一．TFT工艺流程中英文标准名称 | ||
Array Process Flow | 阵列段工艺流程 | |
Input 投料 | Unpacking | 拆包装 |
Initial clean | 预备清洗 | |
Particle count | 尘埃粒子测试 | |
Gate 栅电极层 | Clean before depo | 成膜前清洗 |
Gate （Mo/Al alloy ) Film depo | 栅电极成膜 | |
RS meter | 电阻测量 | |
Macro Inspection | 宏观检查 | |
Clean before PR | 涂胶前清洗 | |
Pre bake | 预烘 | |
PR Coating | 光刻胶涂布 | |
PR vacuum dry(VCD) | 光刻胶低压干燥 | |
PR soft bake | 前烘 | |
Expo | 曝光 | |
Titler Expo/Edge Expo | 打标/边缘曝光 | |
Develop | 显影 | |
PR hard bake | 坚膜 | |
ADI | 显影后自动光学检查 | |
Mic/Mac Inspection | 宏微观检查 | |
CD after develop | 显影后关键尺寸检查 | |
Total pitch | 长寸测量 | |
Gate Wet etch | 栅电极湿刻 | |
Contact angle | 接触角测量 | |
PR strip | 光刻胶剥离 | |
CD after etch | 刻蚀后关键尺寸测量 | |
AEI | 刻蚀后自动光学检查 | |
Micro/Macro Inspection | 宏微观检查 | |
Lar Repair | 激光修补 | |
Active层 | Clean before depo | 成膜前清洗 |
Active film depo | Active成膜 | |
AOI | 自动光学检查 | |
Macro Inspection | 宏观检查 | |
Thickness Measurement | 厚度测量 | |
Clean before PR | 涂胶前清洗 | |
Pre bake | 预烘 | |
PR Coating | 光刻胶涂布 | |
PR vacuum dry | 光刻胶低压干燥 | |
PR soft bake | 前烘 | |
Expo | 曝光 | |
Develop | 显影 | |
PR hard bake | 坚膜 | |
ADI | 显影后自动光学检查 | |
Mic/Mac Inspection | 宏微观检查 | |
Active film Dry etch & Ashing | Active膜干刻与灰化 | |
Thickness Measurement | 厚度测量 | |
PR strip | 光刻胶剥离 | |
AEI | 刻蚀后自动光学检查 | |
Mic/Macro Inspection | 宏微观检查 | |
S/D 源/漏电极层 | Clean before depo | 成膜前清洗 |
S/D Mo film depo | 源/漏电极成膜 | |
RS meter | 电阻测量 | |
MACRO Inspection | 宏观检查 | |
Clean before PR | 涂胶前清洗 | |
Pre bake | 预烘 | |
PR Coating | 光刻胶涂布 | |
PR vacuum dry | 光刻胶低压干燥 | |
PR soft bake | 前烘 | |
Expo | 曝光 | |
Edge expo | 边缘曝光 | |
Develop | 显影 | |
PR hard bake | 坚膜 | |
ADI | 显影后自动光学检查 | |
MIC/MAC Inspection | 宏微观检查 | |
CD after develop | 显影后关键尺寸检查 | |
Hard bake by oven | 烘炉坚膜 | |
S/D Mo Wet etch | 源电极/漏电极湿刻 | |
n+ a-Si Dry etch | n+高掺杂膜干刻 | |
PR strip | 光刻胶剥离 | |
Thickness Measurement | 厚度测量 | |
CD after etch | 刻蚀后关键尺寸测量 | |
AEI | 刻蚀后自动光学检查 | |
Micro/Macro Inspection | 宏微观检查 | |
Clean before O/S test | 短路/开路测试前清洗 | |
Open/Short Test | 短路/开路测试 | |
本文发布于:2023-05-06 13:14:00，感谢您对本站的认可！
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