acceptor

半导体专业术语英语

ancetesting(WAT:waferacceptancetesting)

or:受主，如B，掺入Si中需要接受

电子

：一个EDA（EngineeringData

Analysis）系统

：酸

device：有源器件，如MOSFET（非

线性，可以对信号放大）

ark(key)：对位标记

：合金

um：铝

a：氨水

umfluoride：NH4F

umhydroxide：NH4OH

oussilicon：-Si，非晶硅（不是

多晶硅）

：模拟的

om：A（1E-10m）埃

ropic：各向异性（如POLYETCH）

(AcceptanceQualityLevel)：接受

质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通

NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。

er-aideddesign（CAD）：计算机

辅助设计。

tivitytype：传导类型，由多数载

流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，

在P型材料中多数载流子是空穴。

t：孔。在工艺中通常指孔1，即连

接铝和硅的孔。

lchart：控制图。一种用统计数据

描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。

ation：相关性。

：工艺能力，详见processcapability。

：工艺能力指数，详见process

capabilityindex。

ime：圆片做完某段工艺或设定工艺

段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快

慢。

：损伤。对于单晶体来说，有时晶

格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可

以叫做损伤。

density：缺陷密度。单位面积内

的缺陷数。

ionimplant：耗尽注入。一种在沟

道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗

尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的

晶体管。）

ionlayer：耗尽层。可动载流子密

度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。

ionwidth：耗尽宽度。53中提到的

耗尽层这个区域的宽度。

tion：淀积。一种在圆片上淀积一定

厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的

一种方法。

ffocus（DOF）：焦深。

ofexperiments(DOE)：为了达到

费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果

的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验

计划。

p：显影（通过化学处理除去曝光区

域的光刻胶，形成所需图形的过程）

per：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液

ne(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易

挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产

中的硼源

romethane(CH2CL2)：二氯甲，一

种无色，不可燃，不可爆的液体。

rosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种

可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的

物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在

沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。

：硅片中一个很小的单位，包括了设计

完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向

上的部分划片槽区域。

tric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）

用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝

缘功能。

edlayer：扩散层，即杂质离子通过

固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形

成与衬底材料反型的杂质离子层。

ne(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无

腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，

暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅

烷常用于沉积多晶硅薄膜。

-in：推阱，指运用高温过程使杂质在

硅片中分布扩散。

h：干刻，指采用反应气体或电离

气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合

了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。

ivelayerthickness：有效层厚，

指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的

硅锭前端的深度。

：electromigration，电子迁移，指由

通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自

扩散过程。

iallayer：外延层。半导体技术中，

在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体

材料，这一单晶半导体层即为外延层。

entdowntime：设备状态异常以及

不能完成预定功能的时间。

：腐蚀，运用物飞蛾扑火歇后语 理或化学方法有选择

的去除不需的区域。

re：曝光，使感光材料感光或受其

他辐射材料照射的过程。

：常指半导体生产的制造工厂。

esize：特征尺寸，指单个图形的最

小物理尺寸。

-effecttransistor（FET）：场效应

管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的

多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控

制。

：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物

质。

：平边

ndcapacitan：平带电容

ndvoltage：平带电压

efficicent：流动系数

loci记住英语 ty：流速计

lume：流量计

：单位时间内流过给定面积的颗粒数

denenergygap：禁带

-pointprobe：四点探针台

onalarea：功能区

ide：栅氧

ransitiontemperature：玻璃态转

换温度

g：净化服

ea：灰区

gincidenceinterferometer：切线

入射干涉仪

ke：后烘

epitaxy：单晶长在不同材料的衬底

上的外延方法

-currentimplanter：束电流大于3ma

的注入方式，用于批量生产

-efficiencyparticulateair(HEPA)

filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%

的大于0.3um的颗粒

：主机

riers：热载流子

hilic：亲水性

hobic：疏水性

ty：杂质

ivecoupledplasma(ICP)：感应等

离子体

as：惰性气体

loxide：一氧

tor：绝缘

edline：隔离线

t:注入

tyn:掺杂

on:结

onspikingn:铝穿刺

:划片槽

gpadn:PAD

raphyn制版

inabe5520 ility,equipment:设备产能

nancen:

tycarriern:

,deviceriesofn:

刻版

aln:

n1:

:

edleakraten:

n:

n:

:

ter(nm)n

cond(ns)n

eetchn

en(N2)n

体

129.n-typeadj

保养

多数载流子

一成套光

原料

矩阵

平均值

测得漏率

中间值

记忆体

金属

：纳米

：纳秒

：氮化物刻蚀

：氮气，一种双原子气

：n型

rsquaren：欧姆每平方:方块

电阻

ationn：晶向，一组晶列所指的

方向

pn：交迭区

ionn：氧化，高温下氧气或水蒸

气与硅进行的化学反应

orus(P)n：磷，一种有毒的非

金属元素

askn：光刻版，用于光刻的版

ask,negativen：反刻

：去掉图形区域的版

ask,positiven：正刻

：先行批，用以验证该工艺是否

符合规格的片子

n：等离子体，用于去胶、刻蚀

或淀积的电离气体

-enhancedchemicalvapor

deposition(PECVD)n：等离子体化学气相淀

积，低温条件下的等离子淀积工艺142.

plasma-enhanced

TEOS

oxide

depositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种

工艺

tionn：pn结

beadn：麻点，在20X下观察到

的吸附在低压表面的水珠

zationn：偏振，描述电磁波下电场

矢量方向的术语

den：多晶硅/金属硅化物，解决

高阻的复合栅结构

ystallinesilicon(poly)n：多晶硅，

高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。

rphismn：多态现象，多晶形成一

种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象

n:探针。在集成电路的电流测试

中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。

scontroln:过程控制。半导体制

造过程中，对设备或产品规范的控制能力。

ityX-rayn:近X射线：一种光

刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜

版，从而使对应的光刻胶暴光。

tern:纯水。半导体生产中所

用之水。

mdevicen:量子设备。一种电子

设备结构，其特性源于电子的波动性。

carriern:石英舟。

accessmemory(RAM)n:随机

存储器。

logicdevicen:随机逻辑器件。

hermalprocessing(RTP)n:快

速热处理(RTP)。

veionetch(RIE)n:反应离子刻

蚀(RIE)。

rn:反应腔。反应进行的密封隔离

腔。

n:菜单。生产过程中对圆片所做

的每一步处理规范。

n:光刻胶。

ngelectronmicroscope(SEM)n:

电子显微镜(SEM)。

leddowntimen:(设备)预定停工

时间。

kybarrierdiodesn:肖特基二极

管。

linen:划片槽。

icialetchbackn:牺牲腐蚀。

nductorn:半导体。电导性介于

导体和绝缘体之间的元素。

esistance(Rs)(orpersquare)n:

薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水

平。

ad:边缘载荷，被弯曲后产生的应

力。

nonsapphire(SOS)epitaxial

wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片

caleintegration(SSI):小规模综

合，在单一模块上由2到10个图案的布局。

code:原代码，机器代码编译者使

用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。

alline:光谱线，光谱镊制机或分

光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。

bbing:旋转带，在旋转过程中在

下表面形成的细丝状的剩余物。

retch:溅射刻蚀，从离子轰击产

生的表面除去薄膜。

ngfault:堆垛层错，原子普通堆积

规律的背离产生的2次空间错误。

ath:蒸汽浴，一个大气压下，流

动蒸汽或其他温度热源的暴光。

spontime:瞬态特性时间，大

多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚

到达特定地带的那个时刻之间的时间。

r:步进光刻机（按BLOCK来书评是什么意思 曝光）

test:应力测试，包括特定的电压、

温度、湿度条件。

eprofile:表面轮廓，指与原片表

面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。

m:征兆，人员感觉到在一定条件

下产生变化的弊病的主观认识。

ld:间断焊，通常在角落上寻找预

先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。

tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨

胀物质。

aturecycling:温度周期变化，测

量出的重复出现相类似的高低温循环。

ility:易测性，对于一个已给电路来

说，哪些测试是适用它的。

ldeposition:热沉积，在超过950

度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。

lm:超薄薄膜，堆积在原片表面的

用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。

um(Ti):钛。

e(C6H5CH3):甲苯。有毒、无色

易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191.

1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有

毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混

合物不溶于水但溶于酒精和大气。

en(W):钨。

enhexafluoride(WF6):氟化钨。

无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中

WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。

g:金属性表面覆盖焊点的薄层。

ixedchargedensity(Nth):下列

是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电

荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、

界面负获得电荷密度(Nit)。

(W):瓦。能量单位。

lat:从晶片的一面直接切下去，

用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的

晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶

片。

rocesschamber(WPC):对晶片

进行工艺的腔体。

:阱。

micaletch:湿法化学腐蚀。

:深腐蚀区域，用于从另一区域隔

离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。

:通孔。使隔着电介质的上下两层金属

实现电连接。

:在隔离晶片中，允许上下两层实

现电连接的绝缘的通道。

:托。压力的单位。

ressure:当固体或液体处于平衡

态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是

与物质和温度有关的函数。

:真空。

tionmetals:过渡金属

Yield良率

Parameter参数

PAC感光化合物

ASIC特殊应用集成电路

Solvent溶剂

Carbide碳

Refractive折射

Expansion膨胀

Strip湿式刻蚀法的一种

TM:topmental顶层金属层

WEE周边曝光

PSG硼硅玻璃

MFG制造部

Runcard运作卡

POD装晶舟和晶片的盒子

Scratch刮伤

Reticle光罩

Sputter溅射

Spin旋转

Merge合并

A/D[军]l,模拟/数字

ACMagnitude交流幅度

ACPha交流相位

Accuracy精度"ActivityModel

ActivityModel"活动模型

AdditiveProcess加成工艺

Adhesion附着力

Aggressor干扰源

AnalogSource模拟源

AOI,AutomatedOpticalInspection自动光

学检查

AsmblyVariant不同的装配版本输出

Attributes属性

AXI,AutomatedX-rayInspection自动X光

检查

BIST,Built-inSelfTest内建的自测试

BusRoute总线布线

Circuit电路基准

circuitdiagram电路图

Clementine专用共形开线设计

ClusterPlacement簇布局

CM合约制造商

CommonImpedance共模阻抗

Concurrent并行设计

ConstantSource恒压源

CooperPour智能覆铜

Crosstalk串扰

CVT,ComponentVerificationandTracking

元件确认与跟踪

DCMagnitude直流幅度

Delay延时

Delays延时

DesignforTesting可测试性设计

Designator标识

DFC,DesignforCost面向成本的设计

DFM,DesignforManufacturing面向制造过

程的设计

DFR,DesignforReliability面向可靠性的设

计

DFT,DesignforTest面向测试的设计

DFX,DesignforX面向产品的整个生命周期

或某个环节的设计

DSM,DynamicSetupManagement动态设定

管理

DynamicRoute动态布线

EDIF,TheElectronicDesignInterchange

Format电子设计交互格式

EIA,ElectronicIndustriesAssociation电子

工业协会

ElectroDynamicCheck动态电性能分析

ElectromagneticDisturbance电磁干扰

ElectromagneticNoi电磁噪声

EMC,ElctromagneticCompatibilt电磁兼容

EMI,ElectromagneticInterference电磁干

扰

Emulation硬件仿真

EngineeringChangeOrder原理图与PCB版

图的自动对应修改

Enmble多层平面电磁场仿真

ESD静电释放

FallTime下降时间

FalClocking假时钟

FEP氟化乙丙烯

FFT,FastFourierTransform快速傅里叶变

换

FloatLicen网络浮动

FrequencyDomain频域

GaussianDistribution高斯分布

Globalflducial板基准

GroundBounce地弹反射

GUI,GraphicalUrInterface图形用户界

面

Harmonica射频微波电路仿真

HFSS三维高频结构电磁场仿真

IBIS,Input/OutputBufferInformation

Specification模型

ICAM,IntegratedPCB

IEEE,TheInstituteofElectricaland

ElectronicEngineers国际电气和电子工程师

协会

IGES,Initial

的标准

ImageFiducial电路基准

Impedance阻抗

In-Circuit-Test在线测试

InitialVoltage初始电压

InputRiTime输入跃升时间

IPC,TheInstituteforPackagingand

Interconnect封装与互连协会

IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互

过程优化ISO,The

International

Standards

Graphics

Exchange

Specification三维立体几何模型和工程描述

Computer

Aided

Manufacturing在ECCE项目里就是指制作

Orga青春爱情电视剧 nization国际标准化组织

Jumper跳线

LinearDesignSuit线性设计软件包

LocalFiducial个别基准

manufacturing制造业

MCMs,Multi-ChipModules多芯片组件

MDE,MaxwellDesignEnvironment

NonlinearDesignSuit非线性设计软件包

ODB++OpenDataBa公开数据库

OEM原设备制造商

OLEAutomation目标连接与嵌入

On-lineDRC在线设计规则检查

Optimetrics优化和参数扫描

Overshoot过冲

Panelfiducial板基准

PCBPCBoardLayoutTools电路板布局布线

PCB,PrintedCircuitBoard印制电路板

Period周期

PeriodicPulSource周期脉冲源

PhysicalDesignReu物理设计可重复

PI,PowerIntegrity电源完整性

Piece-Wi-linearSource分段线性源

Preview输出预览

PulWidth脉冲宽度

PuldVoltage脉冲电压

QuiescentLine静态线

RadialArrayPlacement极坐标方式的元件布

局

Reflection反射

Reu实现设计重用

RiTime上升时间

Rnging振荡,信号的振铃

Rounding环绕振荡

RulesDriven规则驱动设计

SaxBasicEngine设计系统中嵌入

SDE,SerenadeDesignEnvironment

SDT,SchematicDesignTools电路原理设计

工具

Setting设置

SettlingTime建立时间

ShapeBa以外形为基础的无网格布线

Shove元器件的推挤布局

SI,SignalIntegrity信号完整性

Simulation软件仿真

Sketch草图法布线

Skew偏移

SlewRate斜率

SPC,StaticticalProcessControl统计过程控

制

SPI,Signal-PowerIntegrity将信号完整性和

电源完整性集成于一体的分析工具

SPICE,SimulationProgramwithIntegrated

CircuitEmphasis老掉头发怎么办 集成电路模拟的仿真程序

Split/MixedLayer多电源/地线的自动分隔

SSO同步交换

STEP,StandardfortheExchangeof

ProductModelData

Symphony系统仿真

Timedomain时域

TimestepSetting步进时间设置UHDL,VHSIC

Hardware

Description

Language硬件描述语言

Undershoot下冲

UniformDistribution均匀分布

Variant派生

VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架

联盟

Victim被干扰对象

VirtualSystemPrototype虚拟系统原型

VST,VerficationandSimulationTools验证

和仿真工具

Wizard智能建库工具,向导

2.专业术语

术语英文意义中文解释

LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示

LCMLiquidCrystalModule液晶模块

TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的

扭曲取向偏转90度

STNSuperTwiste半夜流鼻血是怎么回事 dNematic超级扭曲向列。

约180～270度扭曲向列

FSTNFormulatedSuperTwistedNematic

格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于

STN，用于单色显示

TFTThinFilmTransistor薄膜晶体管

Backlight-背光

Inverter-逆变器

OSDOnScreenDisplay在屏上显示

DVIDigitalVisualInterface（VGA）数字

接口

TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnaling

LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低

压差分信号Panelink-

ICIntegrateCircuit集成电路

TCPTapeCarrierPackage柔性线路板

COBChipOnBoard通过绑定将IC裸偏固定

于印刷线路板上

COFChipOnFPC将IC固定于柔性线路板上

COGChipOnGlass将芯偏固定于玻璃上

Duty-占空比，高出点亮的阀元旦晚会策划案 值电压的部分在

一个周期中所占的比率

LEDLightEmittingDiode发光二极管

ELElextroLuminescence电致发光。EL层由

高分子量薄片构成

CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescent

Light/Tude冷阴极荧光灯

PDPPlasmaDisplayPanel等离子显示屏

CRTCathodeRadialTude阴极射线管

VGAVideoGraphicAnay视频图形陈列

PCBPrintedCircuitBoard印刷电路板

Compositevideo-复合视频

componentvideo-分量视频

S-video-S端子，与复合视频信号比，将对比

和颜色分离传输

NTSC

制式

PhaAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相

制式）

SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM

制式（顺序与存储彩色电视系统）

VideoOnDemand视频点播

DPIDotPerInch点每英寸

3.A.M.U原子质量数

erdevelopinspection显影后检视

蚀科后检查

ent排成一直线，对平

融合：电压与电流成线性关系，降低

接触的阻值

：anti-reflectcoating防反射层

:一种干法刻蚀方式

National

Television

Systems

CommitteeNTSC制式。全国电视系统委员会

光阻去除后检查

de晶片背面

deEtch背面蚀刻

-Current电子束电流

:含有硼磷的硅玻璃

中断，stepper机台内中途停止键

te装晶片的晶舟

：criticaldimension关键性尺寸

r反应室

图表

ot子批

(die)晶粒

化学机械研磨

光阻覆盖（机台）

g涂布，光阻覆盖

tHole接触窗

lWafer控片

allayer重要层

化学气相淀积

ime生产周期

缺陷

:deposit淀积

预处理

per显影液；显影（机台）

pment显影

:dualgate双门

r去离子水

ion扩散

掺杂

剂量

ade降级

:designrulecheck设计规则检查

an干洗

e交期

afer挡片

45.E/R:etchrate蚀刻速率

设备工程师

nt蚀刻终点

48.

伤

:etch蚀刻

t排气（将管路中的空气排除）

re曝光

ESD:

electrostatic

discharge/electrostaticdamage静电离子损

工厂

:focudionbeam聚焦离子束

xide场氧化层

ss平坦度

焦距

y代工

:含有氟的硅玻璃

e炉管

:gateoxideintegrity门氧化层完整

性

ethyldisilazane,经去水

烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附

着力的化合物，称H.M.D.S

:hotcarrierinjection热载流子注

入

：highdensityplasma高密度等离子

体

-Voltage高压

e烘烤

辨认，鉴定

t植入

层次

:lightlydopeddrain轻掺杂漏

efocus局部失焦因机台或晶片造

成之脏污

:localoxidationofsilicon局部

氧化

巡路

批

(reticle)光罩

合并

ia金属接触窗

制造部

-Current中电流

部门

:Si3N4氮化硅

-critical非重要

:n-dopedplus(N+)N型重掺杂

:n-dopedwellN阱

:oxidedefinition定义氧化层

:opticmi拉吊突击 croscope光学显微镜

超出控制界线

超出规格界线

ch过蚀刻

ow溢出

y测量前层与本层之间曝光的准确

度

:SiO2二氧化硅

esisit光阻

93.P1:poly多晶硅

;passivation钝化层

lot母批

le含尘量/微尘粒子

:ngineer;

enhance1、工艺工程师2、等离子体增强

:photo黄光或微影

实验的

电浆

装晶舟与晶片的盒子

r聚合物cessofrecord

:p-dopedplus(P+)P型重掺杂

:photoresist光阻

物理小班常规教案 气相淀积

:p-dopedwellP阱

ime等待时间

109.R/C:runcard运作卡

程式

e放行

ance电阻

e光罩

射频

:remove.消除

on旋转

:rapidthermalanneal迅速热退火

:rapidthermalprocess迅速热处

理

:salicide硅化金属

:salicideblock硅化金属阻止区

:sacrificelayer牺牲层

h刮伤

ivity选择比

：scanningelectronmicroscope扫

描式电子显微镜

槽位

-Head离子源

制程统计管制

旋转

y旋干

r溅射

:Sirichoxide富氧硅

r仓储

内应力

:一种湿法刻蚀方式

–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/

正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD/PECVD

生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的

SiO2层。

钛

氮化钛

:topmetal顶层金属层

lofrecord

tch蚀刻不足

:undoped硅玻璃

142.W(Tungsten)钨

周边曝光

ame主机

te晶片盒

ier放大器

ure外壳

扳手

ok接头锁紧螺母

夹子

or激励

llowtrenchisolantion浅沟道

隔离层

硅铝块

球下金属层镀模工艺

金属连线重排工艺

ctinvionetch反应离子etch

uctivecoupleplasma感应等离

子体

nfilmtransistor薄模晶体管

miclayerdeposition原子层淀

积

lgridarray高脚封装

micabsorptionsspectroscopy

原子吸附光谱

micforcemicroscopy原子力

显微

特定用途集成电路

自动检测设备

f-ionizedplasma自电离电浆

绝缘门双极晶体管

metaldielectric电容

peraturecontrolunit温度控

制设备

mber起弧室

zer蒸发器

nt灯丝

er反射板

endedlifesource高寿命离子

源

ermagnet磁分析器

cel后加速器

polelens磁聚焦透镜

/flagfaraday束流测量器

178.e-shower中性化电子子发生器

tionelectrode高压吸极

靶盘

drive旋转运动

rive直线往复运动

ive两方向偏转

igener平边检测器

ckvalve靶盘腔装片阀

oir水槽

filter过滤器

er离子交换器

r制冷机

change热交换机