第一部分IGBT模块静态参数
1，：集射极阻断电压
在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时最容易超过限值。
2，：最大允许功耗
在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
其中，为结温，为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里，顺便解释下这几个热阻，
结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差；
芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升公路赛
；
芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
3，集电极直流电流
在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。
)
4，可手机扫描二维码
重复的集电极峰值电流
规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流5月放假
。
5，RBSOA，反偏安全工作区
IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的999xxx
阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。
6，短路电流
短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。
7，集射极导通饱和电压
在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。
随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。
可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性，
计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得，
M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。
第二部分IGBT模块动态参数
1，模块内部栅极电阻
为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。
2，外部栅极电阻
数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。
IGBT驱动器需达到的理论峰值计算如下，
最小的由开通限制，最小的由关断限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至器件损坏。
3，外部栅极电阻
高压IGBT一般推荐以降低栅极导通速度。
4，IGBT寄生电容参数
输入电容及反馈电容（米勒电容）是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容
限制开关转换过程的，造成的损耗一般可以忽略。
随着变化近似为常量，而随着增大而减小。
接下来深度剖析一下米勒效应
IGBT的输入电容，
其中由栅极和发射极之间绝缘介质决定，是恒定常数；，为栅极、集电极电容，由栅极和基区之间绝缘眉眼高低
介质决定，为常数；为耗尽层电容，与耗尽层宽度有关，决定于。在开通过程中，集电极电压逐五行缺火
渐降低，耗尽层宽度降低，增大；当耗尽层消失，将变为无穷大，此时虽然为充电，但却几乎没有电流（
属于并联大电阻），变化很小，即为米勒效应。因为串联，所以米勒电容。
上述的即为米勒电容，当IGBT在开关时，会由于寄生米勒电容而产生米勒平台，即米勒效应。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响非常明显，基于G、C间的耦合，IGBT 关断瞬间会产生很高的瞬态，从而引发升高而导通。
如下图所示，当上管关断时，产生加到下管的米勒电容上，就会产微信头像个性
生较大的电流，这个电流流经下管的驱动电路，使下管升高导致下管误导通。
减缓米勒效应的办法，
（1）独立的门极开通和关断电阻
通过减小可以抑制上述现象，但代价是可能引起震荡和二极管击穿。
（2）通过在G、E间增加电容吸收米勒电容的电流，想想都不靠谱！！
（3）增加负向偏压（显然是一种很有效的方法，不解释）。
（4）有源钳位（实际上就是短路）
5，栅极充电电荷
可用来优化栅极驱动电路设计，
驱动电流的平均值，
平均功率
6，开关损耗
