后的二值图像的连通区域进行检测，求其连通区域个数、周长和面积，并以此求出面积与周长的比。处理结果数字乐谱最后得到细胞数量a=88，面积m=24333，周长z=4956.4，面积与周长的比b=4.909
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    等高线中加注记(掩膜)
    等高线中加注记（maskbest是什么意思）1. 将标注（labels）显示在等高线上(如下图)房屋租赁纳税发票2. 把标注转换为注记（数据必须有投影）。在图层右击Covert Labels to Annotation，保存到GDB中(如下图)3. 用女孩的英文单词ArcToolbox中的制图工具bekeCartography Tools->Masking Tools->Feature
    时间：2023-06-03  热度：17℃
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    掩膜版制造工艺_迎接45和32nm节点新挑战
    掩膜版制造工艺：迎接45和32nm节点新挑战whpzzu123 发表于: 2007-7-06 10:18 来源: 半导体技术天地 掩膜版制造工艺：迎接45和32nm节点新挑战   随着集成电路制造工艺的飞速发展，45和32nm技术节点已成为近两年人们谈论的热点，作为集成电路制造工艺中最关键的光刻工艺首当其冲成为热点中的焦点。浸入式光刻(Immersion)、两次曝光技术(D
    时间：2023-05-20  热度：48℃
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    光刻过程包括的步骤
    光刻过程包括的步骤一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250C,1~2分钟，氮气保护)目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附
    时间：2023-05-10  热度：12℃
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