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    半导体专业词汇-20060412
    半导体专业词汇-20060412半导体专业词汇1. ADI 显影后检查永不褪色的记忆.定义：After Developing Inspection 的缩写.目的：检查黄光室制程；光刻胶覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、品质。.方法：利用目检、显微镜为之。2. AEI 刻蚀后检查去英国留学.定义：AEI即After Etching Inspectio
    时间：2023-07-31  热度：24℃
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    半导体工艺讲解
    半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上）概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于1
    时间：2023-07-20  热度：17℃
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    半导体工艺讲解
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    半导体一些术语的中英文对照
    半导体一些术语的中英文对照离子注入机  ion implanterLSS理论  Lindhand Scharff and Schiott theory  又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。沟道效应  channeling effect射程分布  range distribution英语培训推荐深度分布  depth distributi
    时间：2023-06-01  热度：11℃
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    时间：2023-05-24  热度：32℃
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    TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称2
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    半导体工艺与制造技术习题答案(第五章)
    第五章图形转移1.典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。拖延症英文涂胶：在衬底上涂布一层光刻胶前烘：蒸发光刻胶中的溶剂对准：保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准traveller曝光：使光刻胶产生化学反应而变性学习小窍门曝光后烘烤：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团，发生反应并移除基团使之能溶解于显影。显影：显影液溶剂溶解掉光刻胶中软化部分，将图形从掩
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    半导体的光刻工艺全过程，技术讲解
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    光刻过程包括的步骤一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250C,1~2分钟，氮气保护)目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附
    时间：2023-05-10  热度：12℃
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    时间：2023-05-10  热度：9℃
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    TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称2一．TFT工艺流程中英文标准名称Array Process Flow阵列段工艺流程Input投料Unpacking拆包装Initial clean预备清洗Particle count尘埃粒子测试Gate栅电极层Clean before depo成膜前清洗Gate （Mo/Al alloy ) Film depo栅电极成膜RS meter电阻测量M
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    TFT工艺流程中中英文标准名称
    第1页共22页一．TFT 工艺流程中英文标准名称Array Process Flow阵列段工艺流程Unpacking 拆包装Initial clean 预备清洗Input 投料Particle count 尘埃粒子测试Clean before depo成膜前清洗Gate （Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜RS meter 电阻测量Macro Inspection 宏观检查
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