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    如何读懂MEMS惯性器件的精度指标
    goalkeeper如何读懂MEMS惯性器件的精度指标由于⽣产MEMS芯⽚和模块的⼚家多数是做集成电路芯⽚出⾝的企业，因此很多惯性器件的精度指标都是沿⽤了集成电路领域的术语（尤其是模拟集成电路），⽽未采⽤惯导⾏业的专业术语。因此阅读起来有个“翻译”的过程，⼤家需要格外注意！这⾥我们以美国模拟器件公司(Analog Devices Inc., ADI) ⽐较有代表性的MEMS IMU模块ADIS16
    时间：2023-08-11  热度：34℃
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    电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别
    在电子电路中，常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号，它们有什么区别呢？一、解释VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；VSS：S=ries 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。二、说明1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），V
    时间：2023-08-03  热度：30℃
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    电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别
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    时间：2023-08-03  热度：39℃
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    Cadence PDN电源完整性分析
    Cadence PDN芡实怎么吃去湿电源平面完整性分析——孙海峰随着超大规模集成电路工艺的发展，芯片工作电压越来越低，而工作速度越来越快，功耗越来越大，单板的密度也越来越高，因此对电源供应系统在整个工作频带内的稳定性提出了更高的要求。电源完整性设计的水平直接影响着系统的性能，如整机可靠性，信噪比与误码率，及EMI/EMC等重要指标。板级电源通道阻抗过高和同步开关噪声SSN过大会带来严重的电源完整性
    时间：2023-08-02  热度：29℃
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    noi figure 噪声系数
    noi figure 噪声系数    噪声是指信号处理系统中不希望的杂音或干扰。在设计和分析接收机、放大器等系统时，噪声成为了不可或缺的因素。而噪声系数（Noi Figure）则是表示信号处理器件增益中采集到的噪声功率与采集到的信号功率之比的一个重要参数。本文将围绕“噪声系数”这一主题，对它的作用、计算和测量等方面进行阐述。    一、噪声系数的作用
    时间：2023-08-01  热度：31℃
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    《EDA技术》复习题-电子版答案
    《EDA技术》复习题-电⼦版答案⼀、填空题1、⽬前国际上较⼤的PLD器件制造公司有Altera 和Xilinx 公司。分手后怎么挽回女朋友2、当前最流⾏并成为IEEE标准的硬件描述语⾔包括VHDL 和Verilog HDL 。3、⾼密度可编程逻辑器件HDPLD包括EPLD 、CPLD 和FPGA 。4、PLD从集成密度上可分为LDPLD 和HDPLD两类，其中HDPLD包括__EPLD_ ____
    时间：2023-07-31  热度：29℃
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    电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化
    1引言反相器是电子线路中的常用器件。随着微电子技术和工艺的不断发展和创新，电子产品的应用越来越广泛，但也面临着更加复杂的电磁环境。反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心[1-3]，现今反相器应用主要以CMOS 反相器为主，但部分电路也会有其他反相器的应用，例如分立元件电路中就常用电阻负载型NMOS 反相器，对于反相器在这些方面的应用，人们也做了大量研究[4-6]。但是对于电阻负载型NMOS 反相器
    时间：2023-07-31  热度：31℃
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    第三章 单一白光层掺杂型OLED器件的制备及性能分析
    第三章特种加工技术 单一白光层掺杂型OLED器件的制备及性能分析3.1 OLED器件的制备工艺庆元宵有机电致发光器件的制作工艺实际上是薄膜工艺和表面处理技术[18,19],本实验室制备WOLED器件的基本步骤分为以下几步：图3.1 有机电致发光器件制作工艺流程Fig.3.1 Fabrication process of OLEDs （1）基片刻蚀在有机电致发光器件中，大多采用覆盖氧化铟锡 (ITO
    时间：2023-07-31  热度：23℃
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    Halo LDD P-Si TFT工艺参数优化
    能源管理制度Ｈａｌｏ　ＬＤＤ　Ｐ－Ｓｉ　ＴＦＴ工艺参数优化作者：刘小红　顾晓峰来源：《电脑知识与技术·学术交流》2008年第28期如火如荼是什么意思        摘要：该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的驴胶怎么吃Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件sur
    时间：2023-07-31  热度：26℃
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    高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响
    爱无痕第40卷第2期2021年4月红外与毫米波学报J.Infrared Millim.Waves Vol.40，No.2 April，2021高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响沈川，陈路，卜顺栋，刘仰融，何力（中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室，上海200083）摘要：对高温热退火前后分子束外延（MBE）生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化
    时间：2023-07-31  热度：21℃
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    pn结耗尽区宽度
    pn结耗尽区宽度商业地产招商    PN结是一种常见的半导体元件，其特点在于在P型和N型物质的接触面上形成了一个电势垒。当外界电源的电势高于电势垒时，PN结便可以进行导通，这样就可以起到开关、整流等作用。PN结的性能高低受到多种因素的影响，其中之一是耗尽区宽度。下面我们详细介绍一下PN结耗尽区宽度的相关知识。    一、PN结耗尽区概述  &nbs
    时间：2023-07-31  热度：29℃
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    SentaurusDevice入门——1
    SentaurusDevice⼊门——1⼀、简介Sentaurus Device作为⾼级多维（1D/ 2D/ 3D）器件仿真器，能够仿真硅基和化合物半导体器件的电学、热⼒学和光学特性。Sentaurus Device是设计与优化现⾏及未来半导体器件的新⼀代器件仿真器。⼆、特点Sentaurus Device是⼀种通⽤器件仿真⼯具，能够为多种类型设备提供仿真验证。1. ⾼级逻辑技术： Sentaur
    时间：2023-07-31  热度：28℃
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    P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算
    P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算史茹倩;吴一;刘红;刘晨吉;郑树凯;王晓媛【摘 要】采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，计算本征以及P替位式掺杂，P间隙式掺杂4H-SiC的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明：P掺杂减小了4H-SiC的禁带宽度，其中P替位C原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致4H-SiC的费米能级进入导带，使其成为n型半导体，间隙式掺
    时间：2023-07-31  热度：27℃
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    SilvacoTCAD仿真10——MOSFET结构仿真
    SilvacoTCAD仿真10——MOSFET结构仿真代码MOS器件结构go atlas#定义⽹格#⼆维⾮均匀⽹格meshx.m l=0.0  spacing=0.3x.m l=0.5  spacing=0.018x.m l=2.5  spacing=0.018x.m l=3    spacing=0.3y.m l=-0.02 spacin
    时间：2023-07-31  热度：24℃
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    nmos和pmos设计
    1.设计任务………………………………………………………21.1设计指标…………………………………………………21.2设计内容 分数乘法的意义…………………………………………………22.设计方案及步骤……………………………………………33.MOS管的器件特性模拟与优化（ISE）………………33.1设计流程……………………………………………………33.2Dessis模块建立……………………………………
    时间：2023-07-31  热度：21℃
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