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    改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法
    改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法陈敏敏（上海华力集成电路制造有限公司，上海，201314）摘要：随着集成电路的深入发展，半导体器件对关键线宽（CD）的要求趋于严格，本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽（HM CD）、膜厚（THK）和形貌的重要参数，优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明，O2是影响HM CD的重要因素，其中O2与HM CD呈线性关系（y=1.59
    时间：2023-08-03  热度：20℃
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    用CHF3／Ar为工作气体刻蚀融石英
    用CHF3／Ar为工作气体刻蚀融石英第7卷第2期]ggg年4月光学精密工程0PTICSANDPRECIS10NENGINEERINGV01.7,o.2重阳节诗句AprlI,199967—7用CHF/Ar为工作气体刻蚀融石英周明宝PrewettDP一(1中国科学院光电技术研究所，微细加工光学技术国家重点实验室成都610209) (2英国卢瑟福国京实验室微结构中心)1引摘要报道了用氟利昂O-IF，和氧
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    JACS：NH4F—打开笼状分子筛宝藏的一把钥匙
    JACS：NH4F—打开笼状分子筛宝藏的一把钥匙【引言】工业催化中，分子筛扮演着不可或缺的催化、吸附的角色。提高其微孔孔容可以进一步提升催化活性、提高分离效率。如何在保证分子筛水热稳定性的前提下扩大其微孔孔容呢？一些分子筛的结构中，含有大的或者小的笼状结构，但是限制于其孔道尺寸，反应物分子有时根本无法进入笼的内部，无法与分子筛中的活性位点相接触。如果这些笼状结构的开口被打开，是否是一片新的风光？【
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    半导体制造中常用化学品
    半导体制造中常用化学品半导体制造过程中常用的酸名称符号用途氢氟酸HF刻蚀二氧化硅SiO2以及清洗石英器皿盐酸HCl湿法清洗化学品,2号标准清洗液的一部分,施丹旖用来去除硅中的重金属元素canada day硫酸H2SO4“piranha”溶液7份crayon的音标H2SO4和3份30%的双氧水用来清洗硅片缓冲氧化层蚀刻BOE氢氟酸和氟化铵溶液HF/NH4F刻蚀二氧化硅薄膜SiO2磷酸六级满分多少H3
    时间：2023-07-14  热度：26℃
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    铝合金表面用化学刻蚀和阳极氧化法制备的超疏水膜层的耐蚀性能_英文_
    收稿日期：2011-11-17。收修改稿日期：2012-03-23。航空科学基金(No.20110251003)资助项目。＊通讯联系人。E -mail ：songmei_li@buaa.edu铝合金表面用化学刻蚀和阳极氧化法制备的超疏水膜层的耐蚀性能李松梅＊李彬刘建华换轮胎需要做四轮定位吗于美(北京航空航天大学材料科学与工程学院，空天材料与服役教育部重点实验室，北京100191)封面制作摘要
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    IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀
    IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀田茂坤;谌伟;王恺;吴旭;董晓楠;黄中浩;王骏;王思江;赵永亮;闵泰烨;袁剑峰;孙耒来【摘 要】IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20％过孔相关不良.本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究.当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反
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    半导体制造技术复习总结
    手机网速慢怎么办半导体制造技术复习总结半导体制造技术复习总结第⼀章半导体产业介绍1、集成电路制造的不同阶段：硅⽚制备、硅⽚制造、硅⽚测试/拣选、装配与封装、终测；2、硅⽚制造：清洗、成膜、光刻、刻蚀、掺杂；3、半导体趋势：提⾼芯⽚性能、提⾼芯⽚可靠性、降低芯⽚价格；4、摩尔定律：⼀个芯⽚上的晶体管数量⼤约每18个⽉翻⼀倍。5、半导体趋势：①提⾼芯⽚性能：a关键尺⼨（CD）－等⽐例缩⼩（Scale
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    硬件相关：•ESC: Electrical Static Chuck            静电卡盘•TMP: Turbo Molecule Pump            分子泵•DP: Dry Pump          &n
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    硬件相关：•ESC: Electrical Static Chuck            静电卡盘•TMP: Turbo Molecule Pump            分子泵•DP: Dry Pump          &n
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    触摸屏常用英文缩写（DOC）
    触摸屏常用英文缩写（DOC）鄙薄一.缩略语中英文对照表AACF Anisotropic Conductive Film 各向异性导电薄膜ADC Analog-Digital Converter 模数转换器AES Auger Electron Spectrometer 俄歇电子能谱仪AFFS Advanced FFSAFLC Anti-Ferroelectric Liquid Crystal 反铁电
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    半导体一些术语的中英文对照离子注入机  ion implanterLSS理论  Lindhand Scharff and Schiott theory  又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。沟道效应  channeling effect射程分布  range distribution深度分布  depth distribution投影射程
    时间：2023-05-24  热度：34℃
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    叶子怎么折拥抱太阳英语    Embrace the Sun爱星满天    Introduction: Sun is an ultimate source of energy, which provides light and heat, that are esntial for life on earth. It is an integral part
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