Dry Etcher Introduction
1， Etching依据蚀刻的类型分为wet etch和dry etch。主要目的是转移图形，移除不要的film。
2， Wet etch除蚀刻液之外，后段采用水洗洗净。DRY ETCH采用plasma蚀刻并未有后段水洗清洗。此为而者最大差异。
3， WET ETCH生成物需可溶于蚀刻液，DRY ETCH生成物一般需要具有挥发性
4， Dry Etch：利用不易被物理、化学作用破坏的物质——光阻来阻挡不欲去除的部分，利用Plasma的离子轰击效应或化学反应去掉想去除的部分，从而将所需要的线路图形留在玻璃基板上。
5， PLASMA：
✧ Plasma Component：电子、离子、原子团、各种中性原子和分子。
✧ Physical Etch：利用辉光放电产生的正离子轰击膜层，造成非等向性蚀刻。
✧ Chemical Etch：利用Plasma中的反应性粒子与膜层发生化学反应，造成等向性蚀刻。
6， L/L：Loadlock
7, PC CHAMBER: RF SYSTEM，VACUUM SYSTEM，GAS SYSTEM，EPD
8, RF SYSTEM: MATCHING BOX, 13.56MHz RF POWER SOURCE
9, VACUUM SYSTEM: APC,TMP, DRY PUMP, PS, CM, B-A
10, GAS SYSTEM: MPC, PNEUMATIC VALVE, FILTER,VMB
11,EPD=End Point Detector。利用蚀刻从开始到结束特定波长强度的变化，来检测出蚀刻的最合适终点。
12,EPD的测量途径有两种：测量生成物和测量反应物。
13,天马使用的冷媒是 Galden HT-200
14,Galden 较水有如下优点:
适用温度控制范围大,可控范围达200度
非导电性
使用寿命长
防止腐蚀
15, 在工作中，P/C相当于一个电容，当其中的气体及气压发生变化时，对外表现的电容值也就不同。因此需要Matching Box来调节，使电路消耗的虚功最少，节省电力同时减少对RF Power的损害。
16, MFC=Mass Flow Controller
17, MFC由PCB、Sensor、Bypass和Valve组成。
18, Sensor：利用毛细管内上下游的温差，传递给PCB处理。
19,ypass：可以控制气流平稳。
20, Valve：控制Flow输出的大小
21,MFC 原理:
利用两组绕在Sensor Tube外的加热线圈，气流流过Sensor Tube的时候，上游的线圈会因为热量被带到下游而温度下降，从而引起上游线圈阻抗下降，此时，与其相连的电桥就会有DC电压输出，此电压经过PCB放大之后，会控制Valve动作，从而达到稳定流量控制的目的。
22,VACUMM
• 1atm的定义：以纬度45度的海平面的绝对压力值
• Vacuum：低于1atm的压力称为真空，当完全没有气体存在之空间称为Absolute Vacuum，以绝对压力起算时的压力为Absolute Pressure。
• 1atm=760torr=101325Pa=1013mbar
1torr>1mbar>1Pa>1mtorr
Lower vacuum: 760~1torr
Medium vacuum: 1~10E-3torr
High vacuum: 10E-3~10E-7torr
Ultra high vacuum:10E-7torr以下
23, 蝕刻用Plasma在數Pa的壓力下產生因爲只有在低壓力狀況下才能使glow放電安定的開始和維持，因爲在平行板電極中電子受到電場力而被加速，從一次衝撞到下一次衝撞之間的距離（平均自由行程）越長，加速越久，帶的能量越大，才能持續glow放電。如果壓力太高，那麽氣體分子的密度就會增大，電子在運動過程中會更頻繁的撞擊到粒子而中斷加
速。
24, Dry pump是一种机械泵，可以直接抽大气,TMP必须在10E-3torr的压力以下启动 ，否则泵会受损，这就必须要求Dry Pump首先抽气，在达到允许压力后，TMP再开始动作。此时Dry Pump仍然不能停，TMP所抽气体必须经Dry Pump排出
25,APC原理: 利用CM测定Process Chamber中压力值，再由APC进行调节，并控制Pump抽气的速率。
26,蚀刻生成物由系统的PUMP抽离P/C,如果生成物挥发性较差,则可能在被抽离前再次depo于P/C内,所以,DRY ETCH定期需要进行清洁保养
